公开(公告)号：CN102637587A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210032005.3

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  今西健治

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L29/66462 ,  C11D11/0041 ,  C23C16/4405

Abstract: 一种用于半导体制造设备的清洗设备包括：氧化物移除装置，其移除粘附于半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物；以及沉积物移除装置，其在通过氧化物移除装置移除表面上的氧化物之后移除沉积物。

公开(公告)号：CN104425584B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201410347680.4

申请日：2014-07-21

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/15

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/151 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开涉及半导体装置。根据本公开的半导体装置包括：在衬底上形成的超晶格缓冲层。在超晶格缓冲层上由氮化物半导体形成第一半导体层。在第一半导体层上由氮化物半导体形成第二半导体层。在第二半导体层上形成栅极电极、源极电极和漏极电极。通过交替地和周期性地层叠第一超晶格形成层和第二超晶格形成层来形成超晶格缓冲层。第一超晶格形成层由AlxGa1‑xN形成而第二超晶格形成层由AlyGa1‑yN形成，其中满足关系x>y。掺杂到部分或全部第二超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度高于掺杂到第一超晶格形成层中的用作受主的杂质元素的浓度。

公开(公告)号：CN103715245B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201310329317.5

申请日：2013-07-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/155 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供半导体装置，所述半导体装置包括：形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的SLS(应变层超晶格)缓冲层；形成在SLS缓冲层上并且由半导体材料形成的电子渡越层；以及形成在电子渡越层上并且由半导体材料形成的电子供给层。此外，缓冲层由AlGaN形成并且包括具有不同Al组成比的两层或更多层，SLS缓冲层通过将包括AlN的第一晶格层和包括GaN的第二晶格层交替地层叠而形成，并且缓冲层中的各层中与SLS缓冲层接触的一层中的Al组成比大于或等于SLS缓冲层中的Al有效组成比。

公开(公告)号：CN103545361B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310209732.7

申请日：2013-05-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小谷淳二 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/201 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H02M3/28 ,  H02M3/335 ,  H03F1/3247 ,  H03F3/16

Abstract: 本发明涉及化合物半导体器件及其制造方法、电源装置和高频放大器。所述化合物半导体器件包括：包括有由AlN构成的第一缓冲层和由AlGaN构成并且形成在第一缓冲层上方的第二缓冲层的化合物半导体多层结构，其中第二缓冲层包含碳，以及其中第二缓冲层中的碳浓度随着从第二缓冲层的下表面向第二缓冲层的上表面的距离增加而增加。

公开(公告)号：CN103035696B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210264652.7

申请日：2012-07-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫岛丰生 ,  今西健治 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法。在Si衬底上形成化合物半导体多层结构。化合物半导体多层结构包括电子传输层、形成在电子传输层上方的电子供给层、以及形成在电子供给层上方的覆盖层。覆盖层包含在与电子传输层和电子供给层相同的方向上自发极化的第一晶体和在与电子传输层和电子供给层的自发极化方向相反的方向上自发极化的第二晶体，以及覆盖层包含p型掺杂剂。

公开(公告)号：CN102487079B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201110342603.6

申请日：2011-10-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  中村哲一 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H02M5/10 ,  H03F3/189

CPC classification number: H01L29/7788 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H03F1/3247

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法，该方法在包括电极沟槽的内壁表面的化合物半导体层的表面上，去除由于为了形成电极沟槽所进行的干蚀刻而产生的蚀刻残留物和变质物，并且用氟来终止化合物半导体。经由栅绝缘膜将栅极金属埋置在电极沟槽中，或者将栅极金属直接地埋置在电极沟槽中，从而形成栅极。本发明的化合物半导体器件能够提供高的晶体管特性：其化合物半导体层的表面上的悬空键被大大减少，由此阈值电压经历较小的变化并较稳定。

公开(公告)号：CN103715246A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310349467.2

申请日：2013-08-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 石黑哲郎 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778

Abstract: 本发明涉及半导体装置，其包括：衬底；形成在衬底上的缓冲层；形成在缓冲层上的应变层超晶格缓冲层；在应变层超晶格缓冲层上的由半导体材料形成的电子渡越层；以及在电子渡越层上的由半导体材料形成的电子供给层，该应变层超晶格缓冲层为包含AlN的第一晶格层和包含GaN的第二晶格层的交替堆叠体，该应变层超晶格缓冲层掺杂有选自Fe、Mg和C中的一种、两种或更多种杂质。

公开(公告)号：CN103035696A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210264652.7

申请日：2012-07-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 宫岛丰生 ,  今西健治 ,  山田敦史 ,  中村哲一

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体器件和用于制造化合物半导体器件的方法。在Si衬底上形成化合物半导体多层结构。化合物半导体多层结构包括电子传输层、形成在电子传输层上方的电子供给层、以及形成在电子供给层上方的覆盖层。覆盖层包含在与电子传输层和电子供给层相同的方向上极化的第一晶体和在与电子传输层和电子供给层的极化方向相反的方向上极化的第二晶体。

公开(公告)号：CN102651308A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210042246.6

申请日：2012-02-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  武田正行 ,  中村哲一 ,  今纯一

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/335 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/67057 ,  H01L29/66462

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法和清洁半导体衬底的方法，所述制造半导体器件的方法包括：以表面相对于垂直方向和水平方向倾斜的方式保持半导体衬底；以及将半导体衬底浸没在含有酸的清洁溶液中。

公开(公告)号：CN102646704A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210033132.5

申请日：2012-02-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  渡部庆二

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L23/29 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、电源装置、放大器以及制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：形成在衬底上方的半导体层；形成在半导体层上的绝缘膜；和形成在绝缘膜上的电极。绝缘膜在半导体层一侧的膜应力低于在电极一侧的膜应力。