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公开(公告)号：CN115012031A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210686166.8
申请日：2022-06-16
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及半导体生产技术领域，具体公开了一种外延设备镀膜厚度监控方法、装置、电子设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：获取反应腔输出尾气中的至少一种主反应气体和/或至少一种生成气体的输出浓度信息；根据所述输出浓度信息及至少一种所述主反应气体的输入浓度信息计算所述外延薄膜的沉积厚度信息；该方法基于输出浓度信息计算外延薄膜的沉积厚度信息，其中输出浓度信息能直接反映出不可视的反应腔中的薄膜沉积的反应速率，从而实现了沉积厚度信息的实时计算，便于用户控制反应生成预期厚度的外延片，以提高外延片的生产精度。
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公开(公告)号：CN114959889A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210748988.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延设备技术领域，具体提供了一种反应腔的温度补偿装置、系统及方法，所述外延设备包括所述反应腔和感应线圈，所述感应线圈螺旋设置在所述反应腔外，所述反应腔的外形为圆柱形，所述反应腔的温度补偿装置包括：温度补偿线圈，设置在所述反应腔外；水平驱动组件，与所述温度补偿线圈连接，用于驱动所述温度补偿线圈沿平行于所述反应腔的轴心线的方向位移；旋转组件，与所述水平驱动组件连接，用于驱动所述水平驱动组件旋转；该装置能够对温场分布不均匀对应的局部位置进行补偿加热，以使反应腔内的温场分布均匀。
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公开(公告)号：CN113960923B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111107914.4
申请日：2021-09-22
Applicant: 季华实验室
IPC: G05B13/02
Abstract: 本发明涉及自动化控制技术领域，具体公开了一种基于离散扩展状态观测器的无模型自适应滑模控制方法，该方法包括以下步骤：将带有外部扰动的离散非线性系统转换为仿射系统；采用自适应方法估计线性参数项，并采用离散扩展状态观测器估计未知非线性时变项；定义跟踪误差的收敛界，并将受收敛界约束的跟踪误差转化为无约束变量；根据无约束变量设计滑模函数；根据仿射系统和滑模函数设计控制器；该方法基于离散扩展状态观测器将原本带有外部扰动的离散非线性系统能转换为仿射系统，以实现系统的简化和重建，并实现带有外部扰动的离散非线性系统的闭环稳定控制。
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公开(公告)号：CN114068308A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210047359.9
申请日：2022-01-17
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L21/02 , H01L29/165
Abstract: 本申请涉及半导体器件领域，公开了一种用于硅基MOSFET器件的衬底及其制备方法，制备方法包括以下步骤：对Si衬底进行刻蚀；生长多晶3C‑SiC缓冲层；生长单晶3C‑SiC外延层；生长SiNx绝缘层，其中，x＞1；对Si衬底进行退火处理。本申请通过优化工艺及外延层组合，解决了Si/SiO2衬底耐受电压低的问题，提升了Si基MOSFET器件的性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN114032612A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111348403.1
申请日：2021-11-15
Applicant: 季华实验室
IPC: C30B25/16
Abstract: 本发明涉及权限控制技术领域，具体公开了一种外延设备的系统权限控制方法、装置、设备及存储介质，其中，方法包括以下步骤：在外延设备执行上料操作前，获取许可证的剩余可用时间；在剩余可用时间不足一个生长周期时，禁用上料操作的启动权限，生成续期提醒信息，并在加热组件及供气组件处于运行状态时，保持加热组件及供气组件正常运行；该方法在获知许可证的剩余可用时间不足一个生长周期时，发出续期提醒信息，避免用户未能及时续期而导致外延设备停机，同时禁用上料操作的启动权限，使得外延设备在该情况下不能继续进行上料，避免新的衬底置入反应腔内且用户未能及时进行许可证续期而导致该新的衬底生长失败的情况发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119265699B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411789664.0
申请日：2024-12-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延设备技术领域，具体提供了一种用于外延设备的温度补偿系统及方法，该系统包括：第一温度采集组件；第二温度采集组件；压力采集组件；流量采集组件；控制器，用于根据组分气体类型信息和预设转换关系获取各条进气通道的组分气体的自由系数信息，还用于根据进气压力信息、进气流量信息和进气温度信息获取各条进气通道的组分气体的单位时间气体摩尔数信息，还用于根据反应室温度信息、进气温度信息、所有自由系数信息和所有单位时间气体摩尔数信息计算热量总缺口，然后基于热量总缺口调节加热组件的功率；该系统能够有效地避免出现由于通入反应室的工艺气体会带走外延片的热量而导致外延片的温度发生波动或难以达到目标温度的情况。
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公开(公告)号：CN119265699A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411789664.0
申请日：2024-12-06
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延设备技术领域，具体提供了一种用于外延设备的温度补偿系统及方法，该系统包括：第一温度采集组件；第二温度采集组件；压力采集组件；流量采集组件；控制器，用于根据组分气体类型信息和预设转换关系获取各条进气通道的组分气体的自由系数信息，还用于根据进气压力信息、进气流量信息和进气温度信息获取各条进气通道的组分气体的单位时间气体摩尔数信息，还用于根据反应室温度信息、进气温度信息、所有自由系数信息和所有单位时间气体摩尔数信息计算热量总缺口，然后基于热量总缺口调节加热组件的功率；该系统能够有效地避免出现由于通入反应室的工艺气体会带走外延片的热量而导致外延片的温度发生波动或难以达到目标温度的情况。
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公开(公告)号：CN119221110A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411742042.2
申请日：2024-11-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及外延炉技术领域，具体提供了一种外延炉维护系统及方法，该系统包括：反应室；维护室；图像采集组件；传送室；控制器，用于在完成外延生长工艺后，控制第一开关阀打开，然后利用机械臂将上半月反应腔体移动至图像采集组件上方，还用于利用图像采集组件采集反应腔体底面图像信息，然后根据反应腔体底面图像信息获取沉积颗粒参数信息，并根据沉积颗粒参数信息和预设颗粒参数分析是否需要对上半月反应腔体进行维护，若是，则控制第一开关阀关闭，生成提醒维护信息；该系统能够有效地解决由于反应室内的石墨件和气路元件与空气接触而导致反应室内的石墨件和气路元件氧化的问题以及有效地提高维护效率。
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公开(公告)号：CN115125619B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202210815561.1
申请日：2022-07-12
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种外延片的冷却系统、方法、电子设备及存储介质，外延片的冷却系统用于对冷却室内的外延片进行吹扫冷却，包括旋转装置、监测装置、吹扫装置和控制器，控制器用于根据平面度信息和/或温度分布信息获取外延片的冷却异常区域；根据平面度信息和/或温度分布信息判断冷却异常区域是否靠近吹扫装置的送气端，并在冷却异常区域靠近吹扫装置的送气端时，调节吹扫装置的吹扫流量以消除冷却异常区域，通过本方案可实时监测外延片表面的温度及应力分布情况，从而消除已发生翘曲的区域，且能预防外延片发生翘曲。
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公开(公告)号：CN115481538A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202211173620.6
申请日：2022-09-26
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F113/08 , G06F119/02 , G06F119/12
Abstract: 本申请涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种外延设备反应腔排气结构的寿命预测方法、设备及介质；该方法用于预测外延设备排气结构中的蝶阀的橡胶圈剩余使用寿命以获取排气结构可使用时间，方法包括以下步骤：获取反应腔内排出的气体流量信息、气体组分信息；根据气体流量信息、气体组分信息、排气结构管路半径获取反应气体的气体常数信息；根据气体常数信息、反应类型信息、反应温度信息获取老化反应速率常数信息；根据老化反应速率常数信息及橡胶圈老化常数获取橡胶圈疲劳变化参数关于时间的疲劳模型；基于疲劳模型根据橡胶圈使用时长、预设的疲劳极限信息计算橡胶圈的剩余使用寿命，该方法能有效预测蝶阀的橡胶圈剩余使用寿命。
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