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发明公开
一种可调控垂直单分子膜忆阻器及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN119997803A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510459447.3

申请日：2025-04-14

Applicant: 南开大学

Inventor： 贾传成 , 周弘毅 , 李萌萌 , 詹倩 , 句宏宇 , 郭雪峰

IPC: H10N70/20 , H10N70/00

Abstract: 本发明涉及分子电子器件技术领域，提供一种可调控垂直单分子膜忆阻器及其制备方法。本发明提供的忆阻器包括：导电金属源极、单分子模块、单层石墨烯漏极、液体离子栅极和导电金属栅极；单分子模块在竖直方向上延伸，单分子模块的底端与导电金属源极相连接；单分子模块的顶端与单层石墨烯漏极相连接；石墨烯漏极与液体离子栅极相连接；液体离子栅极与导电金属栅极相连接；液体离子栅极用于控制单分子模块的工作方式。本发明通过加入单分子模块和液体离子栅极两个模块，获得一种高开关比、高整流比以及工作窗口可调控的垂直单分子膜忆阻器。

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