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公开(公告)号：CN1040401A
公开(公告)日：1990-03-14
申请号：CN89102308.9
申请日：1989-04-14
Applicant: 吉林大学
IPC: C30B29/42 , C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明为一种在InP衬底上生长GaAs单晶薄膜的氯化物VPE技术。通过对衬底非生长区域的介质膜保护，分步预热与低温快速生长，抑制了InP衬底的热损伤。对衬底温度与载气H2流量耦合调制，形成多界面应力释放层，使3.7％的晶格失配应力引起的斜位错终止于界面，降低外延层的位错密度，提高晶体质量。其优点是设备简单、操作方便，GaAs外延层具有良好的结晶学特性、电学特性与光谱学特性。
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