公开(公告)号：CN113809046A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110734479.1

申请日：2021-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱德馨 ,  赖韦安 ,  沈孟弘 ,  林威呈 ,  曾健庭 ,  萧锦涛

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开提供了一种互连结构、半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底；第一金属线，位于所述衬底上方并且沿第一方向延伸；保护层，衬垫所述第一金属线的侧壁；第二金属线，位于所述第一金属线上并且沿所述第一方向延伸；第三金属线，位于所述第二金属线上方并且沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸。

公开(公告)号：CN110828448A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201811189027.4

申请日：2018-10-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦安 ,  庄惠中 ,  曾健庭 ,  林威呈 ,  袁立本 ,  陈彦豪

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088

Abstract: 在一实施例中，集成电路单元包括第一电路组件及第二电路组件。第一电路组件包括在集成电路单元的高鳍片部分中形成的鳍片场效晶体管(FinFETs)，集成电路的高鳍片部分包括成行布置的多个鳍片结构。第二电路组件包括在集成电路单元的较少鳍片部分中形成的鳍片场效晶体管，集成电路的较少鳍片部分比集成电路单元的高鳍片部分包括更少数目的鳍片结构。

公开(公告)号：CN110728104A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910566417.7

申请日：2019-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林威呈 ,  杨惠婷 ,  曾健庭 ,  袁立本 ,  赖韦安

IPC: G06F30/39

Abstract: 一种修改多鳍片高度集成电路的方法包含以下的操作：识别集成电路的至少两个含鳍片功能区域；针对一连串鳍片高度中每一鳍片高度产生集成电路的每一含鳍片功能区域的效能曲线；以及决定对于每一效能曲线而言是否存在拐点。方法进一步包含关于以下的操作：选择含鳍片功能区域中每一者的效能特性的值，选定值在含鳍片功能区域中的每一者中具有对应的鳍片高度；修改每一含鳍片功能区域以具有对应于效能特性的选定值的鳍片高度；以及组合经修改的含鳍片功能区域以形成经修改的集成电路。本案通过调整鳍片尺寸修改集成电路的电导参数以降低功耗。