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公开(公告)号：CN111508641A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010075277.6
申请日：2020-01-22
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供能以低温且短时间结晶转化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)和非晶质透明导电层(5)，透明基材(2)含有环烯烃系树脂，非晶质透明导电层(5)能转化为结晶质，非晶质透明导电层(5)的霍尔迁移率超过25.0(cm2/V·s)，将非晶质透明导电层(5)结晶转化后的结晶质透明导电层(6)的霍尔迁移率比非晶质透明导电层(5)的霍尔迁移率大。
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公开(公告)号：CN111508640A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010075012.6
申请日：2020-01-22
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供能以低温且短时间结晶转化的透明导电性薄膜。透明导电性薄膜(1)具备：透明基材(2)和非晶质透明导电层(5)，透明基材(2)含有环烯烃系树脂，非晶质透明导电层(5)能转化为结晶质，非晶质透明导电层(2)的霍尔迁移率为20.0(cm2/V·s)以上且31.0(cm2/V·s)以下，将非晶质透明导电层(5)的载流子密度设为Xa×1019(/cm3)、霍尔迁移率设为Ya(cm2/V·s)、将结晶质透明导电层(6)的载流子密度设为Xc×1019(/cm3)、霍尔迁移率设为Yc(cm2/V·s)、移动距离设为{(Xc-Xa)2+(Yc-Ya)2}1/2时，移动距离不足50.0。
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公开(公告)号：CN110033879A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910322990.3
申请日：2015-05-15
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 提供具有透明导电层的电阻率低且厚度薄这样的特性、并且耐裂纹性优异的透明导电性薄膜及其制造方法。本实施方式的透明导电性薄膜(1)具有高分子薄膜基材(2)和形成在高分子薄膜基材(2)的主表面(2a)上的透明导电层(3)。透明导电性薄膜(1)可以为长条状，且被卷绕成卷状。透明导电层(3)为包含铟锡复合氧化物的结晶质透明导电层，残余应力为600MPa以下，电阻率为1.1×10-4Ω·cm～3.0×10-4Ω·cm，厚度为15nm～40nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106460153B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201580022929.7
申请日：2015-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种实现透明导电层的低电阻特性的透明导电性膜。本发明是具备高分子膜基材、和形成于所述高分子膜基材的至少一个面侧的透明导电层的透明导电膜，在所述高分子膜基材与所述透明导电层之间，具备利用真空成膜法形成的无机底涂层，所述透明导电层中的碳原子的存在原子量为3×1020原子/cm3以下。
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公开(公告)号：CN108352217A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680065213.X
申请日：2016-11-08
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 一种透光性导电薄膜，其具备透光性基材和非晶质透光性导电层，在将非晶质透光性导电层的载流子密度设为Xa×1019(/cm3)且将霍尔迁移率设为Ya(cm2/V·s)、将对非晶质透光性导电层进行加热处理后的被加热透光性导电层的载流子密度设为Xc×1019(/cm3)且将霍尔迁移率设为Yc(cm2/V·s)、将移动距离L设为{(Xc-Xa)2+(Yc-Ya)2}1/2时，满足下述(1)～(3)的条件，(1)Xa≤Xc、(2)Ya≥Yc、(3)前述移动距离L为1.0以上且45.0以下。
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公开(公告)号：CN105005404B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201510184959.X
申请日：2015-04-17
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B32B7/02 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B2255/10 , B32B2255/20 , B32B2255/26 , B32B2255/28 , B32B2307/202 , B32B2307/302 , B32B2307/412 , B32B2307/418 , B32B2307/538 , B32B2307/704 , C03C17/42 , C23C14/022 , C23C14/086 , C23C14/10 , C23C14/34 , G06F3/0416 , H01B1/08 , H01B5/14
Abstract: 本发明提供能使透明导电层低电阻率化、且具有优异的耐湿热性的透明导电性薄膜。本发明为依次具备透明的薄膜基材、至少3层底涂层和结晶质的透明导电层的透明导电性薄膜，前述至少3层底涂层自前述薄膜基材侧起包含利用湿式涂覆法形成的第一底涂层、作为具有氧缺陷的金属氧化物层的第二底涂层和作为化学计量组成的金属氧化物层的第三底涂层，前述透明导电层的表面粗糙度Ra为0.1nm以上且1.6nm以下，前述透明导电层的电阻率为1.1×10‑4Ω·cm以上且3.8×10‑4Ω·cm以下。
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公开(公告)号：CN103310906B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310073333.2
申请日：2013-03-07
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C23C14/14 , C23C14/562
Abstract: 本发明提供一种导电性膜卷的制造方法，邻接的膜彼此不压接而能够维持高品质。本发明的制造方法边使长条状的膜基材接触第1成膜辊边进行搬运，在膜基材的不接触该第1成膜辊的第1面侧通过溅射法顺次层叠第1透明导电体层、第1金属层和氧化金属被膜层，形成第1层叠体。然后，将形成了第1层叠体的膜基材不卷成卷状而供给到第2成膜辊，边使第1层叠体的上述氧化金属被膜层接触第2成膜辊边进行搬运，在该膜基材的没有形成上述第1层叠体的第2面侧通过溅射法顺次层叠第2透明导电体层和第2金属层，形成第2层叠体。然后将形成了第1以及第2层叠体的膜基材卷成卷状。
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公开(公告)号：CN105659198A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201580002254.X
申请日：2015-03-11
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 透明导电性薄膜(1)依次具备透明基材(2)、第1光学调整层(4)、无机物层(5)和透明导电层(6)。第1光学调整层(4)具有比透明基材(2)的折射率nA更低的折射率nC，并且具有10nm以上且35nm以下的厚度TC。无机物层(5)具有比第1光学调整层(4)的折射率nC乘以1.13得到的值的绝对值|nC×1.13|更低的折射率nD。
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