公开(公告)号：CN114628983A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011471890.6

申请日：2020-12-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 孟亚飞 ,  李艺文 ,  李剑飞 ,  张克冬 ,  李晨 ,  芦红 ,  王枫秋

IPC: H01S3/11

Abstract: 本发明公开了一种GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件，包括GaAs/ErAs单晶/GaAs可饱和吸收层和承载所述可饱和吸收层所需的光学元件。所述的GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件具有反射型和透射型两种结构；其中反射型可饱和吸收器件由上至下的材料分布为：功能层、可饱和吸收层、光学衬底和反射层；透射型可饱和吸收器件由上至下的材料分布为：功能层、可饱和吸收层和光学衬底。GaAs/ErAs单晶/GaAs宽带可饱和吸收器件无需低温生长，依赖单晶薄膜材料异质结构便可获得超快的弛豫时间，由于可饱和吸收层的缺陷密度低，器件的可靠性和一致性好，在脉冲激光器等领域应用前景广阔。

公开(公告)号：CN114628909A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202011471933.0

申请日：2020-12-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 芦红 ,  张克冬 ,  李晨 ,  孟亚飞 ,  李艺文 ,  王枫秋 ,  陈延峰

IPC: H01Q15/00 ,  H01Q1/36 ,  H01Q21/00

Abstract: 本发明公开了一种基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料，包括半绝缘的半导体衬底以及依次设于所述半导体衬底上的下层半导体层、半金属层、上层半导体层。本发明还公开了一种基于半导体/半金属/半导体异质结的光电导天线结构，由基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料以及偶极天线组成。基于半导体/半金属/半导体异质结的超快光电材料无需低温生长，具有高晶体质量，由半导体/半金属之间的界面态以及半金属的价带提供快速弛豫通道，可在1550nm波段实现亚皮秒量级的超快弛豫；基于半导体/半金属/半导体异质结的光电导天线可用作1550nm激发的太赫兹光源和太赫兹探测器。

公开(公告)号：CN113984205A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111150308.0

申请日：2021-09-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 王枫秋 ,  李剑飞 ,  李艺文 ,  孟亚飞

IPC: G01J3/28

Abstract: 一种通过低能量光泵浦调节狄拉克半金属薄膜在可见光波段载流子寿命的方法，使用泵浦探测技术进行的时间分辨光谱测试，利用近红外波段的低光子能量激光进行泵浦调节狄拉克半金属薄膜，并使用可见光波段高光子能量激光进行探测，得到载流子动力学在探测波长的动力学或载流子寿命；所述的近红外泵浦光，处于电磁波谱的800‑2000nm范围内；所述的可见光探测光，处于电磁波谱的500nm‑700nm范围内。红外激发光可由锁模飞秒激光器提供，可见光波段探测光可由锁模飞秒激光器泵浦的光学参量振荡器(OPO)，后者经衰减片衰减为不高于泵浦光功率的10％的合适的功率，用于探测Cd3As2材料在可见光波段的载流子群体弛豫行为。

公开(公告)号：CN114498264A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202210036853.5

申请日：2022-01-13

Applicant: 南京大学

Inventor： 王枫秋 ,  李艺文 ,  李剑飞 ,  孟亚飞

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/098 ,  G02B6/02 ,  G02B5/00

Abstract: 本发明公开了一种光纤集成的三维狄拉克半金属可饱和吸收器件，包括光纤本体(1)和三维狄拉克半金属有源层(2)；所述光纤本体(1)上设置有空气孔(3)，所述空气孔(3)沿所述光纤本体(1)的轴向贯穿光纤两端；所述三维狄拉克半金属有源层(2)覆盖在所述空气孔(3)的内壁上；所述光纤本体(1)为实芯光子晶体光纤或空芯光子晶体光纤，长度为1‑10cm。光纤集成的三维狄拉克半金属可饱和吸收器件将光纤与三维狄拉克半金属材料集成，兼具材料和结构的双重优势，具有易与光纤系统耦合、与中红外光子的相互作用强，在光通信系统、激光系统等领域应用前景广阔。