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公开(公告)号：CN104813095A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201380060894.7
申请日：2013-09-20
Applicant: 恩特格里斯公司
CPC classification number: F17C13/12 , F17C13/04 , F17C2201/0104 , F17C2205/0326 , F17C2205/0329 , F17C2205/0335 , F17C2205/0338 , F17C2205/0344 , F17C2205/035 , F17C2205/0382 , F17C2205/0391 , F17C2221/012 , F17C2221/013 , F17C2221/015 , F17C2221/016 , F17C2227/045 , F17C2250/0626 , F17C2270/0518 , Y02E60/321 , Y10T137/7795
Abstract: 一种流体供给封装包，包括：一个压力调节流体贮存和分配容器，一个阀头，适于分配来自该容器的流体，以及一个抗压力尖峰组件，适于对抗在流体分配的初期来自所述阀头的流体的流动中的压力尖峰。
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公开(公告)号：CN119816923A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202380063290.1
申请日：2023-06-29
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/67 , H01L21/673 , C23C16/455 , H01J37/32
Abstract: 本公开涉及一种离子注入工具源和气体输送系统。所述系统可包括：包含一或多个气体供应容器的气源、连接到所述气源的离子注入机电弧室以及容纳于所述离子注入机电弧室内的镓靶。所述一或多个气体供应容器可供应氢和氟化物的气体混合物。所述氢在所述气体混合物中可占5％至60％。
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公开(公告)号：CN110085499B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201910208219.3
申请日：2015-08-19
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本申请涉及利用增强源技术进行磷或砷离子植入。本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。
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公开(公告)号：CN107771353B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201680035844.7
申请日：2016-05-16
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/67 , F17C11/00 , F17C13/00
Abstract: 本发明描述用于将气体递送到气体利用处理工具的气体供应系统及方法，所述气体利用处理工具例如是用于制造半导体产品、平板显示器、太阳能面板等的气体利用工具。所述气体供应系统可包括其中布置有基于吸附剂的气体供应罐及/或内部压力调节式气体供应罐的气柜，且描述可安置于所述气柜中或以独立方式操作的气体混合歧管。在一个方面中，描述气体供应系统，其中在施配操作的压控终止之后，为了进行施配操作以实现在此终止之后所述罐中剩余的气体的利用，处理易于在涉及气体供应压力的减小时冷却的罐。
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公开(公告)号：CN105702547B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201610048444.1
申请日：2010-10-25
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 一种离子注入系统及方法，提供掺杂气体馈送线路中掺杂气体的冷却，以对抗由于电弧腔室生成的热量而造成掺杂气体的加热与分解,例如使用诸如B2F4的硼源材料，或其它BF3的替代物。在此描述了各种电弧腔室热管理的设置，以及等离子体特性的改变、特定流动设置、清洗处理过程、功率管理、平衡偏移、提取光学器件的最优化、流动通道中的沉积物的探测，以及源寿命的最优化，以实现离子注入系统的有效操作。
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公开(公告)号：CN110085499A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910208219.3
申请日：2015-08-19
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本申请涉及利用增强源技术进行磷或砷离子植入。本发明描述使用固体掺杂剂磷及砷源及较高阶磷或砷植入源材料的设备及方法。在各种实施方案中，在离子源室中提供固体含磷或含砷材料以用于产生二聚物或四聚物植入物质。在其它实施方案中，通过使用反应器来分解气态含磷或含砷材料以形成用于离子植入的气相二聚物及四聚物而增强离子植入。
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公开(公告)号：CN107004550B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201580066887.7
申请日：2015-10-27
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J27/02 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种离子源设备，其以使得能够采用低蒸气压掺杂剂源材料的方式生成掺杂剂物种。所述离子源设备(10)包括：离子源腔室(12)；及在所述离子源腔室(12)中或与所述离子源腔室(12)相关联的可消耗结构，所述可消耗结构包括固体掺杂剂源材料，其易于与反应性气体发生反应以将气态形式的掺杂剂释放到所述离子源腔室。举例来说，所述可消耗结构是掺杂剂气体馈送管线(14)，其包括具有由固体掺杂剂源材料形成的内部层的管道或导管。
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公开(公告)号：CN105392870B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201480040791.9
申请日：2014-05-15
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: G05D11/035 , G05D11/02 , G05D11/13 , C10J3/00
Abstract: 本发明描述了用组成气体来填装气体混合物供应容器以得到精确组成的气体混合物的方法，其中所述气体混合物包含至少两种组成气体。可以采用级联填装技术，包括使气体从单个源容器流至多个目标容器，或从多个源容器流至单个目标容器。所述方法可用以形成用于离子注入应用的掺杂气体混合物，如三氟化硼和氢气的混合物。
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公开(公告)号：CN104813095B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201380060894.7
申请日：2013-09-20
Applicant: 恩特格里斯公司
CPC classification number: F17C13/12 , F17C13/04 , F17C2201/0104 , F17C2205/0326 , F17C2205/0329 , F17C2205/0335 , F17C2205/0338 , F17C2205/0344 , F17C2205/035 , F17C2205/0382 , F17C2205/0391 , F17C2221/012 , F17C2221/013 , F17C2221/015 , F17C2221/016 , F17C2227/045 , F17C2250/0626 , F17C2270/0518 , Y02E60/321 , Y10T137/7795
Abstract: 一种流体供给封装包，包括：一个压力调节流体贮存和分配容器，一个阀头，适于分配来自该容器的流体，以及一个抗压力尖峰组件，适于对抗在流体分配的初期来自所述阀头的流体的流动中的压力尖峰。
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