公开(公告)号：CN112853267B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202110022043.X

申请日：2021-01-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 方小英 ,  成宏卜 ,  陈彧芳 ,  张伟 ,  张雪花 ,  胡芳仁

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/04 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种基于叠片结构的BaZr0.2Ti0.8O3多层薄膜及制备方法，多层薄膜包括若干层交替错位沉积在基片上电极薄膜层和BaZr0.2Ti0.8O3薄膜层，通过磁控溅射和平移掩膜板的方法在基片上交替错位沉积电极薄膜层和BaZr0.2Ti0.8O3薄膜层。本发明简化了多层薄膜的制备工艺，不需要重复的刻蚀等步骤，避免产生二次污染和防止结构损伤；沉积速率高，提高了镀膜质量和镀膜效率；能较大面积成膜，可实现大尺寸样品的制备，适用于批量生产。

公开(公告)号：CN112853267A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110022043.X

申请日：2021-01-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 方小英 ,  成宏卜 ,  陈彧芳 ,  张伟 ,  张雪花 ,  胡芳仁

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/04 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种基于叠片结构的BaZr0.2Ti0.8O3多层薄膜及制备方法，多层薄膜包括若干层交替错位沉积在基片上电极薄膜层和BaZr0.2Ti0.8O3薄膜层，通过磁控溅射和平移掩膜板的方法在基片上交替错位沉积电极薄膜层和BaZr0.2Ti0.8O3薄膜层。本发明简化了多层薄膜的制备工艺，不需要重复的刻蚀等步骤，避免产生二次污染和防止结构损伤；沉积速率高，提高了镀膜质量和镀膜效率；能较大面积成膜，可实现大尺寸样品的制备，适用于批量生产。