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公开(公告)号：CN109542391A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811329873.1
申请日：2018-11-09
Applicant: 复旦大学
CPC classification number: G06F7/4833 , G06F21/72
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，具体为一种基于忆阻器的存储器内计算架构。本发明的基于忆阻器的存储器内计算架构包括忆阻器阵列和辅助电路；忆阻器阵列是一个交叉阵列，由若干水平方向的互连线和若干竖直方向的互连线互相交叉构成，每个交叉处有一个忆阻器单元；忆阻器阵列实现存储内计算时，动态划分为存储区和计算区；计算区用于实现与、或、非、与非、或非、异或这些逻辑运算；计算区的运算结果保存在存储区；辅助电路用于进行除与、或、非、与非、或非、异或等逻辑运算之外的复杂运算包括数据处理、加密运算等。本发明可用于物联网终端架构中替代传统的物联网终端架构中的SRAM和Flash模块。本发明有利于改善物联网终端的低功耗和信息安全特性。
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公开(公告)号：CN106119805A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610486298.0
申请日：2016-06-28
Applicant: 复旦大学
IPC: C23C16/06
CPC classification number: C23C16/06
Abstract: 本发明公开了一种掺杂改性的镍金属薄膜及其制备方法，该方法包含至少一个反应循环，每个反应循环包含以下步骤：S1，向反应腔中通入NiCp2蒸汽，使其与反应腔中的衬底表面充分反应；S2，向反应腔中通入无氧保护气氛吹洗；S3，向反应腔中通入NH3等离子体，使其与含有NiCp2的衬底表面充分发生化学反应；S4，向反应腔中通入无氧保护气氛以将未反应NH3等离子体及反应副产物吹洗干净，获得掺杂改性的镍金属薄膜；其中，掺杂改性的镍金属薄膜厚度依循环数而定。本发明提供的方法工艺流程简单易控，与集成电路制造工艺兼容性好，生长温度低，生长温度区间大，而且制备的Ni(CN)金属薄膜杂质少，性能可控，薄膜的表面平整度和台阶覆盖好且成分和厚度均匀性好。
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公开(公告)号：CN116456816A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310338732.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化铪基铁电电容器及其制备方法；本发明的制备方法如下：首先，在Si/SiO2衬底上采用磁控溅射沉积形成底电极，然后，采用原子层沉积技术生长ZrO2籽晶层，在籽晶层上依次生长氧化铪基铁电薄膜和氧化铝覆盖层，并采用快速热退火形成铁电相，最后利用光刻、电子束蒸发、剥离制备顶电极得到铁电电容器。在本发明的电容存储器结构中，通过添加氧化锆ZrO2作为氧化铪基铁电薄膜的籽晶层，来优化氧化铪基铁电薄膜与底电极之间的界面，增加了退火后铁电薄膜中铁电相的成分，实现高性能的电容存储功能。
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公开(公告)号：CN108538821B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201810456508.0
申请日：2018-05-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种与硅基集成电路集成的全固态超级电容及其制备方法，该全固态超级电容由两个相对设置的芯片‑电极集成结构粘合构成，其中，芯片‑电极集成结构包含衬底、设置在衬底第一表面的芯片、由下到上依次设置在衬底第二表面上的硅纳米阵列结构、氧化铟薄膜层、纳米金属层及固态电解质层，该衬底包含硅区域，衬底的第一表面是指硅区域面，该第二表面与第一表面相背，上述的纳米金属层包含镍或者钴纳米颗粒。本发明提供的片上超级电容制备在低阻单晶硅的背面，可以充分利用硅材料，节约成本；与传统的硅基集成电路工艺兼容，制备工艺简单，成本低廉；制备的超级电容能量密度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111090928A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911131648.1
申请日：2019-11-19
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明属于液晶显示面板技术领域，具体涉及针对TFT阈值电压漂移的SPICE仿真方法。本发明是在现有TFT SPICE仿真模型基础上，并联一个由电容C和一个电阻R组成的子电路，仿真时，在TFT的栅极G增加一个受控电压源，从而实现对TFT器件阈值电压漂移现象的建模和仿真。本发明仿真结果可以用来判断TFT器件转移特性曲线漂移对液晶面板显示质量，以及显示用OLED亮度和寿命的影响，从而使平板显示器的设计更加可靠。
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公开(公告)号：CN106684035B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201610966743.3
申请日：2016-10-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 本发明公开了一种抗铜扩散阻挡层薄膜及其制备方法，该制备方法是指在衬底上交替制备Ta‑C‑N多层薄膜和Ni‑C‑N多层薄膜，其中，制备Ta‑C‑N薄膜的反应原料为Ta(N(CH3)2)5和NH3等离子体，制备Ni‑C‑N薄膜的反应原料为NiCp2和NH3等离子体。本发明通过交替生长Ta‑C‑N薄膜和Ni‑C‑N薄膜的方式向TaN薄膜中掺入Ni和C，控制TaN薄膜中的Ni和C的含量可以改善薄膜的导电性和调控阻挡层的阻挡特性。本发明的制备方法沉积温度低，制备的薄膜组成和厚度均匀性好，保形性佳，薄膜厚度和成分可控且电阻率较低，并且与目前的Cu互连工艺和CMOS器件制造工艺有很好的兼容性，具有很好的市场应用前景。
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公开(公告)号：CN109560044A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811308213.5
申请日：2018-11-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/321
CPC classification number: H01L21/77 , H01L21/265 , H01L21/321 , H01L21/324 , H01L27/1214 , H01L27/1259 , H01L27/3244 , H01L29/66742 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于显示面板技术领域，具体涉及一种抑制薄膜晶体管阈值电压漂移的方法。本发明是在薄膜晶体管（TFT）开始工作前，通过降低位于TFT栅绝缘层内部，以及栅绝缘层与半导体薄膜界面处的缺陷态密度或缺陷态的俘获截面，从而抑制TFT在工作时阈值电压的漂移；具体采用如下技术措施之一种：生长不同的电介质薄膜并对薄膜及其内部的固定电荷量通过热处理进行调控；离子注入；在半导体薄膜靠近栅绝缘层一侧的表面注入额外的电子或空穴；调节作为沟道层的半导体薄膜的掺杂浓度和薄膜厚度；在TFT的Gate端预置偏置电场。本发明方法操作方便，抑制薄膜晶体管阈值电压漂移效果明显。
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公开(公告)号：CN109360850A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811308208.4
申请日：2018-11-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3262
Abstract: 本发明属于集成电路设计技术领域，具体为一种降低AMOLED像素电路中驱动TFT功耗的方法。本发明通过减小AMOLED像素电路中作为驱动TFT（包括N型TFT和P型TFT）的阈值电压的绝对值|VTH|，从而降低其功耗。包括以下技术手段：生长不同的电介质薄膜并对薄膜及其内部的固定电荷量通过热处理进行调控；离子注入；在半导体薄膜靠近栅绝缘层一侧的表面注入额外的电子或空穴；调节作为沟道层的半导体薄膜的参杂浓度和厚度。本发明可以降低AMOLED显示面板中每一个亚像素在工作时的功耗。从而降低整个OLED显示面板的工作功耗。
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公开(公告)号：CN106684035A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610966743.3
申请日：2016-10-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76841 , H01L23/53238
Abstract: 本发明公开了一种抗铜扩散阻挡层薄膜及其制备方法，该制备方法是指在衬底上交替制备Ta‑C‑N多层薄膜和Ni‑C‑N多层薄膜，其中，制备Ta‑C‑N薄膜的反应原料为Ta(N(CH3)2)5和NH3等离子体，制备Ni‑C‑N薄膜的反应原料为NiCp2和NH3等离子体。本发明通过交替生长Ta‑C‑N薄膜和Ni‑C‑N薄膜的方式向TaN薄膜中掺入Ni和C，控制TaN薄膜中的Ni和C的含量可以改善薄膜的导电性和调控阻挡层的阻挡特性。本发明的制备方法沉积温度低，制备的薄膜组成和厚度均匀性好，保形性佳，薄膜厚度和成分可控且电阻率较低，并且与目前的Cu互连工艺和CMOS器件制造工艺有很好的兼容性，具有很好的市场应用前景。
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