公开(公告)号：CN1644754A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410011164.0

申请日：2004-10-19

Applicant: 吉林大学 ,  大连理工大学 ,  沈阳市超高真空应用技术研究所

Inventor： 杜国同 ,  杨树人 ,  王秋来 ,  胡礼中

IPC: C23C16/455 ,  C30B25/02 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌薄膜的低压金属有机化学气相淀积设备及其工艺。设备由气体输运系统、反应室(101)、与反应室相联的衬底样品预处理室(102)、控制系统、尾气处理系统等部分构成。与反应室相联的衬底样品预处理室(102)由衬底样品预处理室由预处理室外壁(21)、样品托盘架(22)、样品台(23)、预处理室抽气孔(24)、等离子发生器(25)、等离子发生器装置法兰(26)、衬底样品预处理室与反应室的连接闸板阀(27)、闸板阀法兰(28)、磁力传送杆(29)、磁套(30)、传送杆法兰(31)等部件构成。本发明的优点是可提高ZnO薄膜生长质量和均匀性，有利于p型或高阻掺杂。

公开(公告)号：CN1043174C

公开(公告)日：1999-04-28

申请号：CN96100079.1

申请日：1996-01-08

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙洪波 ,  李玉东 ,  胡礼中 ,  苏士昌 ,  于广辉 ,  刘式墉

IPC: H01S3/18 ,  H01S3/098 ,  H01S3/085

Abstract: 本发明“五段式碰撞脉冲锁模量子阱激光器”属信息技术领域。用于产生半导体超短光脉冲。本发明的五段式锁模激光器是在三段式结构的基础上，在吸收体和增益段之间引入两个“调节段”、调整其偏置条件，可以实现最强的碰撞脉冲效应、克服不均匀性和碰撞偏离的影响。有源区采用了五个周期InGaAsP量子阱结构，是理想的增益吸收介质。在激光器腔面蒸镀高反膜，两个端面的反射率相等，在50%-60%之间。目的在于克服自脉动。

公开(公告)号：CN1134616A

公开(公告)日：1996-10-30

申请号：CN96100079.1

申请日：1996-01-08

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙洪波 ,  李玉东 ,  胡礼中 ,  苏士昌 ,  于广辉 ,  刘式墉

IPC: H01S3/18 ,  H01S3/098 ,  H01S3/085

Abstract: 本发明“五段式碰撞脉冲锁模量子阱激光器”属信息技术领域。用于产生半导体超短光脉冲。本发明的五段式锁模激光器是在三段式结构的基础上，在吸收体和增益段之间引入两个“调节段”，调整其偏置条件，可以实现最强的碰撞脉冲效应，克服不均匀性和碰撞偏离的影响。有源区采用了五个周期InGaAsP量子阱结构，是理想的增益吸收介质。在激光器腔面蒸镀高反膜，两个端面的反射率相等，在50％—60％之间。目的在于克服自脉动。

公开(公告)号：CN1328410C

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200410011164.0

申请日：2004-10-19

Applicant: 吉林大学 ,  大连理工大学 ,  沈阳市超高真空应用技术研究所

Inventor： 杜国同 ,  杨树人 ,  王秋来 ,  胡礼中

IPC: C23C16/455 ,  C30B25/02 ,  C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌薄膜的低压金属有机化学气相淀积设备及其工艺。设备由气体输运系统、反应室(101)、与反应室相联的衬底样品预处理室(102)、控制系统、尾气处理系统等部分构成。与反应室相联的衬底样品预处理室(102)由衬底样品预处理室由预处理室外壁(21)、样品托盘架(22)、样品台(23)、预处理室抽气孔(24)、等离子发生器(25)、等离子发生器装置法兰(26)、衬底样品预处理室与反应室的连接闸板阀(27)、闸板阀法兰(28)、磁力传送杆(29)、磁套(30)、传送杆法兰(31)等部件构成。本发明的优点是可提高ZnO薄膜生长质量和均匀性，有利于p型或高阻掺杂。

公开(公告)号：CN1025137C

公开(公告)日：1994-06-22

申请号：CN89108327.8

申请日：1989-11-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 胡礼中 ,  刘式墉

IPC: H01S3/19 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明为一种制作GaAlAs隐埋异质结激光器的简单实用方法。本发明利用液相外延中的伴生现象获得一伴生高阻层来有效地限制器件的侧向电流从而使器件的制作工艺简化、工作速度提高。其优点在于方法简单、容易实现、重复性好，适用于制作光电集成器件。

公开(公告)号：CN1051464A

公开(公告)日：1991-05-15

申请号：CN89108327.8

申请日：1989-11-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 胡礼中 ,  刘式墉

IPC: H01S3/19 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明为一种制作GaAlAs隐埋异质结激光器的简单实用方法。本发明利用液相外延中的伴生现象获得一伴生高阻层来有效地限制器件的侧向电流，从而使器件的制作工艺简化、工作速度提高。其优点在于方法简单、容易实现、重复性好。适用于制作光电集成器件。

公开(公告)号：CN2793100Y

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200420012615.8

申请日：2004-10-19

Applicant: 吉林大学 ,  大连理工大学 ,  沈阳市超高真空应用技术研究所

Inventor： 杜国同 ,  杨树人 ,  王秋来 ,  胡礼中

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/02

Abstract: 本实用新型涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌薄膜的低压金属有机化学气相淀积设备。设备由气体输运系统、反应室(101)、与反应室相联的衬底样品预处理室(102)、控制系统、尾气处理系统等部分构成。与反应室相联的衬底样品预处理室(102)由衬底样品预处理室由预处理室外壁(21)、样品托盘架(22)、样品台(23)、预处理室抽气孔(24)、等离子发生器(25)、等离子发生器装置法兰(26)、衬底样品预处理室与反应室的连接闸板阀(27)、闸板阀法兰(28)、磁力传送杆(29)、磁套(30)、传送杆法兰(31)等部件构成。本实用新型的优点是可提高ZnO薄膜生长质量和均匀性，有利于p型或高阻掺杂。