公开(公告)号：CN106233476A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580021247.4

申请日：2015-04-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤井宏中 ,  白川真广

IPC: H01L33/50 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B41/87

CPC classification number: C09K11/7774 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B41/87 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/60 ,  H01L33/642 ,  H01L2933/0041

Abstract: 波长转换构件的制造方法包括下述工序：准备元件配置基材的工序，所述元件配置基材具备基材和在基材上沿与基材的厚度方向正交的方向隔开间隔配置的多个荧光体陶瓷元件；使多个荧光体陶瓷元件埋在含有无机物的固化性层中的工序；使固化性层固化得到被覆层的工序；以及，以包括至少1个荧光体陶瓷元件的方式将被覆层和基材沿厚度方向切断的工序。

公开(公告)号：CN107710033A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680032335.9

申请日：2016-05-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤井宏中 ,  白川真广

IPC: G02B5/20 ,  B28B11/14 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明提供一种荧光体板的制造方法，荧光体板的制造方法依次包括以下工序：工序(1)，准备荧光体片；工序(2)，在荧光体片上形成通孔和面临通孔的贯通面；以及工序(3)，切断荧光体片而形成具有贯通面的多个荧光体板。

公开(公告)号：CN103715335A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310451606.2

申请日：2013-09-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤井宏中 ,  白川真广 ,  伊藤久贵

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/502 ,  B32B18/00 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2237/343 ,  C08G77/16 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J183/06 ,  C09J2201/606 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2483/00 ,  C09K11/025 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/2852 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供荧光粘接片、光半导体元件-荧光体层压敏粘接体和光半导体装置。所述荧光粘接片具备含有荧光体的荧光体层和层叠于荧光体层的厚度方向单面的粘接剂层。粘接剂层由有机硅压敏粘接剂组合物形成。荧光粘接片的剥离强度的百分率为30%以上。

公开(公告)号：CN107112396A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680004659.1

申请日：2016-02-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤井宏中 ,  白川真广

IPC: H01L33/50 ,  F21V13/12 ,  H01L33/52 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  F21Y115/10

Abstract: 荧光体陶瓷是具有孔径为3.0μm以上且12.0μm以下的空孔的荧光体陶瓷。空孔占荧光体陶瓷的体积比例为1.5体积％以上且9.5体积％以下。

公开(公告)号：CN106233475A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580021239.X

申请日：2015-04-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 白川真广 ,  藤井宏中

IPC: H01L33/50 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  C04B41/87

CPC classification number: F21V9/30 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/622 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B41/87 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C09K11/7774 ,  F21K9/64 ,  F21V29/76 ,  F21Y2115/10 ,  F21Y2115/30 ,  H01L24/97 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2924/00012

Abstract: 波长转换构件的制造方法包括下述工序：配置工序，将荧光体陶瓷层配置在基材上；去除工序，将荧光体陶瓷层的一部分去除，使得沿与基材的厚度方向正交的方向隔开间隔配置多个荧光体陶瓷元件；形成工序，以被覆荧光体陶瓷元件的表面的方式在基材上形成含有无机物的被覆层；以及，切断工序，以包括至少1个荧光体陶瓷元件的方式将被覆层和基材沿厚度方向切断。

公开(公告)号：CN106233474A

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201580021212.0

申请日：2015-04-02

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 藤井宏中 ,  白川真广

IPC: H01L33/50 ,  C04B35/00 ,  C04B35/50 ,  C04B41/87

CPC classification number: H01L33/502 ,  C04B35/00 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B41/87 ,  C08K3/08 ,  C08K3/22 ,  C08K2003/0806 ,  C08K2003/2227 ,  C08K2003/2237 ,  C08K2003/2241 ,  C08K2201/001 ,  C09D1/02 ,  C09D7/61 ,  C09D11/00 ,  C09D183/04 ,  C09K5/14 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/507 ,  H01L33/60 ,  H01L33/641 ,  H01L33/644 ,  H01L2224/96 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0075

Abstract: 波长转换接合构件具备荧光体陶瓷元件和设置在荧光体陶瓷元件的一个面的接合层，接合层的热导率超过0.20W/m·K，接合层的反射率为90％以上。

公开(公告)号：CN103715344A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310451325.7

申请日：2013-09-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 白川真广 ,  藤井宏中 ,  伊藤久贵

IPC: H01L33/50 ,  C09J183/04

CPC classification number: C09K11/7721 ,  C08G77/26 ,  C09J7/22 ,  C09J7/38 ,  C09J183/04 ,  C09J183/08 ,  C09J2201/622 ,  C09J2203/326 ,  C09J2483/00 ,  C09K11/08 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0041 ,  Y10T428/2852 ,  C08K5/14 ,  C08K5/5415 ,  C08K5/29 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供荧光体层贴附成套配件、光半导体元件-荧光体层贴附体及光半导体装置。所述荧光体层贴附成套配件含有荧光体层、以及用于将荧光体层贴附于光半导体元件或光半导体元件封装体的有机硅粘合粘接剂组合物。有机硅粘合粘接剂组合物的剥离强度的百分比为30%以上。