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公开(公告)号：CN113584594A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010368474.7
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种铅位掺杂甲胺铅碘单晶薄膜及其制备方法，所述单晶薄膜以CH3NH3PbI3为母体，在铅位掺杂La，得到分子式为CH3NH3Pb1‑xLa2x/3I3(x=0.005‑0.19)的单晶薄膜，在铅位掺杂Sm，得到分子式为CH3NH3Pb1‑ySm2y/3I3(x=0.005‑0.19)的单晶薄膜，在铅位掺杂Pr，得到分子式为CH3NH3Pb1‑zPrzI3(z=0.005‑0.27)的单晶薄膜。本发明通过La、Sm、Pr元素的掺杂有效的提高了载流子的饱和极化强度、剩余极化强度、压电系数和迁移率，铅位取代较大地提高了其光电性能，且降低了重金属铅带来的毒性，该工艺简单，制备过程易于控制，重复性高。
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公开(公告)号：CN113578334A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202010368445.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种ITO玻璃/BiVO4纳米棒@Bi2FeCrO6/纳米粒子催化材料及其制备方法，Bi2FeCrO6薄膜包裹BiVO4纳米棒，纳米粒子弥散分布在Bi2FeCrO6薄膜上，形成所述的催化材料。本发明采用催化、铁电性能俱佳的Bi2FeCrO6薄膜包裹BiVO4纳米棒，可以使材料在催化过程中具有更高的效率和稳定性；Bi2FeCrO6薄膜表面弥散分布的纳米粒子可以提高电子‑空穴对的传输效率，该催化材料可以用于水分解产氢的用途中。
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公开(公告)号：CN107244913B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201710357002.X
申请日：2017-05-19
Applicant: 南京理工大学
Inventor： 张伟飞 , 袁国亮 , 穆罕默德·阿德南·凯瑟
IPC: H01L41/187 , C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种复合高温压电陶瓷材料。所述陶瓷材料成分以通式Bi3TaTiO9‑xBiFeO3来表示，其中x为BiFeO3与Bi3TaTiO9的重量百分比，且x＝20wt％～50wt％。所述材料的制备过程为：首先分别合成Bi3TaTiO9粉体和BiFeO3粉体，然后将Bi3TaTiO9陶瓷粉和BiFeO3陶瓷粉球磨混合烧结成瓷。本发明的复合高温压电陶瓷材料的压电常数d33达到24pC/N，是单相Bi3TaTiO9陶瓷材料的1.8倍，在500℃高温环境下具有较大的电阻率，ρ约为104Ω·m。本发明的复合陶瓷材料适用于制备在高温环境下使用的压电驱动器以及压电传感器。
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公开(公告)号：CN110589876A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910757509.3
申请日：2019-08-16
Applicant: 南京理工大学
IPC: C01G21/00 , H01L31/032 , H01L31/09
Abstract: 本发明涉及一种掺杂卤素钙钛矿铁电材料及其全无机柔性光探测器，该材料的分子式为CsPb1-xAxBr2Cl，所述分子式中A为Sr、Ba、Ca、Mg、Mn、Zn或Cu元素中的一种或两种，x为元素A的原子百分比，且0.05≤x≤0.3，全无机柔性光探测器具体由柔性氟晶云母衬底、IMO底电极、TiO2电子传输层、吸光层、NiO空穴传输层以及ITO上电极依次构成。本发明通过Sr、Ba、Ca等元素的掺杂，有效的提高了载流子的迁移率和寿命，改善了光探测器的响应度和光电转换效率，所述光探测器全部由无机材料构成，大大提升了器件的环境稳定性和热稳定性，并且，所述光探测器柔性、耐弯曲性能良好，在柔性光电器件领域具有巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN102051589A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010559109.0
申请日：2010-11-25
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法，其工艺如下：根据应用需要选择合适的衬底和靶材，在衬底上生长碳化硅薄膜；将衬底及靶材的表面清洗干净送入真空生长腔，使用机械泵和分子泵对真空生长腔抽真空；对衬底使用加热器加热；在衬底加热的同时辅助添加外部光源，并使外部光源直接照射衬底；使用磁控溅射或激光脉冲生长碳化硅薄膜，沉积过程通过控制沉积频率控制生长的碳化硅晶型；对衬底进行退火，退火时可用气氛保护。本发明极大地降低碳化硅薄膜的生长温度，制备出包括非晶碳化硅薄膜或者3C-SiC、2H-SiC、4H-SiC和15R-SiC结构的择优取向的晶体薄膜，在半导体器件制造时可以应用在光电子、微电子领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116456802A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310165834.7
申请日：2023-02-24
Applicant: 南京理工大学
IPC: H10N30/045 , H10N30/00 , H10N30/87 , B82Y40/00 , G01R29/22
Abstract: 本发明涉及一种纳米级厚度极化铁电薄膜及其正压电系数d33的测试方法，直接采用上电极压盖到薄膜上的方式，然后引线加电压对薄膜成功进行极化，避免了直接在薄膜上蒸镀电极对薄膜的破坏。本发明可以稳定有效测试出最薄可达2 nm压电薄膜的宏观的正压电系数d33；对于纳米级厚度超薄薄膜，可以在不生长上电极的情况下进行极化和压电系数d33测试。相比于传统的测试方法，本发明拓宽了压电薄膜的可测试厚度范围，降低了压电薄膜测试对电极的依赖。
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公开(公告)号：CN113671425A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202010366784.5
申请日：2020-04-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明涉及一种耐高温的柔性磁电传感器及其制备方法。所述耐高温的柔性磁电传感器包括磁致伸缩材料层，压电材料层，其中磁致伸缩材料层是Terfenol‑D单晶薄片，压电材料层是BiScO3‑PbTiO3压电陶瓷薄片。磁致伸缩材料层与压电材料层之间使用高温银胶粘结，从而得到耐高温的柔性磁电传感器。本发明所制备的磁电传感器具有高灵敏度、小型化、柔性、高温工作、功耗低、成本低的突出综合性能优势，在国防安全、智能交通、先进制造等涉及高温的领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106654008B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201611120850.0
申请日：2016-12-08
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种柔性耐高温BaTi1‑xCoxO3阻变存储器，其结构为：衬底上设置底电极，底电极上设置BaTi1‑xCoxO3阻变功能层，x为0.05至0.3，功能层上设置顶电极，所述衬底为柔性云母。本发明的柔性耐高温阻变存储器具有优异的阻变性质，且柔性弯折性好，弯曲半径为1mm时，至少抗106次弯曲，阻变性质无明显变化；耐高温性优异，在500℃退火后仍能保持良好的阻变性能，在柔性存储器及柔性电子器件领域中有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109036849A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810697031.5
申请日：2018-06-29
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01G7/06
Abstract: 本发明公开了无机柔性钙钛矿氧化物压控变容管及其制备方法。该透明柔性压控变容管由依次连接的云母衬底、全透明层状(Ag/ITO)n底电极、钙钛矿氧化物薄膜和透明ITO顶电极组成。该压控变容管以云母为衬底，使用O2作为溅射气体，利用溅射沉积技术在云母上依次沉积厚度为150nm‑250nm的(Ag/ITO)n底电极、厚度为200nm的钙钛矿氧化物薄膜和厚度为100nm‑300nm的ITO顶电极，制得无机柔性全透明钙钛矿氧化物压变变容管。本发明的压控变容管调谐率优异、透光率高；且柔性耐弯折，弯曲半径为1.4mm时其调谐率接近平整状态时的数值，在柔性、透明电子器件中具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN107221532B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710333577.8
申请日：2017-05-12
Applicant: 南京理工大学
IPC: H01L27/11502 , H01L27/28
Abstract: 本发明公开了一种透明柔性氧化物铁电存储器。该透明柔性铁电存储器由依次连接的云母基片、掺杂ZnO透明电极、氧化物铁电薄膜和ITO透明电极组成。本发明的铁电存储器，以层状钙钛矿氧化物铁电薄膜作为铁电功能层；其透光性好，波长超过400nm的可见光的透光率在80%以上；且柔性耐弯折，弯曲半径为1.4mm时，饱和极化强度和剩余极化强度接近于平整状态时的数值；耐高温性能优异，经450℃退火后，饱和极化强度和剩余极化强度无明显变化，在透明柔性铁电存储器中具有广泛的应用前景。
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