公开(公告)号：CN102903641A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210414960.3

申请日：2012-10-26

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  贺晓雯 ,  曹菲 ,  邵雷

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明提供的是降低SOI PD MOSFET接触电阻和寄生电容的方法。包括在硅衬底1上外延生长SiGe层2，对中间的一段进行刻蚀，露出硅衬底1并生长外延硅层3；在外延硅层3上生长栅氧层6，在栅氧层6上淀积多晶硅栅材料，刻蚀形成栅电极7图形，淀积氮化硅介质层，回刻后形成栅侧墙8；在源漏区上方再生长硅层9，并形成N+重掺杂的外延硅层10；对SiGe层2进行横向选择性腐蚀，在源漏区与硅衬底1之间形成空气沟槽11；本发明本提供一种选择外延生长和横向刻蚀技术提高器件材料质量、减小闩锁效应、简化工艺步骤的降低SOI PD MOSFET接触电阻和寄生电容的方法。

公开(公告)号：CN102208456B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201110129276.6

申请日：2011-05-18

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  李婷 ,  曹菲 ,  邵雷 ,  刘云涛

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872

Abstract: 本发明提供的是一种叠置P+-P结势垒控制肖特基二极管。包括N+衬底区(100)、N型漂移区(101)、叠置P+-P结构P+部分(102)、阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层(106)、肖特基接触(107)、欧姆接触(108)，还包括叠置P+-P结构P部分(103)，叠置P+-P结构P+窗口部分(102)在叠置P+-P结构P窗口部分(103)上面。本发明在形成区域叠置P+-P结构P+部分前，形成类似JBS网状的一层相互分离的区域叠置P+-P结构P部分，在不牺牲器件正向导通特性的前提下，提高结势垒肖特基二极管器件的反向耐压，同时降低输出电容。本发明具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。

公开(公告)号：CN102624397A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210077500.6

申请日：2012-03-22

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 刘云涛 ,  邵雷 ,  高松松

IPC: H03M3/02

Abstract: 本发明属于MEMS惯性器件领域，具体涉及一种电容式微加速度计数字输出的全差分数字加速度计接口电路系统。本发明包括驱动信号产生部、全差分电荷积分器、全差分后级放大器、全差分前置补偿器、相关双采样与采样保持电路、全差分电学积分器、1位动态比较器、1位数模转换器和1位静电力反馈，本发明提高了加速度计系统线性度，有效降低了模数转换的量化噪声，抑制了零点漂移，减小了开关电荷注入和衬底噪声产生的共模干扰，提高了电源抑制比，减小了谐波失真。

公开(公告)号：CN102263139A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110136633.1

申请日：2011-05-24

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  李婷 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872

Abstract: 本发明提供的是一种改进的混合整流二极管结构，包括N+衬底区(100)、N型漂移区(101)、有源区结P+部分(102)、第一部分阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层(106)、第二部分阳极电极(107)；还包括有源区结P部分(103)，所述有源区结P部分(103)包围有源区结P+部分区域(102)。本发明将结终端保护环与二极管有源区同时形成，并且所有区域102都在区域103中形成，在不牺牲器件正向特性，输出电容的前提下，提高了结势垒肖特基二极管器件的耐压。本发明与普通MPS、JBS工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。

公开(公告)号：CN202167495U

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201120167436.1

申请日：2011-05-24

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  李婷 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/872

Abstract: 本实用新型提供的是一种改进的混合整流二极管结构，包括N+衬底区(100)、N型漂移区(101)、有源区结P+部分(102)、第一部分阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层(106)、第二部分阳极电极(107)；还包括有源区结P部分(103)，所述有源区结P部分(103)包围有源区结P+部分(102)。本实用新型将结终端保护环与二极管有源区同时形成，并且所有区域(102)都在区域(103)中形成，在不牺牲器件正向特性，输出电容的前提下，提高了结势垒肖特基二极管器件的耐压。本实用新型与普通MPS、JBS工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。

公开(公告)号：CN203038923U

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201220514766.8

申请日：2012-10-09

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  杨晓亮 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L27/12

Abstract: 本实用新型涉及集成电路领域，具体涉及一种抗辐射加固的绝缘体上硅结构。本实用新型在多晶硅衬底上覆盖有多晶硅氧化层（201），氧化层上覆盖有半绝缘多晶硅膜（301），半绝缘多晶硅层上覆盖有二氧化硅层（401），二氧化硅层上覆盖有多晶硅层（601）。在多晶硅衬底和该结构最上方的多晶硅层之间有通孔（501）。本实用新型提出了特别设计在双层SiO2层中加入具有平衡电荷作用的半绝缘性多晶硅膜（SIPOS）而形成的结构作为SOI结构的隐埋绝缘层，并在该隐埋绝缘层上设计出通孔结构，将其作为利用选择外延生长形成顶层SOI层的窗口，并兼有导热和传导电荷作用，改善了SOI器件导热、散热能力和抗总剂量辐射性能，达到了提高SOI器件的热稳定性和抗辐射加固目的。

公开(公告)号：CN201877432U

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201020619724.1

申请日：2010-11-23

Applicant: 哈尔滨工程大学

Inventor： 王颖 ,  焦文利 ,  曹菲 ,  刘云涛 ,  邵雷

IPC: H01L29/812

Abstract: 本实用新型提供的是一种自对准内嵌肖特基结的功率半导体场效应晶体管。包括漏区、漂移区、栅氧化层、栅电极、场氧化层、沟道区、侧壁氧化层、阳极和源电极；在漏区之上形成位于基底上的漂移区掺杂层；在所述掺杂层上形成栅极区，栅极区包括栅氧化层、栅电极与场氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的侧壁氧化层；在所述掺杂层之上形成位于栅极区两侧的源极区，源极区包括沟道区、阳极与源电极；阳极与漂移区形成肖特基接触，其中阳极与源电极短接。本实用新型与常规功率MOSFET晶体管工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。