公开(公告)号：CN112853267A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110022043.X

申请日：2021-01-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 方小英 ,  成宏卜 ,  陈彧芳 ,  张伟 ,  张雪花 ,  胡芳仁

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/04 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种基于叠片结构的BaZr0.2Ti0.8O3多层薄膜及制备方法，多层薄膜包括若干层交替错位沉积在基片上电极薄膜层和BaZr0.2Ti0.8O3薄膜层，通过磁控溅射和平移掩膜板的方法在基片上交替错位沉积电极薄膜层和BaZr0.2Ti0.8O3薄膜层。本发明简化了多层薄膜的制备工艺，不需要重复的刻蚀等步骤，避免产生二次污染和防止结构损伤；沉积速率高，提高了镀膜质量和镀膜效率；能较大面积成膜，可实现大尺寸样品的制备，适用于批量生产。

公开(公告)号：CN112853267B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202110022043.X

申请日：2021-01-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 方小英 ,  成宏卜 ,  陈彧芳 ,  张伟 ,  张雪花 ,  胡芳仁

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/04 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种基于叠片结构的BaZr0.2Ti0.8O3多层薄膜及制备方法，多层薄膜包括若干层交替错位沉积在基片上电极薄膜层和BaZr0.2Ti0.8O3薄膜层，通过磁控溅射和平移掩膜板的方法在基片上交替错位沉积电极薄膜层和BaZr0.2Ti0.8O3薄膜层。本发明简化了多层薄膜的制备工艺，不需要重复的刻蚀等步骤，避免产生二次污染和防止结构损伤；沉积速率高，提高了镀膜质量和镀膜效率；能较大面积成膜，可实现大尺寸样品的制备，适用于批量生产。

公开(公告)号：CN113215549A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110498532.2

申请日：2021-05-08

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 宫代丽 ,  成宏卜 ,  张伟 ,  胡芳仁 ,  张雪花

IPC: C23C14/58 ,  H01L21/477 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/46

Abstract: 本发明公开了一种基于射频磁控溅射的锆钛酸钡薄膜退火方法，属于锆钛酸钡制备技术领域，以钛酸锶为基体，溅射钌酸锶材料作为衬底，利用磁控溅射技术将其溅射到基体表面，然后利用锆钛酸钡靶材溅射锆钛酸钡材料镀在表面，其中锆钛酸钡靶材中锆含量为20mol.％。钌酸锶电极沉积的过程中，采用混合气氛溅射得到薄膜，锆钛酸钡薄膜沉积的过程中，采用混合气氛溅射，得到膜厚为280nm，溅射结束后，对样品进行保温处理，之后取出部分样品进行退火处理；本申请通过退火工艺有效增强了锆钛酸钡薄膜衍射峰的强度，改善锆钛酸钡薄膜的结晶性，进而提高了薄膜质量，其铁电性能明显提升。

公开(公告)号：CN112670087A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011431103.5

申请日：2020-12-09

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 段阳 ,  胡芳仁 ,  成宏卜 ,  张伟 ,  张雪花

IPC: H01G4/33 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明公开了一种应用于铁电储存器中使用的铁电薄膜电容，包括硅基底层、上电极层、铁电薄膜层以及下电极层，所述上电极层、铁电薄膜层以及下电极层依次设置于硅基底层上且在上电极层、下电极层与铁电薄膜层之间分别设置有缓冲层，在所述缓冲层与铁电薄膜层之间设置有隔离层，所述上电极层的上部设置有呈格栅状的金属互联，本发明引入隔离层，改善界面，减少了薄膜中氧空位的聚集程度，铁电薄膜的疲劳及保持性能得到了极大的改善。