公开(公告)号：CN114639720A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202210224521.X

申请日：2022-03-07

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 汪大伟 ,  刘桃 ,  孙新 ,  徐敏 ,  张卫 ,  陈鲲 ,  杨静雯 ,  吴春蕾 ,  王晨 ,  徐赛生 ,  尹睿

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种垂直堆叠环栅器件局部形成体电介质隔离的方法，该方法包括：提供一衬底，在衬底上形成鳍结构，环绕堆叠件，环绕堆叠件沿横跨鳍结构；对环绕堆叠件沿第二方向的两侧的鳍结构进行刻蚀，以形成源/漏空腔；并刻蚀掉源/漏空腔底部的衬底的表层，形成衬底凹层；对所述鳍结构沿第二方向的端部的牺牲层进行刻蚀，形成刻蚀空隙；在衬底凹层上形成第一电隔离层，以隔离源/漏空腔和鳍结构下方的衬底的表层；并在刻蚀空隙内形成内间隔层；使得鳍结构底端的衬底的表层和源/漏层隔离，从而避免后续工艺形成的源/漏区与寄生沟道相接触，从而减小源/漏区之间的漏电流，实现减小器件能耗，避免器件性能下降的效果。

公开(公告)号：CN113284806B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202110538164.X

申请日：2021-05-18

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 刘桃 ,  徐敏 ,  张卫 ,  汪大伟 ,  王晨 ,  陈鲲 ,  杨静雯 ,  孙新 ,  潘哲成 ,  吴春蕾 ,  徐赛生 ,  尹睿

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 本发明提供了一种环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备，其中，环栅器件的源漏制备方法，包括：在基底上形成鳍片，以及横跨所述鳍片的伪栅极单元，所述鳍片包括交替层叠的预备沟道层与预备牺牲层；所述伪栅极单元的数量为多个，多个所述伪栅极单元沿所述预备沟道层的沟道方向依次分布；刻蚀掉相邻两个伪栅极单元之间的预备牺牲层部分；对相邻两个伪栅极单元之间的预备沟道层部分进行刻蚀减薄，并保留部分沟道层材料作为种子层；基于所述种子层，外延源漏的锗硅体层，并在所述锗硅体层形成源极与漏极。

公开(公告)号：CN114203555A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111511478.7

申请日：2021-12-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 晁鑫 ,  王晨 ,  陈琳 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明公开一种具有稳定阈值电压的半浮栅晶体管及其制备方法。该具有稳定阈值电压的半浮栅晶体管包括：衬底，其形成有P阱区、N阱区和U型槽，其中，N阱区位于P阱区上方，U型槽贯穿N阱区；第一栅氧化层，形成在U型槽表面并延伸覆盖部分N阱区表面，且在一侧形成有窗口；半浮栅，覆盖第一栅氧化层并完全填充U型槽，且在窗口处与N阱区相接触；半浮栅晶体管的沟道紧贴U形槽的底部；控制栅介质层、控制栅和第二氮化硅层，依次形成在半浮栅上；分离栅介质层和分离栅，分离栅介质层覆盖隧穿晶体管沟道区，并延伸覆盖部分第二氮化硅层，分离栅覆盖分离栅介质层并填充分离栅区域；源区和漏区，分别形成在两侧的N阱区中。

公开(公告)号：CN113964059A

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN202111159636.7

申请日：2021-09-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张鹏浩 ,  王路宇 ,  徐敏 ,  王晨 ,  杨妍楠 ,  樊蓉 ,  张卫 ,  徐赛生

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体材料及其表面处理系统、方法，其中，表面处理系统，包括：气源模块、等离子体源模块、离子过滤部与反应腔；所述气源模块用于：先向所述等离子体源模块通入还原性气体，再在所述反应腔被吹扫后，向所述等离子体源模块通入氮基气体；所述等离子体源模块用于：在所述还原性气体被通入后，将所述还原性气体离子化；在所述氮基气体被通入后，将所述氮基气体离子化；所述离子过滤部用于：对离子化后的物质集合进行离子过滤，过滤后，氢的活性基团附着在材料表面，可与氧化层发生还原反应，在无损的情况下对氧化层进行处理，氮的活性基团附着在材料表面之后，可补充氮空位，减少悬挂键，提高表面质量。

公开(公告)号：CN113113494A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110381182.1

申请日：2021-04-09

Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 张卫 ,  徐敏 ,  陈鲲 ,  杨静雯 ,  王晨 ,  徐赛生 ,  吴春蕾 ,  尹睿

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种GAA晶体管结构及其制备方法、电子设备，其中的结构包括：晶体管基底、多个器件单元；器件单元包括设于晶体管基底的堆叠层与横跨堆叠层外侧的外金属栅，堆叠层包括交替层叠的多个纳米层与多个金属栅层；多个器件单元包括PMOS器件单元与NMOS器件单元，PMOS器件单元设于衬底的PMOS区，NMOS器件单元设于衬底的NMOS区；沿目标方向，PMOS区上的PMOS器件单元的分布数量多于NMOS区上NMOS器件单元的分布数量，目标方向垂直于纳米层的沟道方向，PMOS器件单元的纳米层中用于载流的表面的总面积大于NMOS器件单元的纳米层中用于载流的表面的总面积，提高了GAA晶体管结构的性能。

公开(公告)号：CN112704627A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011624776.2

申请日：2020-12-31

Applicant: 复旦大学 ,  珠海复旦创新研究院

Inventor： 朱钧 ,  蔡黎明 ,  朱云超 ,  耿翔 ,  王晨 ,  马昕

IPC: A61H3/00

Abstract: 本发明提供一种带制动的髋膝混合驱动助行器，用于辅助行走，包括：腰部固定件，放置于使用者腰部的后方，用于固定腰部；腰带，穿过腰部固定件缠绕于使用者的腰部，与腰部固定件配合固定使用者的腰部，且腰带侧面还套设有悬挂固定件；髋关节模块，通过悬挂固定件连接于腰带上，用于使用者髋关节的运动；膝关节模块，通过传动带与髋关节模块反向连接，用于使用者膝关节的运动；第一大腿杆件，与髋关节模块连接；第二大腿杆件，与膝关节模块连接，且与第一大腿杆件通过螺钉锁紧固定，还与第一大腿杆件配合，进而根据第一大腿杆件和第二大腿杆件的长度调节传动带的长度；小腿护板，与膝关节模块通过销轴连接，贴附于使用者的小腿前方。

公开(公告)号：CN110936358A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN202010000515.7

申请日：2020-01-02

Applicant: 复旦大学 ,  珠海复旦创新研究院

Inventor： 朱钧 ,  蔡黎明 ,  陆寅啸 ,  王晨 ,  耿翔 ,  马昕

IPC: B25J9/00 ,  B25J9/10 ,  B25J9/12

Abstract: 本发明提供了一种电机驱动的髋膝外骨骼联动装置，用于协助人体进行下肢运动，包括：躯干壳体；直流电机；电磁离合器；主轴；第一同步带轮；输入端与主轴连接的髋关节驱动模块；大腿杆，与人体的大腿处相对应，与髋关节驱动模块的输出端连接，并与躯干壳体的另一端通过外骨骼髋关节相铰接，在髋关节驱动模块的驱动下绕外骨骼髋关节在矢状面内旋转来从而协助大腿进行运动；第二同步带轮，与第一同步带轮连接；转动轴；输入端与转动轴连接的膝关节驱动模块；以及小腿杆，与人体的小腿处相对应，与膝关节驱动模块的输出端连接，并与大腿杆通过外骨骼膝关节相铰接，在膝关节驱动模块的驱动下绕外骨骼膝关节在矢状面内旋转来从而协助小腿进行运动。

公开(公告)号：CN104864850B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201510350726.2

申请日：2015-06-23

Applicant: 上海市隧道工程轨道交通设计研究院 ,  复旦大学

Inventor： 沈海平 ,  沈蓉 ,  王晨 ,  彭子晖 ,  何铁峰 ,  王依琳 ,  魏昕 ,  樊生龙 ,  顾鑫

IPC: G01C11/04

Abstract: 本发明公开了一种快速成像式隧道天空比测量方法，涉及相互连接并安装于汽车内的快速成像设备和计算机，该测量方法在汽车行驶过程中，利用快速成像设备对隧道洞口进行连续成像并将所采集的照片保存于计算机中，之后利用计算机通过图像处理技术获得隧道洞口的天空比数据。本发明的优点是，测量方法简单，通过数字成像技术实现隧道天空比的快速现场测量；直接在行车过程中连续快速拍摄隧道洞口场景，从照片中获得连续记录的距离信息以及天空比数据，避免了封道测量带来的交通阻塞和测试安全问题，可大大减少现场测量时间和成本，为隧道工作者提供了很大的方便。

公开(公告)号：CN102692593A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210184203.1

申请日：2012-06-06

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王晨 ,  卢红亮 ,  孙清清 ,  周鹏 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明属于晶体管可靠性测试技术领域，具体为一种提高快速Id-Vg测试精度的测试系统，其特征在于：在原Id-Vg测试系统中，将原有的高频探针上添加一个50Ω的片状电阻，组成一个高频信号加载探针；在原有的电源探针上添加一个10μF的片状电容器，组成一个新的电源探针。本发明系统可用于高性能低功耗MOSFETs晶体管中精确快速的Id-Vg测试，本发明操作简单、几乎零成本，但是效果显著，测试精确，适用于高电流性能MOSFETs晶体管上高介电常数栅介质可靠性方面的研究。

公开(公告)号：CN119788190A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411707681.5

申请日：2024-11-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 余建军 ,  王晨

IPC: H04B10/61

Abstract: 本发明属于光通信领域，涉及一种基于最大后验概率符号判决误差的信号相位恢复方法、装置、设备及介质，其中方法包括以下步骤：对接收信号基于最大后验概率进行符号判决并计算符号判决误差；根据所述符号判决误差构建误差函数，并计算误差函数关于相位噪声值的梯度；沿着梯度下降的方向更新相位估计值；根据相位估计值进行符号的相位噪声恢复，得到相位恢复后的输出信号。与现有技术相比，本发明将误差梯度下降算法与高性能相位恢复相结合，用以满足相干传输中对由激光器线宽所产生的严重线性随机相位噪声的补偿需求；同时，基于符号判决误差的形式在提升相位噪声估计精度的同时，有效避免了时间窗的使用，缩减了计算复杂度。