公开(公告)号：CN113555384A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110635531.8

申请日：2021-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴咏捷 ,  何彦忠 ,  许秉诚 ,  马礼修 ,  林仲德

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/11504 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11587 ,  H01L27/1159

Abstract: 一种半导体装置，包含至少一个选择器装置。每个选择器装置包括自底部至顶部包含底部电极、金属氧化物半导体通道层、以及顶部电极，且位于一基板上方的垂直堆叠；接触底部电极、金属氧化物半导体通道层、以及顶部电极的侧壁的栅极介电层；以及形成于栅极介电层之中，且所具有的顶部表面与顶部电极的顶部表面共平面的栅极电极。上述至少一个选择器装置的每个顶部电极或每个底部电极可接触对应的非易失性存储器元件，以提供单选择器‑单电阻器存储器单元。

公开(公告)号：CN113540147A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110719238.X

申请日：2021-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴咏捷 ,  何彦忠 ,  魏惠娴 ,  游嘉榕 ,  许秉诚 ,  马礼修 ,  林仲德

IPC: H01L27/22 ,  H01L27/24

Abstract: 半导体器件包括位于下部层级介电材料层上方的半导体金属氧化物鳍、位于半导体金属氧化物鳍的顶面和侧壁上的栅极介电层、位于栅极介电层上并且跨越半导体金属氧化物鳍的栅电极、嵌入有栅电极和半导体金属氧化物鳍的存取层级介电材料层、嵌入在存储器层级介电材料层中并且包括第一电极、存储器元件和第二电极的存储器单元以及位于存储器单元上面的位线。第一电极可以通过第一导电路径电连接至半导体金属氧化物鳍内的漏极区域，并且第二电极电连接至位线。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法、存储器阵列。

公开(公告)号：CN113488477A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110692688.4

申请日：2021-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴咏捷 ,  何彦忠 ,  魏惠娴 ,  游嘉榕 ,  许秉诚 ,  马礼修 ,  林仲德

IPC: H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24

Abstract: 一种存储器结构、器件及其制造方法，该存储器结构包括围绕栅极薄膜晶体管(TFT)和堆叠在GAA晶体管上的存储器单元。GAA晶体管包括：沟道，包括半导体材料；源电极，电连接至沟道的第一端；漏电极，电连接至沟道的相反的第二端；高k介电层，围绕沟道；以及栅电极，围绕高k介电层。存储器单元包括电连接至漏电极的第一电极。

公开(公告)号：CN105789274A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201410803489.6

申请日：2014-12-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志雄 ,  张嘉德 ,  徐帆毅 ,  许秉诚

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 本发明提供了半导体结构，该半导体结构包括具有表面的半导体层和位于半导体层的表面上方的限定金属栅极的层间电介质(ILD)。该金属栅极包括高k介电层、覆盖层和功函金属层。远离覆盖层的拐角的覆盖层侧壁的厚度基本上薄于覆盖层底部的中心周围的厚度。本发明提供了制造半导体结构的方法。该方法包括：形成金属栅极凹槽，形成高k介电层，形成第一覆盖层，在第一覆盖层上形成第二覆盖层，去除或减薄第一覆盖层侧壁，以及去除第二覆盖层。