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公开(公告)号：CN101144864A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710148965.5
申请日：2007-09-12
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: B29D11/00278 , G02B3/0031 , G02B3/0056
Abstract: 本发明提供一种能容易地加工微细的凹凸形状的光学部件的制造方法和光学部件成形用模具的制造方法。一种光学部件的制造方法和应用了该光学部件的制造方法的光学部件成形用模具的制造方法，经投影掩模对树脂膜表面照射激光，以将树脂表面刻蚀成透镜形状，其特征在于，该投影掩模是形成大小呈阶梯式不同的多个透光部分或遮光部分而构成的，使该树脂膜和/或投影掩模依次移动，利用该投影掩模的透光部分或遮光部分，进行激光照射，通过多次刻蚀从而加工成透镜形状。
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公开(公告)号：CN102299245B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201110179711.6
申请日：2011-06-22
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L2224/13 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , Y10T428/24802 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种复合膜和使用该复合膜的半导体发光器件，该复合膜包括处于层叠状态中的波长转换层和漫反射树脂层并且在半导体发光器件中使用，其中该波长转换层包含荧光体材料，该荧光体材料吸收部分或者全部的激发光并且被激发以发射在比该激发光的波长更长的波长范围中的可见光，在该波长转换层的一个表面上通过图案化而选择性地形成该漫反射树脂层，并且在该波长转换层的该一个表面上的、其中没有通过图案化形成该漫反射树脂层的区域是激发该波长转换层中的荧光体材料的该激发光的路径。
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公开(公告)号：CN102299237B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110179949.9
申请日：2011-06-22
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/54 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体发光器件，包括：用于元件安装的基板；被设置在该基板上的布线；被设置在该基板上并且被电连接到该布线的LED元件；用于封装该LED元件的封装树脂层；和包含荧光体材料并且转换由该LED元件发射的光的波长的波长转换层，其中该波长转换层被设置在该LED元件的上侧上，并且在LED元件的侧面被其围绕的状态中设置漫反射树脂层，并且与在LED元件的上表面上的发光区域的面积相比，按照面积比率，波长转换层的在LED元件面侧的面积是至少两倍大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104245628A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020894.4
申请日：2013-04-18
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C04B35/645 , C09K11/77
CPC classification number: B28B23/028 , B32B18/00 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B35/6264 , C04B35/6342 , C04B35/645 , C04B38/00 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3418 , C04B2235/441 , C04B2235/5409 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/606 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6581 , C04B2235/764 , C04B2235/95 , C04B2235/963 , C04B2235/9638 , C04B2237/343 , C04B2237/567 , C04B2237/66 , C04B2237/704 , C09K11/7706 , C09K11/7774 , C04B38/0655
Abstract: 本文公开了一种使用筛网或网格来烧结平坦陶瓷的方法和装置。
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公开(公告)号：CN103715335A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310451606.2
申请日：2013-09-27
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/502 , B32B18/00 , C04B2235/6562 , C04B2235/6581 , C04B2237/343 , C08G77/16 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J183/06 , C09J2201/606 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2483/00 , C09K11/025 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L2924/0002 , Y10T428/2852 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供荧光粘接片、光半导体元件-荧光体层压敏粘接体和光半导体装置。所述荧光粘接片具备含有荧光体的荧光体层和层叠于荧光体层的厚度方向单面的粘接剂层。粘接剂层由有机硅压敏粘接剂组合物形成。荧光粘接片的剥离强度的百分率为30%以上。
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公开(公告)号：CN103347982A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201180064498.2
申请日：2011-11-29
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本文公开了发射性陶瓷材料，该发射性陶瓷材料具有沿着钇铝石榴石(YAG)区域的厚度的掺杂浓度梯度。掺杂浓度梯度可包括最大掺杂浓度、半最大掺杂浓度以及在半最大掺杂浓度处或附近的斜率。在一些实施方案中，发射性陶瓷可表现出高内量子效率(IQE)。在一些实施方案中，发射性陶瓷可包括多孔区域。本文还公开了通过烧结具有掺杂层和非掺杂层的组件来制造发射性陶瓷的方法。
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公开(公告)号：CN103228762A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180045076.0
申请日：2011-09-16
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 一种层压的复合材料，包括波长转换层和不发光阻挡层，其中发光层包括石榴石主体材料和发光客体材料，所述不发光阻挡层包括不发光阻挡材料。当石榴石或石榴石类主体材料表示为A3B5O12时，构成不发光阻挡材料的金属元素的离子半径为A阳离子元素和/或构成发光客体材料的元素的离子半径的约80%或更低，不发光阻挡层基本上没有通过发光层和不发光阻挡层之间的界面迁移的发光客体材料。
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公开(公告)号：CN101953230B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980105827.6
申请日：2009-02-19
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C09K11/7774 , B82Y30/00 , C04B35/44 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B35/63416 , C04B35/6342 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/5454 , C04B2235/656 , C04B2235/6581 , C04B2235/80 , C04B2235/9653 , C04B2235/9661 , H01L25/0753 , H01L33/502 , H01L2924/0002 , H05B33/14 , H01L2924/00
Abstract: 描述了一种发光装置，其包括：发光元件，其发射具有第一峰值波长的光；以及位于所述发光元件上的至少一个烧结的陶瓷板。至少一个烧结的陶瓷板能够吸收从所述发光元件发射的光的一部分并发射具有第二峰值波长的光，并且所述至少一个烧结的陶瓷板具有大于约40％的在所述第二峰值波长处的总光透射率。还公开了一种用于提高发光装置的发光强度的方法，其包括：提供发光元件；以及将上述至少一个烧结的陶瓷板安置在发光元件上。
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