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公开(公告)号：CN119997803A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510459447.3
申请日：2025-04-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及分子电子器件技术领域，提供一种可调控垂直单分子膜忆阻器及其制备方法。本发明提供的忆阻器包括：导电金属源极、单分子模块、单层石墨烯漏极、液体离子栅极和导电金属栅极；单分子模块在竖直方向上延伸，单分子模块的底端与导电金属源极相连接；单分子模块的顶端与单层石墨烯漏极相连接；石墨烯漏极与液体离子栅极相连接；液体离子栅极与导电金属栅极相连接；液体离子栅极用于控制单分子模块的工作方式。本发明通过加入单分子模块和液体离子栅极两个模块，获得一种高开关比、高整流比以及工作窗口可调控的垂直单分子膜忆阻器。
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公开(公告)号：CN119636217B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510163100.4
申请日：2025-02-14
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电致发光的光电器件技术领域，尤其涉及一种基于单个手性稀土配合物分子电致圆偏振发光的光电器件及其制备方法，该光电器件的自旋霍尔效应检测层包括铂薄膜和非磁性金属检测电极，非磁性金属检测电极设置于铂薄膜长度方向的侧缘；石墨烯点电极设置于绝缘层的上表面宽度方向的侧缘，分子异质结的两端分别通过酰胺键与石墨烯点电极连接形成石墨烯点电极‑分子异质结阵列，磁性金属电极设置于石墨烯点电极上表面宽度方向的外侧缘，该光电器件将稀土配合物优异的光电性能与分子电子学技术相结合，提高了光电器件在单分子层面的检测灵敏度，该制备方法反应条件温和、操作简单，有利于该光电器件的推广使用。
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公开(公告)号：CN119653979B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510174856.9
申请日：2025-02-18
Applicant: 南开大学
IPC: H10K50/11 , H10K50/852 , H10K50/856 , H10K71/00
Abstract: 本发明涉及光电子器件技术领域，尤其涉及一种基于单分子手性双自由基的光电子器件及其制备方法，该光电子器件包括光学微腔和发光核心单元，发光核心单元设置于光学微腔内；其中，光学微腔包括纵向依次设置的多层介质第一反射层、透明间隔层和第二反射层组成；多层介质第一反射层和透明间隔层之间有间距，第二反射层堆叠于透明间隔层之上；发光核心单元设置于多层介质第一反射层和透明间隔层之间，用于实现电致圆偏振发光。该设计使光学微腔内的发光核心单元产生的圆偏振光多次反射和有效地传播，进而实现圆偏振发光的调控和增强，有效地保证了光电子器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN119899185A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510379190.0
申请日：2025-03-28
Applicant: 南开大学
IPC: C07D471/06 , G02F1/01 , G02B27/28 , G01N21/21 , G01J4/04
Abstract: 本发明涉及分子光电子器件技术领域，具体公开了手性分子、手性分子器件及制备方法与圆偏振光检测应用。其中，手性分子是一种含有手性中心并具有“D‑A‑D”结构类型的功能性分子，手性分子器件包括：硅衬底、氧化铝介电层、金属电极、石墨烯点电极和RE‑PDI分子，应用在圆偏振光检测中。本发明设计合成一种含有手性中心并具有“D‑A‑D”结构类型的功能性分子RE‑PDI，并通过化学脱耦合的方法将其组装在纳米间隙的石墨烯点电极之间。利用RE‑PDI分子对不同类型圆偏振光的区别响应，能够稳定实现对左旋与右旋圆偏振光的区分检测和动态周期性的可调控响应。
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公开(公告)号：CN119894326A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510379137.0
申请日：2025-03-28
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及光电器件技术领域，提供了一种基于镧系掺杂的单个纳米颗粒发光的光电器件及制备方法。基于石墨烯点电极，引入分子异质结，分子异质结包含单个镧系元素掺杂的纳米颗粒，所述镧系元素掺杂的单个纳米颗粒的结构为夹心核‑壳结构，所述夹心核为金纳米片；壳为镧系元素掺杂的#imgabs0#基质；镧系元素掺杂的单个纳米颗粒内部包裹的纳米金片具备表面等离子共振效应和高导电性，不仅起到更好的导电作用，还能够利用等离子共振作用增强发光效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119562754A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510104880.5
申请日：2025-01-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及分子光电器件技术领域，提供一种基于双波长光电效应的单分子自旋存储器及其制备方法，存储器包括磁性金属有机配合物、石墨烯纳米间隙阵列电极、磁性隧道结以及重金属背栅，磁性金属有机配合物具有手性诱导自旋选择效应以及双波长光电效应；磁性金属有机配合物通过酰胺共价键连接于所述石墨烯纳米间隙阵列电极中形成磁性金属有机配合物异质结；磁性隧道结对称设置于磁性金属有机配合物异质结两侧；石墨烯纳米间隙阵列电极以及磁性金属有机配合物均组装于重金属背栅的顶部。本发明显著提高了存储器的读写速度并降低了功耗，推动了高速度、低功耗、高稳定性的自旋电子学存储器的发展。
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公开(公告)号：CN118368907B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410799118.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种基于交叉阵列结构设计的单分子膜忆阻器及其制备方法。所述单分子膜忆阻器包括单分子膜忆阻模块，该模块包括单分子膜、金属源端电极和石墨烯漏端电极；金属漏端电极，其设置于石墨烯漏端电极顶部的相对两端；单分子膜忆阻模块以M×N阵列形式设置；所述单分子膜忆阻器制备方法包括：底部导电条、绝缘层、绝缘支撑层、金属源端电极、自组装单分子膜、石墨烯漏端电极以及金属漏端电极的制备。通过此制备方法制备的基于交叉阵列结构设计的单分子膜忆阻器具有较高的良品率和稳定性，具有制造下一代人工神经网络的分子电路的潜力。
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公开(公告)号：CN118234253B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410651381.3
申请日：2024-05-24
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种基于双栅调控的单分子场效应晶体管及其制备方法，上述基于双栅调控的单分子场效应晶体管包括：单分子场效应晶体管和顶栅结构，所述顶栅结构组装于所述单分子场效应晶体管的顶部；单分子场效应晶体管包括石墨烯电极和单个目标分子构成的单分子异质结，所述单分子异质结由末端含有氨基的目标分子与末端羧基化的石墨烯电极反应形成。上述基于双栅调控的单分子场效应晶体管的制备方法包括单分子场效应晶体管、顶栅结构的制备以及单分子场效应晶体管和顶栅结构的组装过程。通过将顶栅、单分子场效应晶体管分开制备后再进行一步组装，从而避免了制备过程中对器件性能的破坏风险。
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公开(公告)号：CN116669516A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310739467.7
申请日：2023-06-21
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及单分子电子器件的制备技术领域，提供一种基于全气相氧化性刻蚀的单分子器件制备方法，采用二氧化碳、氧气、水蒸气、空气等氧化性气体的刻蚀手段，与溶液氧化方法相比，排除了氧化剂、溶剂等杂质的引入，提高了单分子器件的洁净程度。在刻蚀的同时将化学活性高的电极边缘同步氧化，使之能与具有氧化还原效应的三联吡啶‑金属配合物通过酰胺键共价连接，使得基于全气相氧化性刻蚀的单分子器件的结构和稳定性有大幅度的提升，展现了良好的测试稳定性和循环稳定性。
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公开(公告)号：CN116546825A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310511920.9
申请日：2023-05-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子膜忆阻器及其制备方法，其中，垂直单分子膜忆阻器包括衬底、依次设置在衬底上的源极、自组装单分子膜、漏极和栅极；自组装单分子膜包括柱芳烃分子体系，柱芳烃分子的结构式如式A所示。本申请的自组装单分子膜包括具有双稳态的柱芳烃分子体系，柱芳烃分子体系由柱芳烃分子和银离子组成。柱芳烃分子具有空腔，空腔中可以容纳银离子。将柱芳烃分子体系应用于垂直单分子膜忆阻器，通过调控源漏电压或栅压可以实现银离子在柱芳烃分子的空腔内移动，实现高阻值与低阻值之间的转换调控，获得结构稳定、高效、可调控的垂直单分子膜忆阻器。
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