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公开(公告)号：CN115020180A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210647899.0
申请日：2022-06-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种自动阻抗匹配方法、装置、系统、电子设备及存储介质，用于匹配反应腔室中的阻抗，所述一种自动阻抗匹配方法包括以下步骤：获取所述等离子体的阻抗信息；获取所述等离子体的阻抗标准表，所述阻抗标准表包括多个根据所述等离子体阻抗变化情况划分的工作状态区间，所述阻抗标准表为根据所述等离子体的在前活化过程生成；根据所述阻抗标准表及所述阻抗信息获取所述等离子体的当前工作状态；根据所述当前工作状态调节阻抗匹配箱的阻抗以进行阻抗匹配，本申请通过先采集后匹配的方法，实现阻抗的自适应快速匹配，同时该自适应匹配方法可适用于多个平台。
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公开(公告)号：CN117907667A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410322201.7
申请日：2024-03-20
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及射频电源采样领域，具体而言，涉及一种采集装置，采集装置包括导线和外壳，导线的一端与射频电源的输出端连接，另一端连接负载电路，外壳具有圆柱形的腔体，导线穿过腔体中心且与外壳同轴设置，并不与外壳接触，外壳接地；采集装置还包括同轴探头和电流采样线；同轴探头设置在腔体外部，其包括：线圈，其第一端穿过外壳、垂直于导线轴向并进入腔体，其第二端接地；电流采样线的第一端输出采样电流信号，第二端接地。本申请的采集装置能解决现有的射频电源电流采样方法采样得到的信号波形畸变严重的问题，能达到基于外壳的屏蔽作用使腔体内部通过导线的电流信号不对在腔体外部进行的电流采样过程产生干扰的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117434350B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311761201.9
申请日：2023-12-20
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及阻抗检测领域，具体而言，涉及一种阻抗相位获取方法、阻抗检测方法、芯片、设备和介质，其中阻抗相位获取方法包括：获取采样电压信号和采样电流信号；对采样电压信号进行正交化处理，对采样电流信号进行正交化处理；提取两个相互正交的电压正交分量信息，提取两个相互正交的电流正交分量信息；进行反正切或反余切运算，获取电压相位信息和电流相位信息；根据电压相位信息和电流相位信息的差值获取阻抗相位信息。本申请的阻抗相位获取方法能解决二极管相位检测电路和二极管幅值检测电路对电路中的元件限制多，导致该两种电路普适性低的问题，对电路中的元件限制少且普适性高。
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公开(公告)号：CN116184029B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310472152.0
申请日：2023-04-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种阻抗检测电路、方法、阻抗匹配器及匹配调节方法，其中，阻抗检测电路用于检测阻抗匹配器中负载端的相位信息和幅值信息，阻抗检测电路包括二极管相位检测电路和二极管幅值检测电路，二极管相位检测电路用于获取相位信息，二极管幅值检测电路用于获取幅值信息，在阻抗匹配过程中，实时测量相位信息输出电阻的电压以及幅值信息输出电阻的电压，当测得的相位信息和幅值信息均为0时，则表示匹配完成，该检测方式无需对阻抗进行实时测量，仅需测量相位信息输出电阻的电压以及幅值信息输出电阻的电压即可，从而降低检测难度，提高检测效率。
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公开(公告)号：CN115882806A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310148699.5
申请日：2023-02-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及一种射频电源自动阻抗匹配装置、系统以及方法，射频电源自动阻抗匹配装置包括：控制模块、至少一个检测模块和至少一个阻抗匹配模块；阻抗匹配模块用于与射频电源电连接；检测模块与阻抗匹配模块的输入端一一对应电连接；阻抗匹配模块的输出端用于与负载一一对应电连接；检测模块用于获取传输至阻抗匹配模块的电压信号和电流信号；控制模块用于根据电压信号和电流信号确定阻抗匹配模块所在支路的信号传输的反射系数，根据反射系数调节阻抗匹配模块的电容值。本公开实现了射频电源和负载之间的实时阻抗匹配，减少射频电源所发送的信号的损耗，从而实现高效的能量传输。
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公开(公告)号：CN114123734A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210093322.X
申请日：2022-01-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及无线能量传输领域，公开了一种基于移相全桥拓扑的栅极控制电路，包括:移相输出模块和固定输出模块，所述移相输出模块包括移相比较模块、时延模块和占空比调节模块；所述移相比较模块的输出端和所述时延模块的输出端均与所述占空比调节模块的输入端连接；所述移相比较模块用于调整标准PWM信号的占空比；所述时延模块用于调整标准PWM信号的延时时间；所述占空比调节模块用于将被调整了占空比和延时时间的PWM信号进行进一步调整，以得到具有50%占空比的PWM信号；所述固定输出模块用于输出标准PWM信号，所述移相输出模块用于输出经过移相的PWM信号；本发明具有信号传输逻辑直观、响应速度快等有益效果。
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公开(公告)号：CN112501586A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011140464.4
申请日：2020-10-22
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C16/448 , C23C16/505 , C23C16/511 , C23C16/08 , H01L29/45
Abstract: 本发明公开一种高纯度金属薄膜的制备方法及制备装置和半导体芯片，其中，包括以下步骤：将金属颗粒或粉状物置于真空室内；通入高纯卤族气体与金属颗粒或粉状物在常温下进行反应；对反应得到的卤化金属气体进行吸附过滤；利用卤化金属气体与杂质的沸点差别进行精馏提纯；将提纯后的卤化金属气体与高纯氢气分别通入等离子体增强化学气相沉积镀膜设备腔室内，在半导体衬底上沉积金属薄膜。本发明方法过程简单，成本低，对原材料的纯度要求低，获得原材料容易，同时可有效提高难熔金属薄膜的纯度。
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