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公开(公告)号：CN108358465A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810223615.9
申请日：2018-03-16
Applicant: 南京邮电大学
CPC classification number: C03C17/30 , B05D7/24 , B05D2203/30 , B05D2203/35 , B05D2518/10 , B05D2602/00 , C03C2217/445 , C03C2217/477 , C03C2217/48 , C03C2217/70 , C03C2218/116 , G02B1/00
Abstract: 本发明公开了一种具有光开关与光固化功能的复合薄膜材料的制备方法，通过改进的溶胶-凝胶技术结合低温有机-无机复合技术在二氧化钛基有机-无机复合材料中同时引入了偶氮苯小分子以及有机光敏功能基团，制备得到了既具有光开关性能，又具有光固化功能，同时又拥有优良的光波导性能的二氧化钛基有机-无机复合光波导材料。该制备工艺过程简单，制作成本低廉，可实现批量生产。另外，在低温下即可获得数微米厚、折射率可调的多功能性复合平面光波导材料。鉴于该复合薄膜具有光固化功能，可通过光学光刻、紫外软压印等方法直接在该复合薄膜上制备微光学元器件。在光子学与光电子器件制备等领域具有非常重要的应用。
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公开(公告)号：CN105642376B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201511010392.0
申请日：2015-12-29
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种生物荧光微全分析系统芯片及其制备方法，该芯片包括：PDMS微流通道、InGaN基LD、Si光电探测器三部分，分别构成所述芯片的上层、中层、底层，通过硅片键合技术接合为一体；其中，所述的PDMS微流通道与玻璃片键合而成为样品台；所述的InGaN基LD用作激发光源；所述的Si光电探测器用于检测和分析激发荧光信号；所述的InGaN基LD和Si光电探测器中间接合有一个光带通滤波器。本发明的荧光微全分析系统芯片实现了将激发光源与样品台和光电检测器集成在同一个芯片上，具有高度的集成化，此外，该芯片还具有生物材料消耗低，荧光背景噪声小，灵敏度高等特点，在医疗诊断和环境分析等领域具有非常重要的应用意义。
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公开(公告)号：CN112034637B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202010847815.9
申请日：2020-08-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化锗基光敏复合薄膜及其制备和应用，采用溶胶‑凝胶技术结合旋涂法制备了掺偶氮苯二氧化锗/有机改性硅酸盐有机‑无机复合薄膜，二氧化锗基质材料和偶氮苯结合，使得薄膜的质量、耐热性和光学性质都有了明显的提升。本发明该复合薄膜在紫外光和可见光的交替照射下，显示出稳定的光开关性能和较短的光响应时间，表明该复合薄膜的是良好的全光开关材料，此外，材料体系中还引入了光敏基团，通过紫外固化和热固化相结合的纳米压印方法，直接在薄膜表面压印PDMS软模板，可以得到规整的微透镜阵列结构，用于制备微光学元器件。
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公开(公告)号：CN111217535B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202010038137.1
申请日：2020-01-14
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C03C17/30 , B05D7/24 , C01F17/206 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种掺氧化钕复合薄膜材料的制备方法，通过改进的微乳液法制备出氧化钕纳米晶体，并将其掺入使用溶胶‑凝胶技术结合低温有机‑无机复合技术在二氧化钛基有机‑无机复合材料中，最后引入有机光敏功能基团，制备得到了既具有上转换发光功能，又具有光固化功能，同时又拥有优良的光波导性能的二氧化钛基有机‑无机复合光波导材料。本发明的复合薄膜及条形波导阵列在580nm波长绿光的激发下可以激发出一个明显的波长在436nm处的强烈的亮蓝色上转换发光。该制备工艺过程简单，制作成本低廉，可实现批量生产，该复合薄膜及条形光波导阵列具有光固化功能，在光子学与光电子器件制备等领域具有非常重要的应用。
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公开(公告)号：CN112853267A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110022043.X
申请日：2021-01-08
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于叠片结构的BaZr0.2Ti0.8O3多层薄膜及制备方法，多层薄膜包括若干层交替错位沉积在基片上电极薄膜层和BaZr0.2Ti0.8O3薄膜层，通过磁控溅射和平移掩膜板的方法在基片上交替错位沉积电极薄膜层和BaZr0.2Ti0.8O3薄膜层。本发明简化了多层薄膜的制备工艺，不需要重复的刻蚀等步骤，避免产生二次污染和防止结构损伤；沉积速率高，提高了镀膜质量和镀膜效率；能较大面积成膜，可实现大尺寸样品的制备，适用于批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107188112B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710244778.0
申请日：2017-04-14
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公布了一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法，包括：透镜、量子阱GaN、P‑GaN、N‑GaN、EL电极、GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、Si衬底。所述的基于GaN的LED光源是生长在Si衬底上，所述的透镜完全粘附在GaN基LED光源的正上方，所述的静电MEMS微执行器，包括由固定齿梳和可动齿梳构成的齿梳状结构，其中：固定齿梳连接在Si衬底上，可动齿梳与GaN基LED光源固定在一起，LED光源在可动齿梳的正上方。通过施加电压，Si基GaN‑LED在梳齿驱动器的作用下，在Si衬底平面做横向移动。当GaN基LED平行移动到透镜的光轴方向时，经过GaN基LED的准直光束将以与Si衬底平面成一定比例的角度偏转。该装置可用于定向照明，自由空间光通信以及机器人光学传感器等领域。
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公开(公告)号：CN110204361A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910602363.5
申请日：2019-07-05
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于镍酸镧过渡层制取高度择优取向的铌酸钾钠薄膜的制备方法，包括铌酸钾钠溶胶的制取，镍酸镧前驱体液的配置，在硅片上旋涂镍酸镧薄膜作为过渡层，最后在镀过镍酸镧的底电极的硅片上旋涂铌酸钾钠薄膜。镍酸镧是一种导电性能良好的金属氧化物，可以作为铌酸钾钠薄膜的底电极。相对于Pt等贵重金属底电极，镍酸镧底电极制备成本低，制备工艺简单，并且晶格常数与铌酸钾钠薄膜相接近。通过引入镍酸镧过渡金属氧化物层，制备了(100)高度择优取向的铌酸钾钠薄膜，提高了KNN薄膜的可调协性能。
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公开(公告)号：CN109627043A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910066730.4
申请日：2019-01-24
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C04B41/70
CPC classification number: C04B41/52 , C04B41/009 , C04B41/70 , C04B32/00 , C04B41/5045 , C04B41/455 , C04B41/5027 , C04B41/0072 , C04B41/5036
Abstract: 本发明提供了具有高度择优取向的纯相铁酸铋薄膜的制备方法，其方法步骤是称取适量的乙酸镍和硝酸镧溶于乙酸和水的混合溶剂中，得到LaNiO3(LNO)前驱体溶液，采用旋涂镀膜法加热退火在(100)‑Si基片上制备具有高度择优取向的LNO导电薄膜作为底电极。称取摩尔比为1:1.05‑1.10的硝酸铁和硝酸铋与乙二醇甲醚混合，室温搅拌得到褐红色透明的BiFeO3(BFO)前驱体溶胶。将BFO前驱体溶胶以4000‑5000转/分的速率旋涂20秒，旋涂到LNO(001)/Si基片上，在热板上热解3‑10分钟，再放入575‑625℃管式炉中退火2‑3分钟，重复旋涂、热处理数次后，再将BFO薄膜放入575‑625℃管式炉中退火6‑8分钟后，得到具有一定厚度的择优取向的BFO薄膜。本发明制备出的BFO薄膜无杂质相、无第二相、呈现高度(001)择优取向。
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公开(公告)号：CN109251338A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811284577.4
申请日：2018-10-30
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种二氧化钛/3-（异丁烯酰氧）丙基三甲氧基硅烷有机-无机复合薄膜的制备方法，本发明还公开了上述方法制得的复合薄膜在制备微透镜阵列方面的应用。本发明通过溶胶-凝胶技术结合旋涂方法，制得了同时具有下转换发光与紫外光敏特性的有机-无机复合薄膜，并且基于其紫外光敏性能，可通过紫外软压印技术在该复合薄膜上制备微透镜阵列结构；本发明复合薄膜的制备工艺简单，可实现批量化生产，且制得到复合薄膜具有极高的光学透射率，折射率与厚度可调以及低的表面粗糙度等优点，利用紫外软压印技术可直接在此复合薄膜上制备微透镜阵列等微纳阵列结构，本发明复合薄膜在下转换发光以及微光学元器件等领域具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN107188112A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710244778.0
申请日：2017-04-14
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公布了一种基于硅基氮化物的可变光分布器件及其制备方法，包括：透镜、量子阱GaN、P‑GaN、N‑GaN、EL电极、GaN基LED光源、静电MEMS微执行器、Si衬底。所述的基于GaN的LED光源是生长在Si衬底上，所述的透镜完全粘附在GaN基LED光源的正上方，所述的静电MEMS微执行器，包括由固定齿梳和可动齿梳构成的齿梳状结构，其中：固定齿梳连接在Si衬底上，可动齿梳与GaN基LED光源固定在一起，LED光源在可动齿梳的正上方。通过施加电压，Si基GaN‑LED在梳齿驱动器的作用下，在Si衬底平面做横向移动。当GaN基LED平行移动到透镜的光轴方向时，经过GaN基LED的准直光束将以与Si衬底平面成一定比例的角度偏转。该装置可用于定向照明，自由空间光通信以及机器人光学传感器等领域。
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