公开(公告)号：CN111668363B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202010524239.4

申请日：2020-06-10

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张伟 ,  鲍建秋 ,  朱海勇 ,  姜智艺 ,  张雪花 ,  胡芳仁

IPC: H01L41/39 ,  H01L41/187 ,  C01G33/00

Abstract: 本发明公开了一种基于双铌源的铌酸钾钠同质多层薄膜的制备方法，步骤为：(1)将五氧化二铌溶解于氢氟酸中，再添加草酸铵，滴加氨水生成白色沉淀，加入柠檬酸得到铌‑柠溶液，继续过滤得到澄清溶液，加入钾盐和钠盐，加入乙二醇，静置得到澄清的铌酸钾钠前驱体溶胶；(2)滴加乙二醇甲醚于反应釜中，吸取乙醇铌置于乙二醇甲醚中，混合溶液水浴加热，滴加冰醋酸，乙酰丙酮和甲酰胺，加入钾盐和钠盐搅拌，得到明黄色铌酸钾钠前驱体溶胶；(3)在硅片上交替旋涂步骤(1)制备的铌酸钾钠前驱体溶胶和步骤(2)制备的铌酸钾钠前驱体溶胶，得到铌酸钾钠同质多层薄膜。本发明得到的KNN多层薄膜在(100)取向高度择优。

公开(公告)号：CN111575666B

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202010523344.6

申请日：2020-06-10

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张伟 ,  姜智艺 ,  鲍建秋 ,  胡芳仁 ,  张雪花

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/02 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一种制备(222)强织构ITO薄膜的方法，包括以下步骤：(1)清洗硅基片并安装于磁控溅射设备的腔室中；(2)将靶材放置于磁控溅射设备的腔室内，调整靶材和硅基片之间的距离；(3)对腔室进行抽真空处理；(4)对硅基片进行加热处理；(5)向腔室通入氩气和氧气；(6)开启磁控溅射设备，对硅基片进行溅射；(7)溅射完成后，得到(222)晶面高度择优取向的ITO薄膜。本发明通过实现了在普通单晶Si(100)基底上制备(222)晶面高度择优取向的ITO薄膜，无需引入种子层，利于高质量电子陶瓷薄膜在Si上的集成，具有结晶性良好，工艺简便，易于工业化的特点。

公开(公告)号：CN111668363A

公开(公告)日：2020-09-15

申请号：CN202010524239.4

申请日：2020-06-10

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张伟 ,  鲍建秋 ,  朱海勇 ,  姜智艺 ,  张雪花 ,  胡芳仁

IPC: H01L41/39 ,  H01L41/187 ,  C01G33/00

Abstract: 本发明公开了一种基于双铌源的铌酸钾钠同质多层薄膜的制备方法，步骤为：(1)将五氧化二铌溶解于氢氟酸中，再添加草酸铵，滴加氨水生成白色沉淀，加入柠檬酸得到铌-柠溶液，继续过滤得到澄清溶液，加入钾盐和钠盐，加入乙二醇，静置得到澄清的铌酸钾钠前驱体溶胶；(2)滴加乙二醇甲醚于反应釜中，吸取乙醇铌置于乙二醇甲醚中，混合溶液水浴加热，滴加冰醋酸，乙酰丙酮和甲酰胺，加入钠盐和钠盐搅拌，得到明黄色铌酸钾钠前驱体溶胶；(3)在(100)硅片上交替旋涂步骤(1)制备的铌酸钾钠前驱体溶胶和步骤(2)制备的铌酸钾钠前驱体溶胶，得到铌酸钾钠同质多层薄膜。本发明得到的KNN多层薄膜在(100)取向高度择优。

公开(公告)号：CN111575666A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010523344.6

申请日：2020-06-10

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张伟 ,  姜智艺 ,  鲍建秋 ,  胡芳仁 ,  张雪花

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/02 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一种制备(222)强织构ITO薄膜的方法，包括以下步骤：(1)清洗硅基片并安装于磁控溅射设备的腔室中；(2)将靶材放置于磁控溅射设备的腔室内，调整靶材和硅基片之间的距离；(3)对腔室进行抽真空处理；(4)对硅基片进行加热处理；(5)向腔室通入氩气和氧气；(6)开启磁控溅射设备，对硅基片进行溅射；(7)溅射完成后，得到(222)晶面高度择优取向的ITO薄膜。本发明通过实现了在普通单晶Si(100)基底上制备(222)晶面高度择优取向的ITO薄膜，无需引入种子层，利于高质量电子陶瓷薄膜在Si上的集成，具有结晶性良好，工艺简便，易于工业化的特点。

公开(公告)号：CN110204361A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910602363.5

申请日：2019-07-05

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张伟 ,  朱海勇 ,  吴浩 ,  鲍建秋 ,  张雪花 ,  胡芳仁

IPC: C04B41/70 ,  C01G33/00 ,  H01L41/39

Abstract: 本发明公开了一种基于镍酸镧过渡层制取高度择优取向的铌酸钾钠薄膜的制备方法，包括铌酸钾钠溶胶的制取，镍酸镧前驱体液的配置，在硅片上旋涂镍酸镧薄膜作为过渡层，最后在镀过镍酸镧的底电极的硅片上旋涂铌酸钾钠薄膜。镍酸镧是一种导电性能良好的金属氧化物，可以作为铌酸钾钠薄膜的底电极。相对于Pt等贵重金属底电极，镍酸镧底电极制备成本低，制备工艺简单，并且晶格常数与铌酸钾钠薄膜相接近。通过引入镍酸镧过渡金属氧化物层，制备了(100)高度择优取向的铌酸钾钠薄膜，提高了KNN薄膜的可调协性能。