气化器以及半导体处理系统

    公开(公告)号:CN1955338A

    公开(公告)日:2007-05-02

    申请号:CN200610163552.X

    申请日:2006-09-29

    CPC classification number: C23C16/4486

    Abstract: 本发明涉及一种用于从液体原料获得处理气体的气化器(2),其包括规定了气化器(2)处理空间的容器(40)、以及在容器(40)内具有将液体原料以雾状向下方喷出的喷出口(30a)的喷射器。在喷出口(30a)的下侧,于容器(40)内配置有下部挡块(31),由此在喷出口(30a)与下部挡块(31)之间,规定了上述雾状液体原料的助动空间(G),在容器(40)的内侧面与下部挡块(31)之间,规定了与助动空间(G)连续的环状空间(F)。在容器(40)及下部挡块(31)上各自配置有第1以及第2加热器(48、33),第1以及第2加热器(48、33)加热通过环状空间(F)的雾状液体原料而生成处理气体。为从环状空间(F)中导出处理气体,在容器(40)上连接有气体导出流路(53)。

    原料气体供给系统和原料气体供给方法

    公开(公告)号:CN114269965B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202080058420.9

    申请日:2020-08-18

    Abstract: 一种原料气体供给系统,其将使固体原料气化而生成的原料气体向处理装置供给,其中,该原料气体供给系统包括:气化装置,其使所述固体原料气化而生成所述原料气体;送出机构,其从供在溶剂中溶解有所述固体原料的溶液贮存的溶液源向所述气化装置送出所述溶液;以及蒸发机构,其使从所述送出机构送出而容纳于所述气化装置内的所述溶液的溶剂蒸发,分离所述固体原料。

    基板处理装置
    23.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108573900B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN201810183440.3

    申请日:2018-03-06

    Abstract: 本发明涉及能够控制面间均匀性的基板处理装置。基板处理装置具备:内管,其设置为能够容纳多张基板,并且具有第一开口部;外管,其包围所述内管;可动壁,其被设置为能够在所述内管内、或者所述内管与所述外管之间移动,并且具有第二开口部;气体供给单元,其向所述内管内供给处理气体;排气单元,其被设置于比所述可动壁靠外侧的位置,且经由所述第一开口部和所述第二开口部对被供给到所述内管内的所述处理气体进行排气;以及压力检测单元,其检测所述内管内的压力。

    压力测定装置、排气系统以及基板处理装置

    公开(公告)号:CN107202665A

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201710162117.3

    申请日:2017-03-17

    Abstract: 本发明提供一种压力测定装置、排气系统以及基板处理装置。压力测定装置具有:第一压力计,其与能够对处理对象进行处理的处理室连接并能够测定正在对所述处理对象进行处理时的所述处理室内的压力;第二压力计,其与所述处理室连接;以及切换阀,在所述处理室内正在对所述处理对象进行处理时,所述切换阀能够将所述第二压力计与所述处理室之间的连接断开。

    成膜装置
    26.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102383110A

    公开(公告)日:2012-03-21

    申请号:CN201110261141.5

    申请日:2011-09-02

    CPC classification number: H01L21/68764 C23C16/45551 H01L21/68771

    Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置包括:旋转台,包括能分别载置直径为300mm的基板的10个以上的载置区域;第1反应气体供给部,配置在容器内的第1区域,向旋转台供给第1反应气体;第2反应气体供给部,配置在沿旋转台的旋转方向与第1区域分开了的第2区域,向旋转台供给第2反应气体;第1排气口和第2排气口,与第1区域和第2区域相对应;分离区域,配置在第1区域与第2区域之间,包括分离气体供给部和顶面,分离气体供给部喷出用于分离第1反应气体和第2反应气体的分离气体,在顶面与旋转台之间划分供自分离气体供给部供给的分离气体流动的空间,顶面具有能够将该空间的压力维持得比第1区域和第2区域中的压力高的高度。

    气化器以及半导体处理系统

    公开(公告)号:CN1955338B

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN200610163552.X

    申请日:2006-09-29

    CPC classification number: C23C16/4486

    Abstract: 本发明涉及一种用于从液体原料获得处理气体的气化器(2),其包括规定了气化器(2)处理空间的容器(40)、以及在容器(40)内具有将液体原料以雾状向下方喷出的喷出口(30a)的喷射器。在喷出口(30a)的下侧,于容器(40)内配置有下部挡块(31),由此在喷出口(30a)与下部挡块(31)之间,规定了上述雾状液体原料的助动空间(G),在容器(40)的内侧面与下部挡块(31)之间,规定了与助动空间(G)连续的环状空间(F)。在容器(40)及下部挡块(31)上各自配置有第1以及第2加热器(48、33),第1以及第2加热器(48、33)加热通过环状空间(F)的雾状液体原料而生成处理气体。为从环状空间(F)中导出处理气体,在容器(40)上连接有气体导出流路(53)。

    气化器
    28.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100540731C

    公开(公告)日:2009-09-16

    申请号:CN200510107962.8

    申请日:2005-09-30

    CPC classification number: C23C16/4486 H01L21/67017 H01L21/67109

    Abstract: 本发明涉及一种用于从气液混合的流体得到处理气体的气化器,具备:容器,规定上述气化器的处理空间;供给头,具有向上述容器内喷出上述流体的多个喷出口;加热通路,在所述喷出口的下侧、配置在所述容器内,所述加热通路对流通过程中的所述流体进行加热而生成所述处理气体;气体导出通路,与所述容器连接,从所述加热通路的下侧、在横方向上导出所述处理气体;雾积存部,在所述气体导出路的下侧、配置于所述容器中。

    半导体制造装置和半导体制造方法

    公开(公告)号:CN100462887C

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200480004339.3

    申请日:2004-07-14

    CPC classification number: G05D7/0635 G01F1/68 G01F15/024 G01F25/0007

    Abstract: 本发明的半导体制造装置具有:用于对基板进行处理而在基板上制造半导体装置的处理部;用于向所述处理部供给所述基板的处理所需要的流体的流体供给通路;输出与所述流体的设定流量对应的设定电压的设定电压输出部;设置在所述流体供给通路中、根据所述设定电压调整所述流体的流量的质量流量控制器;设置在所述流体供给通路中的所述质量流量控制器的上游侧的第一遮断阀;和设置在所述流体供给通路中的所述质量流量控制器的下游侧的第二遮断阀。所述质量流量控制器具有:检测所述流体的实际的流量而输出对应的检测电压的检测部;将所述设定电压与所述检测电压比较而输出操作信号的比较部;和根据所述操作信号调整流体的流量的流量调整部。设置了存储所述第一遮断阀和所述第二遮断阀关闭时从所述质量流量控制器的所述检测部输出的检测电压的存储部。设置了根据所述存储部存储的检测电压,按照补偿所述流体的实际流量为零时的检测电压的变化的方式修正所述设定电压的设定电压修正部。

    汽化器和半导体处理系统
    30.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101285178A

    公开(公告)日:2008-10-15

    申请号:CN200810086915.3

    申请日:2008-03-28

    CPC classification number: C23C16/4486

    Abstract: 本发明提供一种汽化器和半导体处理系统,其是用于从液体原料得到处理气体的汽化器,包括在喷注器的排出口下侧配置在容器内的具有中空的内部空间的下部热交换体。在排出口和下部热交换体之间规定雾状液体原料的助起动空间,在容器的内侧面和下部热交换体之间规定与助起动空间连接的环状空间。内部加热器配置在下部热交换体的内部空间中。内部加热器作成利用陶瓷密封编织有多个碳纤维束的碳线的结构。内部加热器加热通过环状空间的雾状液体原料生成处理气体。

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