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公开(公告)号：CN119562528A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510124894.3
申请日：2025-01-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及分子光电器件技术领域，提供一种基于自旋力矩效应的纯电学单分子存储器及其制备方法，存储器包括重金属的多层堆叠楔形栅极、石墨烯纳米间隙阵列电极、有机自由基化合物、磁性隧道结以及非磁性金属电极；有机自由基化合物具有手性诱导自旋选择效应，通过酰胺共价键连接于石墨烯纳米间隙阵列电极中形成有机自由基分子异质结；石墨烯纳米间隙阵列电极以及有机自由基化合物均组装于重金属的多层堆叠楔形栅极的顶部，有机自由基分子异质结的两侧分别设置磁性隧道结以及非磁性金属电极。本发明存储器只需控制电压正负就可以通过纯电学的方式实现自旋信息的写入和读取，并且具备较高的信息读写速度和较低运行功耗。
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公开(公告)号：CN119562528B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510124894.3
申请日：2025-01-27
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及分子光电器件技术领域，提供一种基于自旋力矩效应的纯电学单分子存储器及其制备方法，存储器包括重金属的多层堆叠楔形栅极、石墨烯纳米间隙阵列电极、有机自由基化合物、磁性隧道结以及非磁性金属电极；有机自由基化合物具有手性诱导自旋选择效应，通过酰胺共价键连接于石墨烯纳米间隙阵列电极中形成有机自由基分子异质结；石墨烯纳米间隙阵列电极以及有机自由基化合物均组装于重金属的多层堆叠楔形栅极的顶部，有机自由基分子异质结的两侧分别设置磁性隧道结以及非磁性金属电极。本发明存储器只需控制电压正负就可以通过纯电学的方式实现自旋信息的写入和读取，并且具备较高的信息读写速度和较低运行功耗。
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公开(公告)号：CN119653979A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510174856.9
申请日：2025-02-18
Applicant: 南开大学
IPC: H10K50/11 , H10K50/852 , H10K50/856 , H10K71/00
Abstract: 本发明涉及光电子器件技术领域，尤其涉及一种基于单分子手性双自由基的光电子器件及其制备方法，该光电子器件包括光学微腔和发光核心单元，发光核心单元设置于光学微腔内；其中，光学微腔包括纵向依次设置的多层介质第一反射层、透明间隔层和第二反射层组成；多层介质第一反射层和透明间隔层之间有间距，第二反射层堆叠于透明间隔层之上；发光核心单元设置于多层介质第一反射层和透明间隔层之间，用于实现电致圆偏振发光。该设计使光学微腔内的发光核心单元产生的圆偏振光多次反射和有效地传播，进而实现圆偏振发光的调控和增强，有效地保证了光电子器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN119653979B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510174856.9
申请日：2025-02-18
Applicant: 南开大学
IPC: H10K50/11 , H10K50/852 , H10K50/856 , H10K71/00
Abstract: 本发明涉及光电子器件技术领域，尤其涉及一种基于单分子手性双自由基的光电子器件及其制备方法，该光电子器件包括光学微腔和发光核心单元，发光核心单元设置于光学微腔内；其中，光学微腔包括纵向依次设置的多层介质第一反射层、透明间隔层和第二反射层组成；多层介质第一反射层和透明间隔层之间有间距，第二反射层堆叠于透明间隔层之上；发光核心单元设置于多层介质第一反射层和透明间隔层之间，用于实现电致圆偏振发光。该设计使光学微腔内的发光核心单元产生的圆偏振光多次反射和有效地传播，进而实现圆偏振发光的调控和增强，有效地保证了光电子器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN119562754A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202510104880.5
申请日：2025-01-23
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及分子光电器件技术领域，提供一种基于双波长光电效应的单分子自旋存储器及其制备方法，存储器包括磁性金属有机配合物、石墨烯纳米间隙阵列电极、磁性隧道结以及重金属背栅，磁性金属有机配合物具有手性诱导自旋选择效应以及双波长光电效应；磁性金属有机配合物通过酰胺共价键连接于所述石墨烯纳米间隙阵列电极中形成磁性金属有机配合物异质结；磁性隧道结对称设置于磁性金属有机配合物异质结两侧；石墨烯纳米间隙阵列电极以及磁性金属有机配合物均组装于重金属背栅的顶部。本发明显著提高了存储器的读写速度并降低了功耗，推动了高速度、低功耗、高稳定性的自旋电子学存储器的发展。
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