公开(公告)号：CN104051249B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201310593960.9

申请日：2013-11-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文杰 ,  曾仁洲 ,  宋明相

IPC: H01L21/28 ,  H01L27/02 ,  H01L23/60

Abstract: 本发明公开了一种集成电路器件，包括生长在衬底上的至少两个外延生长有源区，有源区置于两个栅极器件之间。该器件还包括位于两个外延生长有源区之间的至少一个伪栅极。每个有源区的长度都大致相同。本发明还公开了改善的栅极间的外延生长。

公开(公告)号：CN103187413B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210102135.X

申请日：2012-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文杰 ,  娄经雄 ,  曾仁洲

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/73 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/732 ,  H01L29/74

Abstract: 提供了一种静电放电(ESD)保护器件。该ESD包括由具有第一掺杂类型的半导体材料形成的阱区和由具有第二掺杂类型的半导体材料形成的浮置基极。该浮置基极垂直设置在阱区的上方。该ESD还包括由具有第三掺杂类型的半导体材料形成的第一终端接收区。该第一终端接收区垂直设置在浮置基极的上方。ESD还包括第二终端接收区。该第二终端接收区通过浅沟槽隔离(STI)区与第一终端接收区水平横向间隔分开。在一些实施例中，第二终端接收区由具有第三掺杂类型的半导体材料形成以形成双极结型晶体管(BJT)。在一些实施例中，第二终端接收区由具有第四掺杂类型的半导体材料形成以形成硅可控整流器(SCR)。本发明提供了用于ESD的垂直BJT和SCR。

公开(公告)号：CN103227202B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201310021916.0

申请日：2013-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 娄经雄 ,  李介文 ,  林文杰 ,  曾仁洲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L27/0255 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件可以包括用于ESD保护的位于finFET器件上的体接触件。半导体器件包括半导体鳍状件、源极/漏极区和体接触件。源极/漏极区和体接触件位于半导体鳍状件中。鳍状件的一部分在横向上位于源极/漏极区和体接触件之间。半导体鳍状件位于衬底上。本发明还提供了一种FinFET体接触件及其制造方法。

公开(公告)号：CN103311237B

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201310005164.9

申请日：2013-01-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文杰 ,  娄经雄 ,  曾仁洲

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/0248 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0266 ,  H01L27/027 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明公开了一种器件，该器件包括多个STI区、位于多个STI区之间且相互平行的多个半导体条以及位于半导体条上方的多个半导体鳍状件。栅堆叠件设置在多个半导体鳍状件的上方并横穿多个半导体鳍状件。漏极外延半导体区设置在栅堆叠件的一侧并与多个半导体鳍状件连接。漏极外延半导体区包括与半导体鳍状件相邻的第一部分，其中第一部分形成位于多个半导体条上方并与多个半导体条对准的连续区。漏极外延半导体区还包括与第一部分相比远离栅堆叠件的第二部分。第二部分中的每一个都位于一个半导体条上方并与该半导体条对准。第二部分相互平行并由介电材料相互分隔开。本发明还公开了基于FinFET的ESD器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN104637993A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410032858.6

申请日：2014-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 宋明相 ,  李介文 ,  张伊锋 ,  林文杰

IPC: H01L29/423 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/0251 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823493 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/66477

Abstract: 半导体布置包括阱区和设置在阱区内的第一区域。第一区域包括第一导电类型。半导体布置包括在第一区域的第一侧上设置在阱区之上的第一栅极。第一栅极包括背离阱区的第一顶面。第一顶面具有第一顶面积。半导体布置包括设置在第一栅极之上的第一栅极接触件。第一栅极接触件包括朝向阱区的第一底面。第一底面具有第一底面积。第一底面积覆盖第一顶面积的至少约三分之二。本发明还提供了促进提高热传导性的半导体布置。

公开(公告)号：CN103187413A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210102135.X

申请日：2012-04-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文杰 ,  娄经雄 ,  曾仁洲

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/73 ,  H01L29/74

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/732 ,  H01L29/74

Abstract: 本发明提供了一种静电放电(ESD)保护器件。该ESD包括由具有第一掺杂类型的半导体材料形成的阱区和由具有第二掺杂类型的半导体材料形成的浮置基极。该浮置基极垂直设置在阱区的上方。该ESD还包括由具有第三掺杂类型的半导体材料形成的第一终端接收区。该第一终端接收区垂直设置在浮置基极的上方。ESD还包括第二终端接收区。该第二终端接收区通过浅沟槽隔离(STI)区与第一终端接收区水平横向间隔分开。在一些实施例中，第二终端接收区由具有第三掺杂类型的半导体材料形成以形成双极结型晶体管(BJT)。在一些实施例中，第二终端接收区由具有第四掺杂类型的半导体材料形成以形成硅可控整流器(SCR)。本发明提供了用于ESD的垂直BJT和SCR。

公开(公告)号：CN118693072A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410697720.1

申请日：2024-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 竹立炜 ,  李介文 ,  林文杰 ,  刘守铭

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/822 ,  H02H9/04

Abstract: 一种半导体器件的静电放电(ESD)保护单元区域包括并联耦合在第一电源轨PRl和第二电源轨PR2之间的电阻器‑二极管梯和电源钳位电路。电阻器‑二极管梯还耦合在半导体器件的输入/输出(I/O)焊盘和半导体器件的核心电路之间。电阻器‑二极管梯包括：第一二极管，耦合在第一节点和第一电源轨之间；第一电阻器，耦合在第一节点和第二节点之间；第二二极管，耦合在第二节点和第一电源轨之间；第三二极管，耦合在第一节点和第二电源轨之间；以及第四二极管，耦合在第二节点和第二电源轨之间。第一节点耦合至I/O焊盘。电阻器‑二极管梯耦合在I/O焊盘和核心电路之间。

公开(公告)号：CN113178442A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110336488.5

申请日：2021-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许嘉麟 ,  叶昱宏 ,  苏郁迪 ,  林文杰

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/8249

Abstract: 骤回静电放电(ESD)保护电路包括：衬底中的第一阱、晶体管的漏极区、晶体管的源极区、晶体管的栅极区以及嵌入在第一阱中的第二阱。第一阱具有第一掺杂剂类型。漏极区在第一阱中，并且具有不同于第一掺杂剂类型的第二掺杂剂类型。源极区在第一阱中，具有第二掺杂剂类型，并且在第一方向上与漏极区分开。栅极区在第一阱和衬底上方。第二阱嵌入在第一阱中，并且与漏极区的部分相邻。第二阱具有第二掺杂剂类型。本发明的实施例还涉及ESD保护电路及其制造制造骤回ESD保护电路的方法。

公开(公告)号：CN105679755B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201410655989.X

申请日：2014-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宛彦 ,  林文杰 ,  苏郁迪 ,  陈柏廷 ,  曾仁洲 ,  陈国基 ,  张胜杰 ,  梁铭彰

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/761

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了电路器件。电路器件包括核心电路。该电路器件还包括具有第一掺杂剂类型的第一组保护环，第一组保护环围绕在核心电路的外围，第一组保护环包括第一保护环和第二保护环。该电路器件还包括具有第二掺杂剂类型的第二组保护环，第二掺杂剂类型与第一掺杂剂类型相反，其中，第二组保护环的至少一个保护环围绕在第一组保护环的至少一个保护环的外围，并且第二组保护环包括第三保护环和第四保护环。

公开(公告)号：CN118969788A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410871806.1

申请日：2024-07-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李介文 ,  林文杰 ,  张家荣

IPC: H01L27/02

Abstract: 本发明提供用于静电放电(ESD)保护的装置、电路及方法。静电放电(ESD)保护电路包括：第一晶体管，连接于第一电压与第二电压之间；以及第一控制电路，连接于第一电压与第二电压之间且被配置成向第一晶体管供应控制信号。电路更包括：第二晶体管，连接于第二电压与第三电压之间；以及第二控制电路，连接于第二电压与第三电压之间且被配置成向第二晶体管供应控制信号。第一控制电路及第二控制电路经由第一内连线及第二内连线彼此连接。第一晶体管及第二晶体管被配置成因应于静电放电事件而导通。