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发明公开
电阻器-二极管梯区域、静电放电保护单元区域及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN118693072A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202410697720.1

申请日：2024-05-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 竹立炜 , 李介文 , 林文杰 , 刘守铭

IPC: H01L27/02 , H01L21/822 , H02H9/04

Abstract: 一种半导体器件的静电放电(ESD)保护单元区域包括并联耦合在第一电源轨PRl和第二电源轨PR2之间的电阻器‑二极管梯和电源钳位电路。电阻器‑二极管梯还耦合在半导体器件的输入/输出(I/O)焊盘和半导体器件的核心电路之间。电阻器‑二极管梯包括：第一二极管，耦合在第一节点和第一电源轨之间；第一电阻器，耦合在第一节点和第二节点之间；第二二极管，耦合在第二节点和第一电源轨之间；第三二极管，耦合在第一节点和第二电源轨之间；以及第四二极管，耦合在第二节点和第二电源轨之间。第一节点耦合至I/O焊盘。电阻器‑二极管梯耦合在I/O焊盘和核心电路之间。

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