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公开(公告)号：CN118070563A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410464299.X
申请日：2024-04-17
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种变形几何激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取表面设置有镀层模型的相变材料模型，设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数，根据激光烧蚀过程的传热特征和几何结构变形特征，设置固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过固体传热物理场和基于阶跃函数改进的变形几何场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN117047104A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311240776.6
申请日：2023-09-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及加热工装技术领域，具体而言，涉及一种分子束源炉用的加热体的制备方法，制备金属浆料和两片陶瓷生胚；将所述金属浆料印刷在第一片所述陶瓷生胚的表面，以得到导电线路；将第二片所述陶瓷生胚层叠在第一片所述陶瓷生胚印刷有所述金属浆料的表面上，形成层叠体，将所述层叠体卷成圆筒形并通过热压机进行热压，得到第一样品；将所述第一样品进行烧结，得到加热体；无需通过人工缠绕加热丝，制作简单，适合大批量生产，有效降低生产成本。
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公开(公告)号：CN116500054B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310758442.1
申请日：2023-06-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种Micro‑LED的检测装置，包括：箱体、送料机构、夹盘机构；箱体的内壁上设置有测试组，测试组包括多个激光发生部和多个第一激光接收端；夹盘机构包括第一固定架、第一夹盘和多个第二激光接收端，第一夹盘和多个第二激光接收端均设置在第一固定架上，第一夹盘用于夹取晶圆，夹盘机构与送料机构连接，送料机构用于驱动第一固定架以将晶圆送至箱体内；多个激光发生部用于向晶圆提供不同角度的激光照射，每个第一激光接收端和每个第二激光接收端均用于接收至少两个激光发生部照射并由晶圆反射的反射光，从而使晶圆的整体检测效果更加准确。
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公开(公告)号：CN116306058B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310608061.5
申请日：2023-05-26
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/02
Abstract: 本申请属于分析坩埚热应力技术领域，公开了一种坩埚热应力的影响分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取坩埚的第一结构参数和加热物料的第二结构参数，通过仿真软件，构建对应的内置物料模型的坩埚模型，确定坩埚模型和物料模型为黏附接触关系，并设置坩埚模型和物料模型的材料参数、塑性节点和热膨胀条件，确定热膨胀应变数据的计算方程，基于上述条件和数据，结合预设的温度条件、预设的模型划分条件和预设的求解器设置，计算不同情况下坩埚模型的热应力分布数据，得到不同情况对于坩埚热应力的影响分析结果数据，通过设置黏附接触关系并添加塑性节点，模拟不同情况的热应力分析，提高了分析坩埚热应力的效率和准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116500054A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310758442.1
申请日：2023-06-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种Micro‑LED的检测装置，包括：箱体、送料机构、夹盘机构；箱体的内壁上设置有测试组，测试组包括多个激光发生部和多个第一激光接收端；夹盘机构包括第一固定架、第一夹盘和多个第二激光接收端，第一夹盘和多个第二激光接收端均设置在第一固定架上，第一夹盘用于夹取晶圆，夹盘机构与送料机构连接，送料机构用于驱动第一固定架以将晶圆送至箱体内；多个激光发生部用于向晶圆提供不同角度的激光照射，每个第一激光接收端和每个第二激光接收端均用于接收至少两个激光发生部照射并由晶圆反射的反射光，从而使晶圆的整体检测效果更加准确。
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公开(公告)号：CN115993371A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202310291080.X
申请日：2023-03-23
Applicant: 季华实验室
IPC: G01N21/95 , H01L21/66 , H01L21/683 , H01L33/00
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种Micro‑LED‑Wafe外观检测装置及方法，Micro‑LED‑Wafe外观检测装置通过在圆筒罩底部设置有第一喷气口，由第一喷气装置将气体从第一喷气口喷出以使晶圆悬浮于圆筒罩中，通过在圆筒罩的周壁上均匀设置有多组第二喷气口，由第二喷气装置将气体从各第二喷气口喷出以保持晶圆位于圆筒罩的轴心线上，并由第一摄像头组和第二摄像头组对晶圆的表面图像进行拍摄，从而，无需对晶圆进行夹持也能实现对晶圆的全面检测，而且各个摄像头与晶圆之间不存在除空气以外的其他介质，减少了由于其它中间介质的存在而导致的检测误差，从而保证了检测结果的准确性。
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公开(公告)号：CN115673184A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211399743.1
申请日：2022-11-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及加热工装技术领域，具体涉及一种分子束外延源炉加热丝缠绕工装及缠绕方法,加热丝缠绕工装包括：固定柱、第一固定板、第二固定板、第一旋转环和第二旋转环；第一固定板和第二固定板相互平行并分别可拆卸地与固定柱的两端连接，第一固定板和第二固定板的周面均间隔环布有多个定位凹槽，且各个定位凹槽沿厚度方向贯通第一固定板或第二固定板的两个侧面；第一旋转环和第二旋转环分别可转动且可拆卸地设置在第一固定板和第二固定板的周面上，第一旋转环和第二旋转环均设置有一个开口，开口贯通第一旋转环或第二旋转环的内外周面，开口的大小与定位凹槽相适配；降低加热丝产生塑性变形的几率，有效保证分子束外延源炉的温度场分布均匀。
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公开(公告)号：CN115386856A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211279601.1
申请日：2022-10-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法，属于真空计领域，金刚石薄膜电容制造方法包括以下步骤：在两片衬底的正面沉积金刚石；其中一片衬底直接沉积得到第一部件，另一片衬底用金属环包围外沿后沉积得到第二部件；取下金属环，并去除第一部件和第二部件背面的衬底；在第二部件一面的中央和第一部件背面的中央沉积金属层；在金属层上焊上导线，且在第一部件或在第二部件上开设导线通孔；将第一部件和第二部件金属层相对且不接触地盖合；在第二部件朝上的状态下沉积金刚石，得到高精度、耐腐蚀的金刚石薄膜电容，用于真空计中可以有效降低弹性后效和弹性滞后引起的测量精度不高的问题。
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公开(公告)号：CN114659706B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210544153.7
申请日：2022-05-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于真空计量技术领域，公开了一种真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统，通过获取内环电容产生的第一电压信号和外环电容产生的第二电压信号；分别对所述第一电压信号和所述第二电压信号进行峰值检测处理，得到第一峰值信号和第二峰值信号；对所述第一峰值信号和所述第二峰值信号进行差分处理，得到电压差值信号；对所述电压差值信号进行计算处理，得到真空度检测结果，其中差分处理可以减少信号干扰，提高检测精度，从而保证真空度检测结果的可靠性。
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