公开(公告)号：CN103715249A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310394830.2

申请日：2013-09-03

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治 ,  山田敦史 ,  石黑哲郎 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供化合物半导体器件及其制造方法。具体而言，提供一种AlGaN／GaN HEMT，其包括：电子渡越层；形成在电子渡越层上方的电子供给层；以及形成在电子供给层上方的栅电极，其中仅在电子渡越层的包含在栅电极下方区域中的位置处形成有p型半导体区域。

公开(公告)号：CN103229283A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201080070366.6

申请日：2010-11-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  宫岛豊生 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁 ,  今西健治 ,  吉川俊英 ,  渡部庆二

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，其特征在于，具有：第一半导体层，形成在基板上，第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，源电极以及漏电极，以与上述第一半导体层或者上述第二半导体层接触的方式形成，开口部，形成在上述第一半导体层上，绝缘膜，形成在上述第二半导体层的上方以及上述开口部的内部表面，栅电极，隔着上述绝缘膜形成在上述开口部内，保护膜，形成在上述绝缘膜上；上述保护膜包括将碳作为主要成分的非结晶膜。

公开(公告)号：CN102637587A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210032005.3

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  今西健治

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L29/66462 ,  C11D11/0041 ,  C23C16/4405

Abstract: 一种用于半导体制造设备的清洗设备包括：氧化物移除装置，其移除粘附于半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物；以及沉积物移除装置，其在通过氧化物移除装置移除表面上的氧化物之后移除沉积物。

公开(公告)号：CN102487080A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110342604.0

申请日：2011-10-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/201 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种化合物半导体器件，其中设置有：第一AlGaN层，形成在衬底的上方；第二AlGaN层，形成在第一AlGaN层的上方；电子渡越层，形成在第二AlGaN层的上方；以及电子供应层，形成在电子渡越层的上方。当第一AlGaN层的构成由Alx1Ga1-x1N表示，第二AlGaN层的构成由Alx2Ga1-x2N表示时，“0≤x1＜x2≤1”的关系成立。存在于AlGaN层的上表面的负电荷多于存在于AlGaN层的下表面的正电荷。根据本发明的化合物半导体器件，在电子渡越层的下方设置有其中电荷被适当分布的第二AlGaN层，因此可以容易地进行常关操作。

公开(公告)号：CN1137688A

公开(公告)日：1996-12-11

申请号：CN96105106.X

申请日：1996-04-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/72 ,  H01L29/80 ,  H01L21/331 ,  H01L21/22 ,  H01L21/24

CPC classification number: H01L29/66318 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7783

Abstract: 一种制作半导体器件的方法包括用MOVPE工艺沉积具有第一导电类型的第一化合物半导体层(14，25)的步骤、采用由于气体掺杂剂的分解实施的平面掺杂工艺使第一化合物半导体层(15，16)的表面掺杂成同样的第一导电类型，这样在平面掺杂工艺期间不出现第一化合物半导体层的明显生长以及在第一化合物半导体晶层的掺杂表面上用MOVPE工艺沉积第一导电类型的第二化合物半导体层(16，27)。

公开(公告)号：CN103035696B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210264652.7

申请日：2012-07-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫岛丰生 ,  今西健治 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法。在Si衬底上形成化合物半导体多层结构。化合物半导体多层结构包括电子传输层、形成在电子传输层上方的电子供给层、以及形成在电子供给层上方的覆盖层。覆盖层包含在与电子传输层和电子供给层相同的方向上自发极化的第一晶体和在与电子传输层和电子供给层的自发极化方向相反的方向上自发极化的第二晶体，以及覆盖层包含p型掺杂剂。

公开(公告)号：CN103367425A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310100371.2

申请日：2013-03-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L23/49562 ,  H01L29/10 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法。在化合物半导体器件的实施方案中，所述化合物半导体器件包括：衬底；形成在衬底之上的电子传输层和电子供给层；形成在电子供给层之上的栅电极、源电极和漏电极；形成在电子供给层和栅电极之间的p型半导体层；以及形成在电子供给层和p型半导体层之间的空穴消除层，空穴消除层包含施主或复合中心并且消除空穴。

公开(公告)号：CN103035696A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210264652.7

申请日：2012-07-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫岛丰生 ,  今西健治 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法。在Si衬底上形成化合物半导体多层结构。化合物半导体多层结构包括电子传输层、形成在电子传输层上方的电子供给层、以及形成在电子供给层上方的覆盖层。覆盖层包含在与电子传输层和电子供给层相同的方向上极化的第一晶体和在与电子传输层和电子供给层的极化方向相反的方向上极化的第二晶体。

公开(公告)号：CN102832231A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210200070.2

申请日：2012-06-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今西健治

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/458 ,  H03F3/189

CPC classification number: H03F1/3247 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/33592 ,  H03F2200/204 ,  H03F2200/541 ,  Y02B70/1475

Abstract: 一种包括衬底和化合物半导体多层结构的化合物半导体器件，该化合物半导体多层结构形成在衬底上并且包含含有第III族元素的化合物半导体，其中所述化合物半导体多层结构具有10μm或更小的厚度，并且铝原子的百分比为第III族元素的原子数的50％或更多。

公开(公告)号：CN102569378A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110402804.0

申请日：2011-12-02

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水早苗 ,  今西健治 ,  山田敦史 ,  宫岛豊生

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/201 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：衬底；电子渡越层，形成在衬底的上方；电子供应层，形成在电子渡越层的上方；以及缓冲层，形成在衬底与电子渡越层之间且包括AlxGa1-xN(0≤x≤1)，其中，x值表示沿缓冲层的厚度方向的多个最大值和多个最小值，并且在缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中x的变化为0.5或更小。本发明具有良好的结晶度。