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公开(公告)号：CN113629049B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202011634055.X
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本文公开了一种静电放电器件。该静电放电器件包括静电放电(ESD)检测器、偏置发生器和ESD驱动器，该ESD驱动器包括彼此串联耦合的至少两个晶体管。ESD检测器被配置为检测输入信号并响应于检测到ESD事件而生成检测信号。偏置发生器被配置为根据检测信号生成偏置信号。至少两个晶体管根据偏置信号和逻辑控制信号来控制，并且将输入信号施加在至少两个晶体管两端。本文还公开了用于操作静电放电器件的方法。
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公开(公告)号：CN116525607A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310203195.9
申请日：2023-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本文公开了一种用于静电放电(ESD)保护的器件和方法。在一个方面，器件包括用于检测焊盘处的ESD的ESD检测器。在一个方面，器件包括彼此串联连接的P型晶体管和N型晶体管。在一个方面，驱动电路配置为向焊盘提供输出信号。在一个方面，器件包括在电源域中操作的第一保护电路。在一个方面，响应于ESD检测器检测到ESD，第一保护电路配置为禁用P型晶体管。在一个方面，器件包括在另外的电源域中操作的第二保护电路。在一个方面，响应于ESD检测器检测到ESD，第二保护电路配置为禁用N型晶体管。
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公开(公告)号：CN114690826A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210042866.3
申请日：2022-01-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种集成电路以及操作集成电路的方法，集成电路包含一个高定限电路、一个低定限电路，及一个控制电路。高定限电路透过比较输入电压信号与高临界电压，来设置第一启动信号的逻辑准位。低定限电路透过比较输入电压信号与低临界电压，来设置第二启动信号的逻辑准位。当第一启动信号的逻辑准位及第二启动信号的逻辑准位连续变动时，控制电路将输出电压信号从第一电压准位改变至第二电压准位。
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公开(公告)号：CN112202441A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010652833.1
申请日：2020-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185
Abstract: 一种电路包括第一反相器和第二反相器。第一反相器耦合到输入端子。输入端子接收在第一电压域中变化的输入信号。第二反相器耦合在第一反相器和输出端子之间。第二反相器生成在第二电压域中变化的输出信号。第一反相器包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管。第一PMOS晶体管由从输入信号生成的第一输入跟踪信号偏置。第一输入跟踪信号在第三电压域中变化。第一NMOS晶体管由从输入信号生成的第二输入跟踪信号偏置。第二输入跟踪信号在第二电压域中变化。本公开的实施例还涉及缓冲器电路以及用于操作缓冲器电路的方法。
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公开(公告)号：CN112019204A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010398153.1
申请日：2020-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185
Abstract: 一种电平移位器，包括输入电路，具有配置为接收处于第一和第二电压电平互的补输入信号的第一和第二输入端子；交叉锁存电路，耦合至输入电路，交叉锁存电路具有配置为提供处于第三和第四电压电平的互补输出信号的第一和第二输出端子，其中，输入电路包括配置为基于输入信号输出处于第一和第四电压电平的第一和第二控制信号的第一和第二控制节点；以及跟踪电路，耦合至输入电路和交叉锁存电路，配置为基于第一和第二控制信号向交叉锁存电路输入第一和第二跟踪信号，其中，第一跟踪信号是第一和第三电压电平中的较大者，并且第二跟踪信号是第二和第三电压电平中的较大者。本发明的实施例还涉及电平移位方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112202441B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010652833.1
申请日：2020-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185
Abstract: 一种电路包括第一反相器和第二反相器。第一反相器耦合到输入端子。输入端子接收在第一电压域中变化的输入信号。第二反相器耦合在第一反相器和输出端子之间。第二反相器生成在第二电压域中变化的输出信号。第一反相器包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管。第一PMOS晶体管由从输入信号生成的第一输入跟踪信号偏置。第一输入跟踪信号在第三电压域中变化。第一NMOS晶体管由从输入信号生成的第二输入跟踪信号偏置。第二输入跟踪信号在第二电压域中变化。本公开的实施例还涉及缓冲器电路以及用于操作缓冲器电路的方法。
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公开(公告)号：CN113131922B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202011577552.0
申请日：2020-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明的实施例涉及一种电压跟踪电路及其操作方法。该电压跟踪电路包括第一、第二、第三和第四晶体管。第一晶体管在第一阱中，并且包括第一栅极、第一漏极和耦合至第一电压源的第一源极。第二晶体管包括第二栅极、第二漏极和第二源极。第二源极耦合至第一漏极。第二栅极耦合至第一栅极和焊盘电压端子。第三晶体管包括第三栅极、第三漏极和第三源极。第四晶体管包括第四栅极、第四漏极和第四源极。第四漏极耦合至第三源极。第四源极耦合至焊盘电压端子。至少第三晶体管在与第一阱不同的第二阱中，并且沿第一方向与第一阱分离。
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公开(公告)号：CN115864344A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210826749.6
申请日：2022-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H02H9/04
Abstract: 一种用于输入/输出(I/O)焊盘的静电放电(ESD)保护网络，包括驱动器堆栈，驱动器堆栈包括上分支和下分支，上分支电连接在具有第一参考电压的第一节点和I/O焊盘之间，下支路电连接I/O焊盘与具有第二参考电压的第二节点之间。第一ESD器件电连接在I/O焊盘和具有第三参考电压的第三节点之间；电源钳位器位于第三节点和第二节点之间。本申请的实施例还提供了一种保护输入/输出电路的方法。
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公开(公告)号：CN118969788A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410871806.1
申请日：2024-07-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明提供用于静电放电(ESD)保护的装置、电路及方法。静电放电(ESD)保护电路包括：第一晶体管，连接于第一电压与第二电压之间；以及第一控制电路，连接于第一电压与第二电压之间且被配置成向第一晶体管供应控制信号。电路更包括：第二晶体管，连接于第二电压与第三电压之间；以及第二控制电路，连接于第二电压与第三电压之间且被配置成向第二晶体管供应控制信号。第一控制电路及第二控制电路经由第一内连线及第二内连线彼此连接。第一晶体管及第二晶体管被配置成因应于静电放电事件而导通。
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公开(公告)号：CN113054988B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110147665.5
申请日：2021-02-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明的实施例涉及产生多选通通电控制信号的系统以及方法。一种系统(用于产生多选通通电控制信号)包括：多选通输入/输出(I/O)接口，被配置为接收至少第一选通信号和第二选通信号；以及选通通电控制(POC)信号发生器，被配置成为多选通I/O接口生成至少第一选通信号和第二选通信号，第一选通信号的波形不同于第二选通信号的波形。
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