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公开(公告)号：CN104716058A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510068044.2
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/60 , H01L33/62 , H01L23/488
CPC classification number: H01L24/03 , H01L23/488 , H01L24/04 , H01L33/62 , H01L2224/03 , H01L2224/04105
Abstract: 一种倒装芯片用全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构，在芯片上制备第一金属焊盘、第一可焊层和钎料凸点，在基板上制备第二金属焊盘和第二可焊层，在第二可焊层的表面涂覆焊剂，将钎料凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，对该组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，在第一金属焊盘和第二金属焊盘之间形成温度梯度ΔT/Δd，直至钎料凸点熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物。本发明在钎焊回流时形成温度梯度，加速了金属间化合物的生长速率，提高了全金属间化合物互连焊点的制备效率；与半导体和封装技术工艺兼容性好，金属间化合物具有择优取向和热稳定性，提高了焊点的力学性能和服役可靠性，实现低温互连高温服役。
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公开(公告)号：CN104651898A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510065103.0
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D11/00
Abstract: 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将涂覆焊剂的第一钎料金属层第二金属基底对准接触放置，形成一个组合体；组合体加热至所需温度下进行钎焊回流，同时施加电流密度I/S的直流电流，直至钎料金属层熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，去除残余第二金属基底，得到金属间化合物薄膜。本发明在钎焊回流时施加直流电流形成电流密度，加速了金属间化合物的形成速率，且形成的金属间化合物可为单晶或具有单一取向；实现金属间化合物薄膜的低温制备，薄膜致密表面平整，成膜质量好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120060938A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510237655.9
申请日：2025-03-03
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D3/32
Abstract: 本发明公开了一种中性光亮镀锡电镀液及其制备方法与应用，电镀液由锡盐、锡络合剂、光亮剂、分散剂和pH缓冲剂组成；锡盐的摩尔浓度为0.10mol/L～0.40mol/L；锡络合剂为巯基乙酸及其盐；光亮剂为黄酮醇类物质；分散剂为壬基酚聚氧乙烯醚类物质；中性光亮镀锡电镀液的pH为6.0～8.0。本发明提供的电镀液具有较高的稳定性和使用寿命，析氢现象较小，组分简单，易于管理，通过各组分之间的协同作用提高了电镀液的分散能力、覆盖能力，从而有效保证电镀制备的镀锡件性能，镀锡件结合性良好、孔隙率低、均匀致密、外观光亮，有利于在电子元件或机械制造技术中的应用。
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公开(公告)号：CN119857962A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510182017.1
申请日：2025-02-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高可靠性低温Sn‑Bi基无铅钎料合金，所述合金基于包含β‑Sn(Bi)固溶体相的亚共晶双团簇模型，合金成分按质量百分比计，包括38.2 %的Bi，3.7~4.0 %的In，0~1.0 %的Ag，0~0.8 %的Cu，余量为Sn；所述合金的亚共晶双团簇模型，包含β‑Sn(Bi)固溶体相的结构单元为[Sn‑Sn10] Bi3Sn1，亚共晶双团簇解析式表述为：8[Sn‑Sn10] Bi3In1 + 2[Sn‑Sn10] Bi3Sn1 + 1[Bi‑Bi6] Bi5=Sn112Bi42In8=Sn‑38.2Bi‑3.9In。本发明的低温钎料具有熔点较低、塑性韧性高等优点，具有较高的剪切强度，且能够匹配当前工业用低温回流工艺，适合作为新型低温钎料应用在消费类电子产品或新型太阳能电池等低温钎焊的应用场景。
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公开(公告)号：CN117626367A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311660092.1
申请日：2023-12-05
Applicant: 大连理工大学
IPC: C25D3/60 , C25D7/12 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种高稳定性Sn‑Ag合金电镀液及其制备方法和应用，属于电镀技术领域。所述Sn‑Ag合金电镀液包含如下组分：有机酸、锡离子源、银离子源、含硫吡啶类物质、氨基酸、抗氧化剂。其中所述含硫吡啶类物质具有单硫键或双硫键。该Sn‑Ag合金电镀液具有高稳定性，可在室温下稳定存放及连续使用6个月以上，具有较宽的电流密度窗口和较高的电流效率，实现微纳尺度晶圆级平整致密的Sn‑Ag微凸点的制备，可应用于高密度集成电路芯片互连制造中。
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公开(公告)号：CN104690383B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510069883.6
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构，第一衬底上制备单晶或择优取向第一金属焊盘和钎料凸点，第二衬底上制备第二金属焊盘和可焊层，将钎料凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，对该组合体在所需温度下进行钎焊回流，同时施加电流密度I/S的直流电流，并使电流方向由第一金属焊盘指向第二金属焊盘，直至钎料凸点熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，形成单一取向金属间化合物互连焊点。本发明的方法不仅加速了金属间化合物的形成速率，显著提高制作效率，而且形成的金属间化合物为单一取向，提高了焊点的力学性能和服役可靠性，与半导体和封装技术工艺有良好的兼容性，实现了低温互连高温服役。
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公开(公告)号：CN104690383A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510069883.6
申请日：2015-02-09
Applicant: 大连理工大学
CPC classification number: B23K1/0008 , B23K3/00 , B23K3/08
Abstract: 一种全金属间化合物互连焊点的制备方法及结构，第一衬底上制备单晶或择优取向第一金属焊盘和钎料凸点，第二衬底上制备第二金属焊盘和可焊层，将钎料凸点和第二金属焊盘一一对准、接触放置，形成一个组合体，对该组合体在所需温度下进行钎焊回流，同时施加电流密度I/S的直流电流，并使电流方向由第一金属焊盘指向第二金属焊盘，直至钎料凸点熔化后发生钎焊反应全部转变为金属间化合物，形成单一取向金属间化合物互连焊点。本发明的方法不仅加速了金属间化合物的形成速率，显著提高制作效率，而且形成的金属间化合物为单一取向，提高了焊点的力学性能和服役可靠性，与半导体和封装技术工艺有良好的兼容性，实现了低温互连高温服役。
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