公开(公告)号：CN113972292B

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202110333443.2

申请日：2021-03-29

Applicant: 南京大学 ,  南京磊帮半导体科技有限公司

Inventor： 芦红 ,  姚金山 ,  李晨

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/30 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种基于InP基带隙可调的结构，包括依次层叠设置的上电极层、超晶格功能层、下电极层和InP衬底，其中超晶格功能层作为光电转换器件光的吸收或发射区，超晶格功能层为晶格常数大于和小于InP衬底的晶格常数的半导体层交替堆叠生长组成的超晶格。本发明还公开了基于此结构的光电转换器件以及此结构的分子束外延生长方法。由于超晶格内部的应变补偿的方法，将两种大失配的半导体材料集成在一起，且无需考虑由于失配应变产生的位错缺陷导致超晶格的质量变差和引起器件暗电流等因素。同时，通过改变短周期超晶格的周期长度可以改变应变补偿短周期超晶格的光学带隙，拓展了结构的光电转换响应波长范围，使得近红外波段的光电转换器件可在同一材料体系中实现宽的可调响应范围。

公开(公告)号：CN113555457B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202010338509.2

申请日：2020-04-26

Applicant: 南京大学

Inventor： 芦红 ,  魏炼 ,  苗艺 ,  李晨 ,  陈延峰

IPC: H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种Ge/Si衬底，其包括依次层叠设置的Si衬底、Si缓冲层和Ge薄膜，所述Ge薄膜通过外延法生长在所述Si缓冲层上，其中所述Ge薄膜的空穴迁移率大于1000cm2/Vs。本发明提供的Ge/Si衬底中，Ge薄膜表面平整，单晶质量高，晶格可以完全弛豫，空穴载流子迁移率大于1000cm2/Vs，最高可达1300cm2/V·s，可以极大的推动Si基Ge光子技术的发展，另外本发明的Ge/Si衬底可以代替锗衬底，用于材料的外延生长及后续的器件集成和加工。本发明还提供了Ge/Si衬底的制备方法。

公开(公告)号：CN114914791A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210564930.4

申请日：2022-05-23

Applicant: 南京大学 ,  南京磊帮半导体科技有限公司

Inventor： 廖俊杰 ,  沈琳 ,  谢景龙 ,  张克冬 ,  李晨 ,  芦红

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/026

Abstract: 本发明提供了一种集成激光光源和探测结构及其制备方法，包括带间级联激光器和光电探测器，带间级联激光器与光电探测器位于同一衬底上，且具有相同的外延结构。本发明还提供这种集成激光光源和探测结构的制备方法，用于将带间级联激光器与光电探测器集成为一体。本发明通过半导体制造工艺方法实现激光器与探测器的单片集成，有利于实现激光发射与探测系统的微型化，提高了器件的集成度，使得器件可靠性增强，成本降低，可广泛应用于气体探测和工业控制等领域。

公开(公告)号：CN114628983A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011471890.6

申请日：2020-12-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 孟亚飞 ,  李艺文 ,  李剑飞 ,  张克冬 ,  李晨 ,  芦红 ,  王枫秋

IPC: H01S3/11

Abstract: 本发明公开了一种GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件，包括GaAs/ErAs单晶/GaAs可饱和吸收层和承载所述可饱和吸收层所需的光学元件。所述的GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件具有反射型和透射型两种结构；其中反射型可饱和吸收器件由上至下的材料分布为：功能层、可饱和吸收层、光学衬底和反射层；透射型可饱和吸收器件由上至下的材料分布为：功能层、可饱和吸收层和光学衬底。GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件无需低温生长，依赖单晶薄膜材料异质结构便可获得超快的弛豫时间，由于可饱和吸收层的缺陷密度低，器件的可靠性和一致性好，在脉冲激光器等领域应用前景广阔。

公开(公告)号：CN114628909A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011471933.0

申请日：2020-12-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 芦红 ,  张克冬 ,  李晨 ,  孟亚飞 ,  李艺文 ,  王枫秋 ,  陈延峰

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q1/36 ,  H01Q21/00

Abstract: 本发明公开了一种基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料，包括半绝缘的半导体衬底以及依次设于所述半导体衬底上的下层半导体层、半金属层、上层半导体层。本发明还公开了一种基于半导体/半金属/半导体异质结的光电导天线结构，由基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料以及偶极天线组成。基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料无需低温生长，具有高晶体质量，由半导体/半金属之间的界面态以及半金属的价带提供快速弛豫通道，可在1550nm波段实现亚皮秒量级的超快弛豫；基于半导体/半金属/半导体异质结的光电导天线可用作1550nm激发的太赫兹光源和太赫兹探测器。

公开(公告)号：CN113135608A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110465919.8

申请日：2021-04-28

Applicant: 南京大学

Inventor： 谷成 ,  陈张浩 ,  李晨 ,  滕影 ,  米娜

IPC: C02F1/32 ,  C02F1/70 ,  C02F101/36 ,  C02F101/34

Abstract: 本发明公开了用于处理全氟化合物污染水体的自组装胶束及方法，属于持久性污染物降解领域。本发明通过将羟基苯乙酸作为水合电子源物质，并利用CTAB诱导相互排斥的HPA和HFPO‑TA形成一种三元混合自组装胶束，该自组装胶束的形成能够有效降低胶束外质子和氧气对胶束内部HFPO‑TA还原降解反应的干扰，显著促进HFPO‑TA的降解和脱氟，适用于在好氧条件以及较宽的pH 4～10下还原降解新型全氟化合物HFPO‑TA，解决了现有水合电子降解全氟化合物方法存在的反应条件狭隘等问题，具有较高的应用前景。

公开(公告)号：CN112551778A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011308954.0

申请日：2020-11-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 谷成 ,  陈张浩 ,  滕影 ,  李晨 ,  米娜

IPC: C02F9/08 ,  C02F101/36

Abstract: 本发明公开了一种高效处理全氟化合物污染水体的方法，属于持久性污染物降解领域。本发明利用在水中呈正电性或电中性的吲哚衍生物，增强与阴离子的PFCs之间的结合作用，从而提高其产生的水合电子与PFCs的反应效率，促进PFCs的降解和脱氟，不仅解决了现有的降解PFCs方法存在降解效率低、反应条件苛刻、需要添加其他外源物质等问题，而且对环境不会造成二次污染，具有较高的应用价值。

公开(公告)号：CN111153462A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN202010037007.6

申请日：2020-01-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 谷成 ,  陈张浩 ,  李晨

IPC: C02F1/32 ,  C02F101/36

Abstract: 本发明公开了一种降解全氟化合物的方法，属于持久性污染物降解领域。本发明通过将十六烷基三甲基溴化铵、吲哚乙酸和全氟化合物溶液混合并形成紧密的自组装胶束，对自组装胶束进行光照，使全氟化合物在胶束内部快速降解和脱氟，从而实现利用概念新颖的自组装胶束体系来降解全氟化合物，提高对全氟化合物的降解效率。

公开(公告)号：CN101368870B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200810156584.6

申请日：2008-10-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 刘红星 ,  李晨 ,  肇莹 ,  郑威 ,  王潜 ,  陈晗霄

IPC: G01M7/02 ,  G01H17/00

Abstract: 本发明涉及一种用于机械转子单截面轴振分析的幅值频谱，它的制作由这些步骤组成：(1)读入同步采集的转轴一截面两垂直方向的位移信号序列x和y；(2)分别对两信号序列进行快速离散傅立叶变换；(3)基于两信号离散傅立叶变换结果求取各自傅立叶级数；(4)从获取的两傅立叶级数中，将每个频率下的来自x信号的正弦波谐波分量和来自y信号的正弦波谐波分量合成，得到一个轴心轨迹椭圆，又称为李萨育图形；(5)计算各频率下所合成椭圆的长半轴的大小，即各频率下截面上的轴振幅值的大小；(6)以频率或其阶次为横轴，以轴振幅值为纵轴，绘制出幅值频谱。每个轴振幅值代表相应频率下截面轴振实际大小，不受传感器安装方位影响。