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公开(公告)号：CN110416287B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910618158.8
申请日：2019-07-10
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/36 , H01L21/336 , H01L27/108
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种外延TFET沟道的半浮栅晶体管及其制备方法。本发明的半浮栅晶体管包括：衬底，具有第一掺杂类型，并有第二掺杂类型的重掺杂区；第一栅氧化层，部分覆盖重掺杂区；轻掺杂硅层，在重掺杂区表面上并延伸覆盖部分第一栅氧化层；第一多晶硅层，具有第一掺杂类型，在第一栅氧化层上，并覆盖部分所述轻掺杂硅层；第二栅氧化层，在第一多晶硅层和轻掺杂硅层上；第二多晶硅层，具有第二掺杂类型，在第二栅氧化层上；栅极侧墙；源区和漏区，在衬底中、栅极侧墙两侧。本发明提高了沟道和漏端电场随位置变化的斜率，使得TFET的隧穿从点隧穿变为面隧穿，从而大大提高半浮栅晶体管的隧穿几率，提高器件的速度。
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公开(公告)号：CN110416086A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910618213.3
申请日：2019-07-10
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/265 , H01L21/324
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种FD-SOI结构的半浮栅晶体管及其制备方法。晶体管包括：SOI衬底，SOI衬底内具有第一类型掺杂区和第二类型的轻掺杂区，两区相互邻接；第一栅极叠层，包括第一栅氧化层和第一多晶硅层，第一栅氧化层覆盖第一类型掺杂区，并部分覆盖轻掺杂区，第一多晶硅层具有第一掺杂类型，覆盖第一栅氧化层，并延伸至轻掺杂区，与之相接触；第二栅极叠层，包括第二栅氧化层和第二多晶硅层，形成在第一多晶硅层上；栅极侧墙，形成在第一栅极叠层和第二栅极叠层两侧；源区和漏区，形成在半导体衬底中、第一、第二栅极叠层两侧。本发明的寄生电容更小，漏电流更低，器件的运行速度更快；此外还消除了闩锁效应。
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公开(公告)号：CN108447881A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810337094.X
申请日：2018-04-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于微互连的3D堆叠图像传感器及其制备方法。本发明传感器包括相互键合的顶部晶圆和底部晶圆；其中，在顶部晶圆的上表面以一定间距形成有互连线，在底部晶圆的上表面以相同间距形成有互连线及微凸块，所述顶部晶圆的连线与所述底部晶圆的微凸块相互对应连接，在所述顶部晶圆与所述底部晶圆之间的空隙填充有绝缘材料；顶部晶圆背面安装有彩色滤光片和微透镜。本发明利用上下两衬底互连的结构制备了新型3D堆叠图像传感器，有效解决了传统TSV技术不适用于光电二极管阵列的问题，具有理想的全局快门功能，能够实现超过160dB的寄生光灵敏度和超高速捕获等。
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公开(公告)号：CN108269820A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810124408.8
申请日：2018-02-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于图像传感器技术领域，具体为一种三维背光源结构CMOS图像传感器及其制备方法。本发明方法包括以下步骤：对制作在硅衬底上的CMOS图像传感器芯片层进行双层互连；将CMOS图像传感器芯片层和载物层进行暂时性粘合；对衬底进行减薄处理至预设厚度，并进行应力消除；将衬底和背光源进行永久性的粘合；将CMOS图像传感器芯片层上的载物层解除；制作硅通孔插入层；以及将CMOS图像传感器芯片层和所述硅通孔插入层进行互连。本发明有效消除了传统芯片级封装器件结构因应力所导致的不稳定性，能够在小尺寸的情况下提高器件对光的吸收能力，从而提高灵敏度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113161479A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110248356.7
申请日：2021-03-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种剥离式自支撑的神经突触仿生器件的制备方法。本发明制备方法包括以下步骤：提供支撑衬底；在所述支撑衬底上旋凃形成柔性薄膜，并进行烘烤；生长第一层电极；生长功能层；光刻定义顶电极阵列图形，生长并刻蚀形成顶电极阵列；以及将柔性薄膜从支撑衬底上剥离获得自支撑的柔性神经突触仿生器件。本发明通过将柔性薄膜溶液旋涂于支撑衬底获得平整的界面，并在器件制备完成后将其整体剥离，极大提高了器件良率、有效降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN108649041B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201810336841.8
申请日：2018-04-16
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于复合互连衬底的芯片封装结构及其方法。本发明的芯片封装结构，包括：具有上下两个凹槽的基板；芯片贴合在底部凹槽中；顶部凹槽中注入有塑模材料；第一引线柱若干根，分设于基板底部凹槽内侧；第二引线柱若干根，分设于芯片四周，第一引线柱与第二引线柱一一对应，且两者贴合；以及封装用光学玻璃。本发明通过带有凹槽的基板将芯片黏合至底部凹槽中，所得结构相比传统的四方无引脚扁平封装可减少25%的体积；利用铜柱作为接合垫取代传统的引线框架，使基板制造与成型在一步工艺完成，从而满足高密度封装要求；本发明制作成本较低，比晶圆级封装和3D封装更具实际应用价值。
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公开(公告)号：CN110416287A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910618158.8
申请日：2019-07-10
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/36 , H01L21/336 , H01L27/108
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种外延TFET沟道的半浮栅晶体管及其制备方法。本发明的半浮栅晶体管包括：衬底，具有第一掺杂类型，并有第二掺杂类型的重掺杂区；第一栅氧化层，部分覆盖重掺杂区；轻掺杂硅层，在重掺杂区表面上并延伸覆盖部分第一栅氧化层；第一多晶硅层，具有第一掺杂类型，在第一栅氧化层上，并覆盖部分所述轻掺杂硅层；第二栅氧化层，在第一多晶硅层和轻掺杂硅层上；第二多晶硅层，具有第二掺杂类型，在第二栅氧化层上；栅极侧墙；源区和漏区，在衬底中、栅极侧墙两侧。本发明提高了沟道和漏端电场随位置变化的斜率，使得TFET的隧穿从点隧穿变为面隧穿，从而大大提高半浮栅晶体管的隧穿几率，提高器件的速度。
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公开(公告)号：CN109273468A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811033738.2
申请日：2018-09-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种三维硅通孔结构CMOS图像传感器及其制备方法。本发明方法包括：在制作在硅衬底上的CMOS图像传感器芯片层的周围形成作为支架的聚合物腔壁；将聚光源玻璃与聚合物腔壁上表面相互粘合，形成空气腔；将硅衬底减薄处理至预设厚度，并进行应力消除；在硅衬底上形成浅沟槽和通孔，制作电极；将聚光源玻璃和彩色滤光片进行粘合；制作硅通孔插入层；将CMOS图像传感器芯片层和硅通孔插入层进行互连。本发明能够快速高效地实现三维封装集成；本发明通过聚合物来支撑粘合聚光源玻璃层形成空气腔，能够有效保护CMOS图像传感器；器件能够在小尺寸的情况下提高对光的吸收能力，从而提高灵敏度。
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公开(公告)号：CN115084249A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210609915.7
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/43 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L21/34 , H01L21/445 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种柔性二维铁电神经突触晶体管及其制备方法。该柔性二维铁电神经突触晶体管包括：柔性衬底；栅极，其为有机导电聚合物薄膜，形成在所述柔性衬底上；栅介质层，其为有机铁电聚合物薄膜，形成在所述栅极上；沟道，其为二维半导体薄膜，形成在所述栅介质层上；源极和漏极，其为有机导电聚合物薄膜，形成在所述沟道两侧，在不同弯折状态下实现神经突触特性模拟，获得稳定的神经突触短时程可塑性，用于高度耐弯曲的可穿戴神经形态计算电子设备。
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