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公开(公告)号：CN107369746A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710764421.5
申请日：2017-08-30
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H01L33/48 , H01L33/0075 , H01L33/20 , H01L33/60 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片及其制备方法。本发明的LED芯片为倒装薄膜结构，外延薄膜仅包含p-GaN层、量子阱层和n-GaN层，在p-GaN层下面是高反射率的金属反射电极，在n-GaN层上面是介质分布布拉格反射镜，金属反射电极和介质DBR构成谐振腔的反射镜，谐振腔的腔长是波长数量级。本发明制备方法将LED外延片的衬底通过第一次光电辅助化学腐蚀和第二次化学腐蚀去除，再通过金属键合使LED外延片分布在导热基板上，得到所述化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本发明制备方法不需要引入额外的材料，因此不会造成外延生长设备真空腔室的污染，同时有利于降低谐振腔的长度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN208489225U
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201821366071.3
申请日：2018-08-23
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种宽带高效的二维光子晶体LED倒装阵列芯片。该二维光子晶体LED阵列芯片单元为倒装结构，在透明衬底上由X行Y列的发光单元组成，其中X和Y的取值为大于4的整数；每个发光单元为结构相同的倒装结构，都包括GaN外延层、金属反射镜层、保护层、钝化层、n-电极和p-电极；从图形化处理后GaN外延片表面的p-GaN层到n-GaN层以及SOG形成二维光子晶体结构，实现对光子寿命和行为的调控，进而提高LED芯片的调制带宽和光萃取效率。采用深刻蚀隔离槽将单元，实现阵列单元之间的独立，降低阵列单元之间的光电串扰，具有高光效、高带宽和高集成度的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207217535U
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201721100295.5
申请日：2017-08-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L27/115 , F21S8/00 , G09G3/32 , G09G3/38
Abstract: 本实用新型提供一种GaN基微米尺寸LED阵列芯片及集成模块。集成模块由GaN基微米尺寸LED阵列芯片、偏置树电路、MOS开关阵列和现场可编程门阵列（FPGA）组成。LED阵列芯片由高速通信发光单元和低速通信发光单元构成，高速通信发光单元工作在较大电流密度下；低速通信发光单元工作在较小电流密度下。高速通信发光单元直接与信号源连接，传输高频交流信号；低速通信发光单元与MOS开关阵列连接，受FPGA控制选择导通一路以上的发光单元，实现照明、显示功能，并传输低频交流信号。本实用新型可以实现两通道的高速通信和多通道的低速通信，而且低频通信发光单元还具有照明和显示功能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207217575U
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201721105813.2
申请日：2017-08-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本实用新型的LED芯片为倒装薄膜结构，外延薄膜仅包含p-GaN层、量子阱层和n-GaN层，在p-GaN层下面是高反射率的金属反射电极，在n-GaN层上面是介质分布布拉格反射镜，金属反射电极和介质DBR构成谐振腔的反射镜，谐振腔的腔长是波长数量级。本实用新型制备方法将LED外延片的衬底通过第一次光电辅助化学腐蚀和第二次化学腐蚀去除，再通过金属键合使LED外延片分布在导热基板上，得到所述化学腐蚀剥离衬底的微尺寸谐振腔LED芯片。本实用新型不需要引入额外的材料，因此不会造成外延生长设备真空腔室的污染，同时有利于降低谐振腔的长度。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206834196U
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201720628206.8
申请日：2017-06-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开一种微米尺寸倒装LED芯片，特点是制备LED的GaN外延层是台型结构，台型结构的台基和台面都呈圆台型，台基上分布有n-电极圆环，台面顶部的边缘分布有电流扩展圆环，电流扩展材料在300℃的温度下不会发生离子扩散，电流扩展圆环顶部的边缘和台型结构的侧壁是钝化层，钝化层采用化学气相沉积介质绝缘层和周期数不小于1的分布布拉格反射镜层，台面顶部和钝化层侧壁覆盖p-反射电极层。本实用新型可提高反射镜的反射率，同时避免反射电极层中的金属扩散导致的漏电现象，并且在光刻工艺中具有较大的对准容差。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206422087U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201621427730.0
申请日：2016-12-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层、金属反射镜层、钝化层、p‑电极层、n‑电极层、p‑电极孔和n‑电极孔；所述金属反射镜层的底面连接p‑GaN层的表面处具有微米‑纳米复合金属结构。微米金属结构包含交替出现的凸起部分和凹槽部分；凸起部分延伸至量子阱附近，实现高效SP‑MQW耦合；凹槽部分覆盖在p‑GaN表面，使p‑GaN层具有足够的厚度注入空穴；纳米金属结构分布在微米金属结构与p‑GaN的分界面上。
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