公开(公告)号：CN102034859B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201010501758.5

申请日：2010-09-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 金村雅仁 ,  吉川俊英

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及具有由氮化物半导体的化合物半导体组成的通道层和电子供体层的化合物半导体装置及其制造方法。在通道层和电子供体层之间形成由i-AlN组成的中间过渡层，当使用中间过渡层作为蚀刻阻挡件时，在电子供体层稍后将形成栅极的位置处形成第一开口，通过使用热磷酸溶液的湿法蚀刻，在中间过渡层形成第二开口，以便与第一开口位置对齐，并形成栅极，使得栅极的下部填充第一开口和第二开口，同时栅极绝缘膜置于第一开口、第二开口与栅极之间，并使得栅极的头部伸出盖结构之上。

公开(公告)号：CN102646702A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210035488.2

申请日：2012-02-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  宫岛丰生 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁 ,  今西健治 ,  吉川俊英 ,  渡部庆二

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01J37/32055 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32669 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903

Abstract: 本发明提供一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：形成在基板上方的半导体层；形成在半导体层上方的绝缘膜；以及形成在绝缘膜上方的电极，其中绝缘膜包括含有碳的非晶膜。