公开(公告)号：CN102265380A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200980152604.5

申请日：2009-11-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 松本晋 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  多田宪史

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：被接合基板(10a)；和与被接合基板(10a)接合且形成有元件图案(T)的半导体元件部(25aa)，在被接合基板(10a)和半导体元件部(25aa)的接合界面，在被接合基板(10a)和半导体元件部(25aa)中的至少一个形成有凹部(23a)。

公开(公告)号：CN101401195B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200680053839.5

申请日：2006-12-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  富安一秀 ,  福岛康守 ,  高藤裕

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的转印方法和半导体装置的制造方法以及半导体装置，利用离子注入的剥离方法，将形成于单结晶硅晶片(5)上的晶体管(70)暂时转印至第一临时支撑基板(30)上，在高温下对该第一临时支撑基板(30)实施热处理，恢复上述转印时在单结晶硅晶片(5)的晶体管沟道中产生的结晶缺陷，然后，将该晶体管(70)制成芯片并转印至TFT基板(80)上。制成芯片的晶体管(70)的转印使用离子注入的剥离方法以外的方法。

公开(公告)号：CN101874294A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN200880117658.3

申请日：2008-11-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  守口正生 ,  高藤裕

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法、半导体装置及显示装置。该半导体装置的制造方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序，在该第一工序中形成包括器件部的基体层，该器件部具有栅极电极以及覆盖该栅极电极而形成的平坦的层间绝缘膜，在该第二工序中，利用离子注入法向基体层注入剥离用物质，来形成剥离层，在该第三工序中，将基体层贴在基板上，在该第四工序中，沿剥离层分离并除去基体层的一部分，栅极电极及层间绝缘膜的剥离用物质的注入射程实质上相等。

公开(公告)号：CN101855704A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115930.4

申请日：2008-10-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  中川和男 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  竹井美智子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性和减小配线电阻的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：热处理工序，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分、且与耐热温度比上述绝缘基板的耐热温度高的中间基板接合。

公开(公告)号：CN101842871A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880113589.9

申请日：2008-10-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  史蒂芬·罗伊·德鲁斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76819 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够提高形成在半导体基板上的半导体芯片的表面平坦性，抑制在表面具有绝缘性的基板上移动的半导体芯片的电气特性的偏差，并且改善制造成品率。本发明的半导体装置的制造方法是在表面具有绝缘性的基板上配置有包括导电图案膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，上述制造方法按顺序包括如下工序：在半导体基板上和半导体基板上的导电图案膜上形成第一绝缘膜，使第一绝缘膜图案化来除去与导电图案膜重叠的区域的第一绝缘膜，由此形成平坦的第一绝缘图案膜的工序；形成第二绝缘膜并研磨上述第二绝缘膜来形成平坦化膜的工序；隔着上述平坦化膜向半导体基板注入剥离用物质来形成剥离层的工序；将上述半导体芯片从与半导体基板相反的一侧转移到在上述表面具有绝缘性的基板上的工序；以及沿着剥离层分离该半导体芯片的工序。并且，本发明还提供由上述制造方法所制作的半导体装置。

公开(公告)号：CN101689479A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880021899.8

申请日：2008-04-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  富安一秀 ,  竹井美智子 ,  斯蒂文·道罗斯

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。在该半导体装置的制造方法中，器件部形成工序包含在形成第二平坦化层之前在第一平坦化层上形成覆盖多个导电膜的平坦化辅助层的辅助层形成工序，在该辅助层形成工序中形成了平坦化辅助层，使从第一平坦化层的与基体层相反一侧的表面开始算起的平坦化辅助层的高度在形成有导电膜的区域的至少一部分和未形成有导电膜的区域的至少一部分彼此相等。

公开(公告)号：CN101523581A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036647.8

申请日：2007-12-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 竹井美智子 ,  富安一秀 ,  福岛康守 ,  高藤裕 ,  守口正生 ,  德鲁斯·史蒂芬·罗伊

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823443 ,  H01L24/83 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66772 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种能够实现半导体元件的细微化和低电阻化并且能够简化工序的半导体装置的制造方法、显示装置的制造方法、半导体装置、半导体元件的制造方法以及半导体元件。本发明的半导体装置的制造方法是制造在基板上具有半导体元件的半导体装置的方法，上述制造方法包括金属硅化物形成工序，该工序将具有硅层和金属层层叠结构的半导体元件转移到基板上，通过加热，由构成硅层中的金属层侧部分的硅和构成金属层中的硅层侧部分的金属形成金属硅化物。

公开(公告)号：CN110392927B

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN201880016980.0

申请日：2018-03-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泷田力也 ,  中村涉 ,  中野文树 ,  富安一秀 ,  中泽淳 ,  森胁弘幸

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/144 ,  H01L29/786 ,  H04N23/30 ,  H04N25/70

Abstract: 本发明的一个方面的摄像装置具备：光电转换部，其将入射的光转换为电荷；以及检测部，其检测由光电转换部产生的电荷，光电转换部具备按矩阵状排列的多个光电二极管，检测部具备与多个光电二极管对应设置并按矩阵状排列的多个TFT，光电二极管具备下部电极、半导体层以及上部电极，在半导体层的周缘部，在下部电极的厚度方向的至少一部分与半导体层之间设置有绝缘层，绝缘层的端部具有该绝缘层的下表面与侧面形成锐角的锥形形状。

公开(公告)号：CN102576739B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201080047785.8

申请日：2010-07-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 富安一秀 ,  北角英人 ,  宫本忠芳

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/768 ,  H01L27/146 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: G02F1/136227 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明的目的在于，提供简化了开设接触孔的工序的薄膜晶体管的制造方法。由于预先除去了没有被TFT(100)的沟道层(120)覆盖的栅极电极(110)上的栅极绝缘膜(115)，所以形成在没有被沟道层(120)覆盖的栅极电极(110)上的绝缘膜的膜厚，变得与形成在源极区域(120a)和漏极区域(120b)上的绝缘膜的膜厚相等。因此，能够同时开设到达栅极电极(110)的表面的接触孔(155)、到达源极区域(120a)的表面的接触孔(135a)、和到达漏极区域(120b)的表面的接触孔(135b)。

公开(公告)号：CN101911247B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880122343.8

申请日：2008-09-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  富安一秀 ,  高藤裕 ,  多田宪史 ,  竹井美智子

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/329 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/732 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明具有：在基体层形成器件部的器件部形成工序、在基体层形成剥离层的剥离层形成工序、把形成有器件部的基体层粘贴到基板的粘贴工序、以及通过把粘贴到基板的基体层加热沿着剥离层分离去除基体层的深度方向的一部分的分离工序；进一步地，还包括在分离工序之后进行的用来调整元件的P型区域的杂质浓度向基体层离子注入P型杂质元素的离子注入工序。