太阳能集热供暖装置
    23.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108240677A

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201810161149.6

    申请日:2018-02-27

    CPC classification number: Y02E10/40 F24D15/02 F24D2200/14

    Abstract: 本发明属于太阳能供暖设备技术领域,具体涉及一种太阳能集热供暖装置。本发明所述的太阳能集热供暖装置,包括:集热器,所述集热器包括壳体,所述壳体的内部设有导管,所述壳体的顶部设有水袋,所述导管的一端与所述水袋的内部相通连接,所述导管的另一端与出水管连接;和储水罐,所述储水罐通过所述出水管与所述导管相通连接,所述出水管上设有循环泵,通过所述循环泵的运转能够将所述集热器的内部的加热水输送至所述储水罐内。通过使用本发明所述的太阳能集热供暖装置,安装简单,使用方便,能够利用集热器对水液进行预热升温,并能够将升温后的水液储存在储水罐内,减少了对水液进行加热时的能源消耗,提高了能源利用率。

    一种气氛退火改善印刷金属氧化物薄膜晶体管场效应性能的方法

    公开(公告)号:CN119132965A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202410703792.2

    申请日:2024-06-03

    Abstract: 本发明属于印刷光电子器件制备领域,特别涉及一种气氛退火改善印刷金属氧化物薄膜晶体管场效应性能的方法。本发明提供的改善印刷薄膜晶体管场效应性能的方法,包括以下步骤:切割Si/SiO2基底并超声清洗10分钟;置于气体等离子体发生装置中去除基底表面吸附的杂质;二水合乙酸锌、二水合氯化亚锡以及水合硝酸铟溶于乙二醇甲醚;打印薄膜晶体管器件有源层并进行550摄氏度空气氛围退火处理;为提高薄膜晶体管场效应性能,对金属氧化物有源层材料进行550摄氏度真空氛围下退火处理;利用高精量喷墨打印设备打印薄膜晶体管源、漏电极。本发明提供的方法可提高印刷金属氧化物薄膜晶体管的场效应性能,满足目前光电子器件对印刷驱动器件高电学性能的需求。

    一种氧化锌基薄膜晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN114864407A

    公开(公告)日:2022-08-05

    申请号:CN202210544965.1

    申请日:2022-05-19

    Abstract: 本发明公开了一种氧化锌基薄膜晶体管的制备方法,包括如下步骤:步骤一、对衬底进行预处理后,在所述衬底上制备铝薄膜作为栅电极,得到第一基底;步骤二、在所述栅电极上制备Ta2O5薄膜作为栅介质层,得到第二基底;步骤三、通过光刻剥离方法在所述栅介质层上刻蚀出有源层区域,并在所述有源层区域制备WZO薄膜作为有源层,得到第三基底;其中,制备WZO薄膜的方法为:采用金属W靶材和ZnO靶材,通过反应溅射获得WZO薄膜;所述W靶材的纯度为99.99%,所述ZnO靶材的纯度为99.99%;步骤四、在所述有源层上通过光刻剥离方法刻蚀出源、漏电极区域,并在所述源、漏电极区域蒸镀铝薄膜作为源、漏电极,得到晶体管。

    一种基于云计算的建筑安全监测管理方法

    公开(公告)号:CN114493306A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210115645.4

    申请日:2022-02-07

    Abstract: 本发明公开了一种基于云计算的建筑安全监测管理方法,包括:步骤一、根据采样周期,采集建筑物的建筑高度、占地面积、建造体积作为建筑物的外部结构信息;步骤二、采集建筑物的室内温度、室内碳氧化合物浓度和烟雾浓度,作为建筑物的内部消防信息;步骤三、将所述建筑物的外部结构信息和建筑物的内部消防信息与标准值进行匹配对比,输出匹配信息和无匹配信息,并对建筑物整体安全等级评定。通过将建筑物的外部结构信息和建筑物的内部消防信息与标准值进行匹配对比,输出匹配和非匹配数据,通过模糊控制对建筑物整体的安全等级进行评定,能够及时了解建筑安全情况,提高建筑物的安全性能。

    一种源漏电极的光刻方法、薄膜晶体管的制备方法

    公开(公告)号:CN114300342A

    公开(公告)日:2022-04-08

    申请号:CN202111543754.8

    申请日:2021-12-16

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,特别涉及一种源漏电极的光刻方法、薄膜晶体管的制备方法。本发明提供的源漏电极的光刻方法,包括以下步骤:将图案化的有源层的表面进行部分匀胶,干燥,得到部分覆盖有光刻胶的图案化有源层;利用所述部分覆盖有光刻胶的图案化有源层中未匀胶部分,将所述部分覆盖有光刻胶的图案化有源层对焦制备源漏电极的光刻掩膜版,进行紫外光曝光和生长,在图案化的有源层表面形成源漏电极。本发明对图案化后的有源层进行部分涂覆光刻胶,其未旋涂光刻胶部分可作为对准参照,使覆盖有光刻胶的图案化有源层精准对焦制备源漏电极的光刻掩膜版的沟道位置。

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