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公开(公告)号:CN103401614B
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201310325139.9
申请日:2013-07-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 用于塑料光纤通信的光发射组件及其制备方法,涉及光发射芯片。芯片设有基底、光发射驱动电路和光源谐振腔光发射二极管;驱动电路设在基底上表面左半侧,在驱动电路左侧设有3个焊盘,在驱动电路右侧设有2个焊盘,在基底上表面右侧部分设有预留焊盘,右下焊盘与预留焊盘之间通过导线连接;二极管阴极端面通过银浆粘在预留焊盘上,阳极通过键合线与右上焊盘连接。在硅基底上左半侧形成光发射驱动电路,在驱动电路上左侧形成3个焊盘;在驱动电路右侧形成2个焊盘;在基底上右侧部分进行淀积金属铝板形成预留焊盘;在右下焊盘和预留焊盘之间相连;在预留焊盘上点上银浆,将二极管阴极端面粘在焊盘上,将二极管阳极接驱动电路右上焊盘上。
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公开(公告)号:CN103347351B
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201310324878.6
申请日:2013-07-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 一种用于塑料光纤通信的光发射芯片的驱动集成电路,涉及一种光发射芯片。设有输入缓冲器、预驱动放大电路、主驱动放大电路、温度补偿电路和参考电压产生电路;缓冲器输出端经预驱动放大电路接主驱动放大电路输入端,主驱动放大电路的一个输出端经第1电阻接电源,主驱动放大电路另一个输出端经第2电阻接光源谐振腔光发射二极管的阴极;参考电压产生电路设有7个输出端,其中,4个参考电流输出端分别接输入缓冲器、预驱动放大电路和主驱动放大电路;3个参考电压输出端中的1个参考电压输出端作为输入缓冲器和预驱动放大电路的电源电压,另2个参考电压输出端接温度补偿电路的输入端,温度补偿电路的输出端接主驱动放大电路的一端。
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公开(公告)号:CN104730654A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201510134514.0
申请日:2015-03-26
Applicant: 厦门大学
IPC: G02B6/42
CPC classification number: G02B6/4286 , G02B6/4246 , G02B6/4251
Abstract: 一种用于塑料光纤通信光收发芯片封装结构,涉及光电子器件。设有基座、4根管脚、基盖和球透镜;所述基座呈正方形,基座上表面设有圆形沉孔,圆形沉孔用于放置芯片,基座表面上设有4条管脚沉槽;4根管脚分别安装在4条管脚沉槽中;所述基盖呈正方形,基盖的几何中心设有沉孔;球透镜4插入沉孔并与基座和基盖装配成一体。同时适用于塑料光纤通信用的光电集成接收和发射芯片,在不增加封装总体积的前提下增大了外围焊区的面积,简化了芯片的接线工作,提高了塑料光纤传输系统的光耦合效率,简化现有封装时接线存在的一些问题,调整了底座与透镜卡槽之间的距离,同时增加了外围焊区的面积,实现了高效率的光耦合和接线工作。
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公开(公告)号:CN103347351A
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201310324878.6
申请日:2013-07-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 一种用于塑料光纤通信的光发射芯片的驱动集成电路,涉及一种光发射芯片。设有输入缓冲器、预驱动放大电路、主驱动放大电路、温度补偿电路和参考电压产生电路;缓冲器输出端经预驱动放大电路接主驱动放大电路输入端,主驱动放大电路的一个输出端经第1电阻接电源,主驱动放大电路另一个输出端经第2电阻接光源谐振腔光发射二极管的阴极;参考电压产生电路设有7个输出端,其中,4个参考电流输出端分别接输入缓冲器、预驱动放大电路和主驱动放大电路;3个参考电压输出端中的1个参考电压输出端作为输入缓冲器和预驱动放大电路的电源电压,另2个参考电压输出端接温度补偿电路的输入端,温度补偿电路的输出端接主驱动放大电路的一端。
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公开(公告)号:CN111537571A
公开(公告)日:2020-08-14
申请号:CN202010310167.3
申请日:2020-04-20
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本公开提供了一种单片集成的石墨烯气体探测放大芯片,包括:石墨烯气体传感器,石墨烯气体传感器检测目标气体的浓度,并基于目标气体的浓度生成模拟电信号;以及电路模块,电路模块对石墨烯气体传感器生成的模拟电信号进行处理;其中,石墨烯气体传感器和电路模块设置在同一芯片上,石墨烯气体传感器包括第一石墨烯传感器以及第二石墨烯传感器,第一石墨烯传感器检测目标气体的浓度,第二石墨烯传感器不检测目标气体的浓度。
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公开(公告)号:CN105021328B
公开(公告)日:2019-01-18
申请号:CN201510408223.6
申请日:2015-07-13
Applicant: 厦门大学
Abstract: CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器及其制备方法,涉及压力传感器,设有硅衬底、压变膜、压变电阻、金属引线、焊盘、引压腔、圆形通孔、硼硅玻璃底盖;压变膜设于硅衬底上,压变电阻设在压变膜的中间和边缘位置,压变电阻设至少2根;所述金属导线和焊盘设于压变膜的边缘位置,引压腔设于硅衬底背面,所述硼硅玻璃底盖与硅衬底的下部键合并形成硅/玻璃静电键合结构,硼硅玻璃底盖上设有圆形通孔,圆形通孔用于引入压力源;所述CMOS工艺兼容的压阻式压力传感器其制备方法如下:1)利用CMOS工艺制作压变电阻;2)制作金属引线、焊盘;3)在硅衬底背面刻蚀出引压腔窗口,制作压变膜;4)将硅衬底与硼硅玻璃底盖键合,划片。
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公开(公告)号:CN103972247B
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201410213806.9
申请日:2014-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/103 , H01L31/0352 , H01L31/0216
Abstract: 用于自动电力抄表系统的硅基单片光电集成接收芯片,涉及光电集成电路。设有硅基光电探测器和硅基光电探测器跟随的放大集成电路;所述硅基光电探测器的纵向结构自下而上依次是低掺杂的P型硅衬底、N阱、N型重掺杂硅、P型重掺杂硅、金属铝、三层的SiO2绝缘介质层、Si3N4表面钝化层;硅基光电探测器跟随的放大集成电路设有互阻前置放大器、限幅放大器和差分输出缓冲电路,互阻前置放大器的输入端接硅基光电探测器,互阻前置放大器的输出端接限幅放大器输入端,限幅放大器输出端接差分输出缓冲电路输入端。可实现650nm±17.8nm光电探测器的放大集成电路的单片光电集成,可满足自动抄表系统100Mbps传输速率要求。
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公开(公告)号:CN101719504A
公开(公告)日:2010-06-02
申请号:CN200910112909.5
申请日:2009-12-03
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/144 , H01L31/08 , H01L21/822 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法,涉及一种硅基光电单片集成电路。提供一种与商业的BCD标准工艺完全兼容的用于光电单片集成的硅基光电探测器及其制备方法。硅基光电探测器设有P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+、Al层、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层,P型硅衬底、BN+、BP+、N-EPI外延层、N阱、P阱、P+、N+设于同一硅片上,场氧层是在硅片表面生成的氧化硅层,金属铝层沉积在硅片表面,按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2绝缘介质层上。
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公开(公告)号:CN108063102B
公开(公告)日:2020-02-14
申请号:CN201711371165.X
申请日:2017-12-19
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种基于四象限光电探测器的监测微镜的方法,涉及四象限光电探测器。整个监测系统由微镜、四象限光电探测器、光源构成一个闭环系统;根据需要,微镜受到驱动后产生一个位置变化,驱动过程受到扰动,得到微镜位置;得到的微镜位置跟实际需要的位置存在差距,当前的位置变化通过光线的反射使芯片上的四象限光电探测器产生四路输出电压,通过处理四象限光电探测器产生四路输出电压精确得到微镜的位置,与预期想要得到的位置进行对比,矫正微镜的驱动,即得到更加精确的位置。可实现利用FQPD对微镜的位移和偏转角度进行同时监测,使两者的输出的线性区间都尽可能最大,易于控制,结果处理简便、成本低。
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公开(公告)号:CN102856324B
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201210345432.7
申请日:2012-09-18
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L27/06 , H01L31/0352 , H01L31/105 , H04B10/25
Abstract: 用于塑料光纤通信的硅基单片光电集成接收芯片,涉及一种硅基单片光电集成电路。所述芯片是一种用于塑料光纤通信的650nm±17.8nm单片光电集成接收芯片,该芯片可替代现有的塑料光纤通信用的650nm±17.8nm光接收模块里的光电探测器芯片和前置放大集成电路芯片,实现650nm±17.8nm光电探测器和前置放大集成电路的单片光电集成,可满足塑料光纤通信100Mbps传输速率要求,用于塑料光纤通信650nm±17.8nm波长的光接收端。可采用标准的0.5μm BCD工艺制备。
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