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公开(公告)号:CN103918024A
公开(公告)日:2014-07-09
申请号:CN201280048649.X
申请日:2012-07-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G09G3/3677 , G02F1/136213 , G09G3/3614 , G09G3/3655 , G09G2300/0876 , G09G2330/023 , G11C19/28
Abstract: 提供减少功耗的CS驱动方式的液晶显示装置。CS驱动器(500)包括CS移位寄存器(510)和CS输出部(520)。CS移位寄存器(510)基于CS时钟信号CCK输出控制信号(COUT(1)~COUT(m))。CS输出部(520)基于控制信号(COUT(1)~COUT(m))分别输出辅助电容信号(CSS(1)~CSS(m))。在扫描期间(T1)之后设有中止期间(T2)。在中止期间(T2),基于中止期间CS频率(fcck2)的CS时钟信号(CCK)而驱动CS驱动器(500)。中止期间CS频率(fcck2)比扫描期间CS频率(fcck1)低。
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公开(公告)号:CN103794511A
公开(公告)日:2014-05-14
申请号:CN201310526469.4
申请日:2013-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及显示装置以及电子设备,本发明的目的之一是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的一个方式的显示装置包括:像素部104;以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106,其中所述像素部包括:像素晶体管252;覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第一绝缘膜124;设置在所述第一绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126;以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130,所述驱动电路部包括:对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250;覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘膜;以及形成在所述第一绝缘膜上的所述第二绝缘膜,并且,所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。
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公开(公告)号:CN103238177A
公开(公告)日:2013-08-07
申请号:CN201280003994.1
申请日:2012-08-29
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G06F1/3265 , G09G3/3618 , G09G2330/021 , G09G2330/022 , G09G2340/0435 , G09G2360/18 , G09G2370/08
Abstract: 提供能基于发送的指令所包含的视频数据来以较小的功耗显示变化较小的图像的显示装置及其驱动方法。显示定时控制器(31)按照每1帧期间判断在从外部发送的指令中是否包含更新的视频数据。其结果是,在判断为不包含更新的视频数据的情况下,不进行由帧存储器(36)保存的视频数据的读出并停止画面的刷新。另外,在判断为包含更新的视频数据的情况下,读出由帧存储器(36)保存的视频数据并进行画面的刷新。
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公开(公告)号:CN108174620B
公开(公告)日:2020-08-28
申请号:CN201680060325.6
申请日:2016-10-07
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 扫描天线具有:TFT基板(104),其具有第一电介质基板(51)、多个TFT、多根栅极总线、多根源极总线、及多个贴片电极;插槽基板(204),其具有第二电介质基板(1)、及形成于第二电介质基板的第一主表面上的插槽电极(55);液晶层,其设置于TFT基板与插槽基板之间;以及反射导电板,以隔着电介质层而与第二电介质基板(1)的与第一主面为相反侧的第二主面相对的方式配置,插槽电极(55)具有对应于多个贴片电极而配置的多个插槽(57)和将插槽电极(55)分割成两个以上的部分(55S)的凹槽(84),TFT基板(104)具有与凹槽(84)相对配置的相对金属部(91),从第一电介质基板的法线方向观察时,凹槽(84)由遍及其宽度方向的相对金属部(91)覆盖。
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公开(公告)号:CN108140945B
公开(公告)日:2020-07-07
申请号:CN201680058659.X
申请日:2016-10-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单元U的扫描天线,包括:TFT基板(101),其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线、及贴片电极(15);插槽基板(201),其具有第二电介质基板(51)、及形成于第二电介质基板的第一主面上的插槽电极(55);液晶层LC,其设置于TFT基板与插槽基板之间;以及反射导电板(65),其以隔着电介质层(54)而与第二电介质基板(51)的与第一主面为相反侧的第二主面相对的方式配置;插槽电极具有分别对应于贴片电极而配置的插槽,贴片电极分别连接于对应的TFT的漏极,在由从对应的TFT的栅极总线供给的扫描信号所选择的期间内,从对应的源极总线供给数据信号,施加到贴片电极的电压的极性反转的频率为300Hz以上。
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公开(公告)号:CN107210534B
公开(公告)日:2018-10-09
申请号:CN201680006409.1
申请日:2016-10-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01Q13/22 , H01L29/786 , H01P1/18 , H01Q3/34 , H01Q3/44
Abstract: TFT基板(101)具有排列在电介质基板(1)上的多个天线单位区域(U),包含发送接收区域和非发送接收区域,发送接收区域包含多个天线单位区域,非发送接收区域位于发送接收区域以外的区域,多个天线单位区域(U)各自具备:薄膜晶体管(10);第1绝缘层(11),其覆盖薄膜晶体管,且具有将薄膜晶体管(10)的漏极电极(7D)露出的第1开口部(CH1);以及贴片电极(15),其形成在第1绝缘层(11)上和第1开口部(CH1)内,电连接到薄膜晶体管的漏极电极(7D),贴片电极(15)包含金属层,金属层的厚度大于薄膜晶体管的源极电极(7S)和漏极电极(7D)的厚度。
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公开(公告)号:CN103794511B
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201310526469.4
申请日:2013-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/28 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L27/1225 , H01L27/3262
Abstract: 本公开涉及显示装置以及电子设备,本发明的目的之是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的个方式的显示装置包括:像素部104;以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106,其中所述像素部包括:像素晶体管252;覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第绝缘膜124;设置在所述第绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126;以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130,所述驱动电路部包括:对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250;覆盖所述驱动晶体管的所述第绝缘膜;以及形成在所述第绝缘膜上的所述第二绝缘膜,并且,所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。
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公开(公告)号:CN108140946A
公开(公告)日:2018-06-08
申请号:CN201680059376.7
申请日:2016-10-06
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 扫描天线(1000B)具有:TFT基板(101),其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线、及贴片电极(15);插槽基板(201),其具有第二电介质基板(51)、及形成于第二电介质基板的第一主面上的插槽电极(55);液晶层LC,其设置于TFT基板与插槽基板之间;以及反射导电板(65),扫描天线(1000B)具有多个扫描天线部分(1000Ba)~(1000Bd)贴合的拼接结构,多个扫描天线部分的每一个具有TFT基板部分及插槽基板部分,多个扫描天线部分在与相邻的扫描天线部分接合的边处,包含具有TFT基板部分比插槽基板部分突出的边的扫描天线部分和具有插槽基板部分比TFT基板部分突出的边的扫描天线部分。
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公开(公告)号:CN104094386B
公开(公告)日:2017-06-23
申请号:CN201380007483.1
申请日:2013-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , G02F1/136213 , G02F2001/134372 , G02F2201/40 , G02F2201/50 , H01L21/02565 , H01L21/44 , H01L23/564 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/45 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体装置(100A)包括:基板(2);在基板(2)上形成的栅极电极(3);在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4);在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5);与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d);与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7);包括在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8a)的层间绝缘层(8);和在层间绝缘层(8)上形成的第二透明电极(9),第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8a)与第一透明电极(7)重叠,氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
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公开(公告)号:CN104094409B
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201380007460.0
申请日:2013-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , G02F2201/40 , G02F2202/10 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78693
Abstract: 半导体装置(100A)包括:基板(1);在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2);在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4);在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5);与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d);和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
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