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公开(公告)号:CN1431339A
公开(公告)日:2003-07-23
申请号:CN03110977.2
申请日:2003-01-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于有机电致发光镀膜机的坩锅式蒸发源。坩锅式蒸发源由支座、热电偶测温系统、加热体炉子及坩锅组成。炉子由上、下两个95#陶瓷圆环片(9)、金属钼炉丝(8)、位于上下两个陶瓷圆环片(9)间的筒状石英玻璃内屏蔽层(7)和筒状不锈钢外屏蔽层(6)组成,炉丝(8)上下回绕、通过另一小陶瓷圆环(12)嵌于两个陶瓷圆环片(9)内;上下两个95#陶瓷圆环片(9)用3个钼螺丝杆(5)连接在一起,炉体可以稳固地放置在陶瓷绝缘支座(4)上。该蒸发源具有寿命长、终年不需更换和维护、控温性能优越、蒸发速率稳定、保温性能好、同一真空室的各个蒸发源之间不互相污染、操作方便等优点。
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公开(公告)号:CN1221215A
公开(公告)日:1999-06-30
申请号:CN98124267.7
申请日:1998-11-06
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明为一种有机多量子阱结构白光电致发光器件。从属于光学光电子领域。采用量子阱结构制备有机白光器件,可以不考虑各发光层之间的能带匹配问题,有利于提高器件的发光效率。以红,绿和蓝三种不同有机染料为量子阱发光层,载流子被限制在这些量子阱发光层中,从不同的阱中分别产生黄,绿和蓝三色光,从而产生白光。目前该器件的最大亮度为4000尼特,发光效率为0.4流明/瓦,在电压变化过程中该器件的色坐标都在白光区内。
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公开(公告)号:CN1043174C
公开(公告)日:1999-04-28
申请号:CN96100079.1
申请日:1996-01-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明“五段式碰撞脉冲锁模量子阱激光器”属信息技术领域。用于产生半导体超短光脉冲。本发明的五段式锁模激光器是在三段式结构的基础上,在吸收体和增益段之间引入两个“调节段”、调整其偏置条件,可以实现最强的碰撞脉冲效应、克服不均匀性和碰撞偏离的影响。有源区采用了五个周期InGaAsP量子阱结构,是理想的增益吸收介质。在激光器腔面蒸镀高反膜,两个端面的反射率相等,在50%-60%之间。目的在于克服自脉动。
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公开(公告)号:CN1134616A
公开(公告)日:1996-10-30
申请号:CN96100079.1
申请日:1996-01-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明“五段式碰撞脉冲锁模量子阱激光器”属信息技术领域。用于产生半导体超短光脉冲。本发明的五段式锁模激光器是在三段式结构的基础上,在吸收体和增益段之间引入两个“调节段”,调整其偏置条件,可以实现最强的碰撞脉冲效应,克服不均匀性和碰撞偏离的影响。有源区采用了五个周期InGaAsP量子阱结构,是理想的增益吸收介质。在激光器腔面蒸镀高反膜,两个端面的反射率相等,在50%—60%之间。目的在于克服自脉动。
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公开(公告)号:CN1040401A
公开(公告)日:1990-03-14
申请号:CN89102308.9
申请日:1989-04-14
Applicant: 吉林大学
IPC: C30B29/42 , C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明为一种在InP衬底上生长GaAs单晶薄膜的氯化物VPE技术。通过对衬底非生长区域的介质膜保护,分步预热与低温快速生长,抑制了InP衬底的热损伤。对衬底温度与载气H2流量耦合调制,形成多界面应力释放层,使3.7%的晶格失配应力引起的斜位错终止于界面,降低外延层的位错密度,提高晶体质量。其优点是设备简单、操作方便,GaAs外延层具有良好的结晶学特性、电学特性与光谱学特性。
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公开(公告)号:CN103746079B
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201410035606.9
申请日:2014-01-24
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种单层结构的倒置顶发射有机电致发光器件,属于有机光电子器件技术领域。本发明所述结构的倒置顶发射有机电致发光器件依次由衬底、阴极、单层有机功能层、透明阳极组成。单层有机功能层由两种有机染料以掺杂剂的形式共同掺杂在单一母体材料中构成,其中母体材料采用电子迁移率较高的有机材料,而两种有机染料各司其职,一种有机染料作用是俘获空穴,另一种有机染料用于发光。本发明所述结构的器件,扩大了激子复合区域,有利于实现单层有机功能层内的电子、空穴的平衡,具有高效率、低效率滚降、电致发光光谱稳定等优点。
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公开(公告)号:CN103730588A
公开(公告)日:2014-04-16
申请号:CN201310753455.6
申请日:2013-12-31
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L51/504 , H01L51/0035 , H01L51/56
Abstract: 一种基于单层发光单元的叠层有机电致发光器件,属于有机电致发光器件技术领域。该器件依次由衬底、阳极、交替排列的单层有机发光单元和电荷生成层、阴极组成。单层有机发光单元由有机发光染料以掺杂剂的形式掺杂在母体材料中构成,其中奇数层发光单元的母体材料采用空穴迁移率较高的有机材料,偶数层发光单元的母体材料采用电子迁移率较高的有机材料。由于发光单元采用了单层结构,减少了叠层器件的功能层的层数,有利于叠层器件的制备。此外,由于电荷生成层所采用的有机材料的载流子传输极性与临近的单层发光单元的母体材料不一致,保证了每个发光单元的激子复合区域远离阴、阳极,减弱了在传统的单层器件中的激子淬灭效应,保证了这种结构的叠层器件具有较好的性能。
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公开(公告)号:CN102097593B
公开(公告)日:2012-11-28
申请号:CN201010572408.8
申请日:2010-12-02
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种具有掺杂磷光材料给体层的有机太阳能电池。本发明所述结构的器件,由阳极、空穴传输层、给体层、受体层、电子传输层和阴极组成,其特征在于:在空穴传输层和给体层之间还制备有一层掺杂磷光材料的给体层。磷光材料为Ir(btp)(acac)2]、Ir(piq)3]、[Ir(ppy)(acac)]、(F-BT)2-Ir(acac)]、Ir(piq)2(acac)或Ir(ppy)3,磷光材料的掺杂浓度的为3wt%~15wt%。该发明的结构通过采用将磷光材料掺入距离D/A界面较远的给体材料中,在提高激子的利用的效率的同时,既结合了给体材料较好的光吸收特性和载流子传输性能,又减弱了掺杂对载流子迁移率的影响。
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公开(公告)号:CN101123299A
公开(公告)日:2008-02-13
申请号:CN200710056019.8
申请日:2007-08-31
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于有机电致发光领域,具体涉及一种蓝光顶发射有机电致发光器件,结构依次包括衬底、金属阳极、有机功能层、金属阴极和反射相移调节层,有机功能层中依次包括空穴传输层、蓝光发光层、和电子传输层。反射相移调节层的引入可以调节顶发射器件中阴极的反射相移,从而改变器件的有效腔长,达到调节器件共振波长的目的,最终实现高性能的蓝光顶发射器件的制备。本发明提出的蓝光顶发射有机电致发光器件,克服了以往需要通过降低有机层厚度制备蓝光顶发射器件稳定性差、效率低的缺点,同时还克服了利用高阶共振膜制备蓝光顶发射器件效率低的缺点。本发明制备的蓝光顶发射有机电致发光器件具有高亮度,高效率,色纯度好的优点。
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公开(公告)号:CN101022157A
公开(公告)日:2007-08-22
申请号:CN200710055435.6
申请日:2007-03-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于有机电致发光领域,涉及一种有机电致白光器件。该白光器件包括透明基片(1)、阳极层(2)、有机空穴注入层(3)、有机空穴传输层(4)、有机发光层(5)、有机空穴阻挡层(6)、电子传输层(7)以及阴极层(8);其中有机发光层(5)为多发光层结构,由蓝光发光层、绿光发光层、黄光和红光发光层组成,其中蓝光发光层发射荧光,另外两个发光层发射磷光。通过在两层磷光发光层之间加入一层双传输极性的母体材料消除该两个发光层相互之间的能量转移以及交换该两层磷光发光层的位置可进一步提高器件的发光效率和亮度,能够得到比较接近于可实用化白光照明水平的器件,在显示以及照明领域有广阔的应用前景。
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