公开(公告)号：CN116217573B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202310160890.1

申请日：2023-02-24

Applicant: 南开大学

Inventor： 郭雪峰 ,  李萌萌 ,  周丽 ,  句宏宇 ,  张恩予 ,  贾传成

IPC: C07D471/22 ,  C07F7/08 ,  H10K85/60 ,  H10K85/40 ,  H10K10/46 ,  H10K71/00

Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子膜场效应控制开关及其制备方法，所述垂直单分子膜场效应控制开关采用在室温下具有双稳态的[2]轮烷分子，在不同偏压作用下，双稳态的[2]轮烷分子可以在低电导态和高电导态之间切换，使器件在开关状态之间灵敏快速切换；进一步地，所述垂直单分子膜场效应控制开关包括半导体基底层、导电金属源端电极、绝缘支撑层、自组装单分子膜、单层石墨烯漏端电极、导电金属漏端电极、导电金属栅电极和离子栅极，所述自组装单分子膜由所述[2]轮烷分子构成；本申请提供的垂直单分子膜场效应控制开关具有较强的栅电场调控能力和较好的稳定性。

公开(公告)号：CN116217573A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310160890.1

申请日：2023-02-24

Applicant: 南开大学

Inventor： 郭雪峰 ,  李萌萌 ,  周丽 ,  句宏宇 ,  张恩予 ,  贾传成

IPC: C07D471/22 ,  C07F7/08 ,  H10K85/60 ,  H10K85/40 ,  H10K10/46 ,  H10K71/00

Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子膜场效应控制开关及其制备方法，所述垂直单分子膜场效应控制开关采用在室温下具有双稳态的[2]轮烷分子，在不同偏压作用下，双稳态的[2]轮烷分子可以在低电导态和高电导态之间切换，使器件在开关状态之间灵敏快速切换；进一步地，所述垂直单分子膜场效应控制开关包括半导体基底层、导电金属源端电极、绝缘支撑层、自组装单分子膜、单层石墨烯漏端电极、导电金属漏端电极、导电金属栅电极和离子栅极，所述自组装单分子膜由所述[2]轮烷分子构成；本申请提供的垂直单分子膜场效应控制开关具有较强的栅电场调控能力和较好的稳定性。

公开(公告)号：CN118368907A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410799118.9

申请日：2024-06-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 贾传成 ,  李萌萌 ,  句宏宇 ,  郭雪峰

IPC: H10K10/50 ,  H10K19/00 ,  H10K71/00 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种基于交叉阵列结构设计的单分子膜忆阻器及其制备方法。所述单分子膜忆阻器包括单分子膜忆阻模块，该模块包括单分子膜、金属源端电极和石墨烯漏端电极；金属漏端电极，其设置于石墨烯漏端电极顶部的相对两端；单分子膜忆阻模块以M×N阵列形式设置；所述单分子膜忆阻器制备方法包括：底部导电条、绝缘层、绝缘支撑层、金属源端电极、自组装单分子膜、石墨烯漏端电极以及金属漏端电极的制备。通过此制备方法制备的基于交叉阵列结构设计的单分子膜忆阻器具有较高的良品率和稳定性，具有制造下一代人工神经网络的分子电路的潜力。

公开(公告)号：CN119997803A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510459447.3

申请日：2025-04-14

Applicant: 南开大学

Inventor： 贾传成 ,  周弘毅 ,  李萌萌 ,  詹倩 ,  句宏宇 ,  郭雪峰

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明涉及分子电子器件技术领域，提供一种可调控垂直单分子膜忆阻器及其制备方法。本发明提供的忆阻器包括：导电金属源极、单分子模块、单层石墨烯漏极、液体离子栅极和导电金属栅极；单分子模块在竖直方向上延伸，单分子模块的底端与导电金属源极相连接；单分子模块的顶端与单层石墨烯漏极相连接；石墨烯漏极与液体离子栅极相连接；液体离子栅极与导电金属栅极相连接；液体离子栅极用于控制单分子模块的工作方式。本发明通过加入单分子模块和液体离子栅极两个模块，获得一种高开关比、高整流比以及工作窗口可调控的垂直单分子膜忆阻器。

公开(公告)号：CN118368907B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410799118.9

申请日：2024-06-20

Applicant: 南开大学

Inventor： 贾传成 ,  李萌萌 ,  句宏宇 ,  郭雪峰

IPC: H10K10/50 ,  H10K19/00 ,  H10K71/00 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种基于交叉阵列结构设计的单分子膜忆阻器及其制备方法。所述单分子膜忆阻器包括单分子膜忆阻模块，该模块包括单分子膜、金属源端电极和石墨烯漏端电极；金属漏端电极，其设置于石墨烯漏端电极顶部的相对两端；单分子膜忆阻模块以M×N阵列形式设置；所述单分子膜忆阻器制备方法包括：底部导电条、绝缘层、绝缘支撑层、金属源端电极、自组装单分子膜、石墨烯漏端电极以及金属漏端电极的制备。通过此制备方法制备的基于交叉阵列结构设计的单分子膜忆阻器具有较高的良品率和稳定性，具有制造下一代人工神经网络的分子电路的潜力。

公开(公告)号：CN116546825A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310511920.9

申请日：2023-05-08

Applicant: 南开大学

Inventor： 贾传成 ,  杨澜 ,  张恩予 ,  句宏宇 ,  郭雪峰

IPC: H10K10/50 ,  H10K10/00 ,  H10K71/00 ,  H10K85/60

Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子膜忆阻器及其制备方法，其中，垂直单分子膜忆阻器包括衬底、依次设置在衬底上的源极、自组装单分子膜、漏极和栅极；自组装单分子膜包括柱芳烃分子体系，柱芳烃分子的结构式如式A所示。本申请的自组装单分子膜包括具有双稳态的柱芳烃分子体系，柱芳烃分子体系由柱芳烃分子和银离子组成。柱芳烃分子具有空腔，空腔中可以容纳银离子。将柱芳烃分子体系应用于垂直单分子膜忆阻器，通过调控源漏电压或栅压可以实现银离子在柱芳烃分子的空腔内移动，实现高阻值与低阻值之间的转换调控，获得结构稳定、高效、可调控的垂直单分子膜忆阻器。