公开(公告)号：CN102736015A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210057625.2

申请日：2012-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王敏哲 ,  彭经能 ,  林鸿志 ,  陈颢

IPC: G01R31/28

CPC classification number: G01R31/287 ,  G01R31/2856 ,  G01R31/2863 ,  G01R31/2874 ,  G01R31/2875

Abstract: 建立了堆叠的系统中的管芯的多组测试条件，其中，多组测试条件是管芯的温度的函数，并且其中，堆叠的系统包括多个堆叠的管芯。测量出管芯的温度。从多组测试条件中找出管芯的相应的测试条件组，其中，测试条件组对应于温度。在该温度中，使用测试条件组测试管芯，从而生成测试结果。本发明公开了一种基于热和应力条件的动态测试。

公开(公告)号：CN109585317A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810619055.9

申请日：2018-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱当荣 ,  林鸿志 ,  王敏哲

IPC: H01L21/66

Abstract: 一种测试具有多个电端子的集成电路封装的测试设备包括基座、插座、多个导电引脚及多个导电柱。所述基座包括多个电接点。所述插座设置在基座上且包括往远离基座方向弯曲的弯曲部分及分布在插座中的多个贯穿孔。所述导电引脚分别设置在贯穿孔中且电连接到电接点，其中所述导电引脚中的每一者从插座的上表面突出以形成与电端子中的一者的暂时电连接。所述导电柱设置在基座上且连接到弯曲部分，其中所述导电柱中的每一者电连接导电引脚中的一者与电接点中的一者。

公开(公告)号：CN109425810A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710712004.6

申请日：2017-08-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈颢 ,  林鸿志 ,  王敏哲

IPC: G01R31/26

Abstract: 本揭露提供一种半导体测试装置、半导体测试系统以及半导体测试方法，其中半导体测试装置包含：衬底；金手指触片结构，放置于所述衬底的一侧。本揭露提供的半导体测试装置可以提升开发阶段时的板阶可靠度测试(Board Level Reliability Tests,BLRT)的效率。

公开(公告)号：CN104237577A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201310370282.X

申请日：2013-08-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王敏哲 ,  彭经能 ,  林鸿志 ,  陈颢 ,  李尚儒

IPC: G01R1/073 ,  G01R31/28 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R31/318511 ,  G01R31/2889 ,  G01R31/318513

Abstract: 本发明提供了一种用于测试晶圆的系统，包括探针卡和晶圆。探针卡包括至少一个第一探针位和至少一个第二探针位。晶圆包括多个管芯。至少一个第一探针位被配置为用于第一测试，而至少一个第二探针位被配置为用于第二测试。多个管芯中的每一个管芯都与第一探针焊盘和第二探针焊盘相对应。至少一个第一探针位中的每一个探针位都被配置为接触多个管芯中的每一个管芯的第一探针焊盘。至少一个第二探针位中的每一个探针位都被配置为接触多个管芯中的每一个管芯的第二探针焊盘。本发明还公开了晶圆测试的方法和装置。

公开(公告)号：CN102456668A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110317964.5

申请日：2011-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林鸿志 ,  王敏哲 ,  彭经能 ,  陈颢

IPC: H01L23/544

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L24/02 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06596 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 将基板上的或者3维集成电路(3DIC)中的多个穿透硅通孔(TSV)链接在一起。将TSV链接在一起，从而增大了电信号。多个测试焊盘能够用于测试TSV。一个测试焊盘接地。剩下的测试焊盘电连接到链中的TSV，或者接地。

公开(公告)号：CN101106159B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200710000298.6

申请日：2007-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏年 ,  林鸿志 ,  黄调元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种鳍式场效电晶体或是其他型式的多栅极电晶体。该电晶体具有一半导体基材以及一半导体鳍片。该半导体基材具有一第一晶格常数。该半导体鳍片由该半导体基材延伸而出，并具有一第二晶格常数、一顶面以及两相对的侧壁面。该第二晶格常数相异于该第一晶格常数。该电晶体更包括有一栅极介电层以及一栅极电极。栅极介电层覆盖于该顶面以及两侧壁面的至少一部份上。栅极电极覆盖于该栅极介电层的至少一部份上。藉由半导体基材与半导体鳍片两者间晶格不匹配感应产生通道中的应变。并可藉由材料的选择来调整此一应变量。

公开(公告)号：CN101106159A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710000298.6

申请日：2007-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏年 ,  林鸿志 ,  黄调元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/1054 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种鳍式场效电晶体或是其他型式的多栅极电晶体。该电晶体具有一半导体基材以及一半导体鳍片。该半导体基材具有一第一晶格常数。该半导体鳍片由该半导体基材延伸而出，并具有一第二晶格常数、一顶面以及两相对的侧壁面。该第二晶格常数相异于该第一晶格常数。该电晶体更包括有一栅极介电层以及一栅极电极。栅极介电层覆盖于该顶面以及两侧壁面的至少一部份上。栅极电极覆盖于该栅极介电层的至少一部份上。藉由半导体基材与半导体鳍片两者间晶格不匹配感应产生通道中的应变。并可藉由材料的选择来调整此一应变量。