公开(公告)号：CN104488079A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201280064723.7

申请日：2012-12-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·布赖恩特 ,  V·S·巴斯克 ,  卜惠明 ,  W·亨施 ,  E·莱奥班顿 ,  林崇勳 ,  T·E·斯坦德尔特 ,  山下典洪 ,  叶俊呈

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供了一种用于制造finFET器件的方法。在BOX层之上形成鳍结构。所述鳍结构包括半导体层并且在第一方向上延伸。栅极叠层形成在所述鳍结构上方的所述BOX层上，并且在第二方向上延伸。所述栅极叠层包括高K电介质层和金属栅极。在所述栅极叠层的侧壁上形成栅极间隔物，并且沉积外延层以合并所述鳍结构。注入离子以形成源极区和漏极区，并且在所述栅极间隔物的侧壁上形成伪间隔物。使用所述伪间隔物作为掩膜来使外延层的暴露部分凹陷或者完全去除。硅化形成邻接所述源极区和漏极区的硅化物区，每一个所述硅化物区包括位于所述源极区或漏极区的垂直侧壁上的垂直部分。

公开(公告)号：CN104299996A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410341729.5

申请日：2014-07-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·S·巴斯克 ,  山下典洪 ,  叶俊呈

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66492 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/785 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明涉及非对称替代金属栅场效应晶体管及其制造方法。一种非对称场效应晶体管(FET)器件，包括：半导体衬底；被设置在所述半导体衬底上的掩埋氧化物层；被设置在所述掩埋氧化物层上的延伸的源极区；以及被设置在所述掩埋氧化物层上的漏极区。所述非对称FET器件也包括被设置在所述延伸的源极区与所述漏极区之间的绝缘体上硅区域以及被设置在所述延伸的源极区与所述绝缘体上硅区域上方的栅极区。

公开(公告)号：CN104103520A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410135771.1

申请日：2014-04-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·S·巴斯克 ,  E·莱奥班顿 ,  山下典洪 ,  叶俊呈

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及形成鳍片FET器件的方法以及鳍片FET结构。一种鳍片FET结构，包括体半导体衬底；从体半导体衬底延伸的半导体鳍片，半导体鳍片的每一个都具有顶部和底部以便半导体鳍片的底部被掺杂并且半导体鳍片的顶部未掺杂；直接位于多个半导体鳍片下面的体半导体衬底的部分被掺杂以形成n+或者P+阱；以及在鳍片的底部之间形成的氧化物。还公开了一种用于形成鳍片FET器件的方法。

公开(公告)号：CN103930998A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201280052232.0

申请日：2012-10-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·J·布洛茨基 ,  蔡明 ,  郭德超 ,  W·K·汉森 ,  S·纳拉辛哈 ,  梁玥 ,  宋丽阳 ,  王延锋 ,  叶俊呈

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66803

Abstract: 一种结构包括：衬底；在衬底上设置的晶体管，该晶体管包括由用碳注入的硅构成的鳍片；以及栅极介质层和栅极金属层，覆盖鳍片的限定晶体管的沟道的部分。在该结构中，选择在鳍片中的碳浓度以建立晶体管的期望的电压阈值。还公开了制备鳍片FET晶体管的方法。同样公开了具有碳注入的阱的平面晶体管，其中选择在阱中的碳浓度以建立晶体管的期望的电压阈值。

公开(公告)号：CN103348481A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201280006806.0

申请日：2012-01-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·布赖恩特 ,  卜惠明 ,  郭德超 ,  W·E·亨施 ,  叶俊呈

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76895 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件，包括形成在半导体衬底上的半导体材料的鳍片以及形成在所述鳍片之上并与其接触的栅极电极。绝缘体层沉积在所述栅极电极和鳍片之上。然后在所述绝缘体层中蚀刻沟槽开口。所述沟槽开口暴露所述鳍片并且在所述鳍片之间延伸。然后通过所述沟槽开口硅化所述鳍片。之后，所述沟槽开口被与所述硅化的鳍片接触的金属填充以形成连接所述多个鳍片的局部互连。