公开(公告)号：CN1043174C

公开(公告)日：1999-04-28

申请号：CN96100079.1

申请日：1996-01-08

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙洪波 ,  李玉东 ,  胡礼中 ,  苏士昌 ,  于广辉 ,  刘式墉

IPC: H01S3/18 ,  H01S3/098 ,  H01S3/085

Abstract: 本发明“五段式碰撞脉冲锁模量子阱激光器”属信息技术领域。用于产生半导体超短光脉冲。本发明的五段式锁模激光器是在三段式结构的基础上，在吸收体和增益段之间引入两个“调节段”、调整其偏置条件，可以实现最强的碰撞脉冲效应、克服不均匀性和碰撞偏离的影响。有源区采用了五个周期InGaAsP量子阱结构，是理想的增益吸收介质。在激光器腔面蒸镀高反膜，两个端面的反射率相等，在50%-60%之间。目的在于克服自脉动。

公开(公告)号：CN1134616A

公开(公告)日：1996-10-30

申请号：CN96100079.1

申请日：1996-01-08

Applicant: 吉林大学

Inventor： 孙洪波 ,  李玉东 ,  胡礼中 ,  苏士昌 ,  于广辉 ,  刘式墉

IPC: H01S3/18 ,  H01S3/098 ,  H01S3/085

Abstract: 本发明“五段式碰撞脉冲锁模量子阱激光器”属信息技术领域。用于产生半导体超短光脉冲。本发明的五段式锁模激光器是在三段式结构的基础上，在吸收体和增益段之间引入两个“调节段”，调整其偏置条件，可以实现最强的碰撞脉冲效应，克服不均匀性和碰撞偏离的影响。有源区采用了五个周期InGaAsP量子阱结构，是理想的增益吸收介质。在激光器腔面蒸镀高反膜，两个端面的反射率相等，在50％—60％之间。目的在于克服自脉动。