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公开(公告)号：CN108807621B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN201810717722.7
申请日：2018-06-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明提供了照明通信共用的二维光子晶体LED倒装芯片及其制备方法，制备方法包括提供透明衬底的外延片、在所述透明衬底的外延片上制备空气孔光子晶体结构、在所述空气孔光子晶体结构中填充SOG绝缘介质、用填充好绝缘介质的外延片进行普通倒装芯片制备工艺，形成二维光子晶体LED倒装芯片。本发明的照明通信共用的二维光子晶体LED倒装芯片的制备方法可以有效的提高LED芯片的调制带宽和出光效率，同时有效避免外延片带来的质量问题，而照明通信共用的二维光子晶体LED倒装芯片具有散热效果好、出光效率高的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106784221B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201611209700.7
申请日：2016-12-23
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: B82Y40/00 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层、金属反射镜层、钝化层、p‑电极层、n‑电极层、p‑电极孔和n‑电极孔；所述金属反射镜层的底面连接p‑GaN层的表面处具有微米‑纳米复合金属结构。微米金属结构包含交替出现的凸起部分和凹槽部分；凸起部分延伸至量子阱附近，实现高效SP‑MQW耦合；凹槽部分覆盖在p‑GaN表面，使p‑GaN层具有足够的厚度注入空穴；纳米金属结构分布在微米金属结构与p‑GaN的分界面上。
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公开(公告)号：CN108807621A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810717722.7
申请日：2018-06-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明提供了照明通信共用的二维光子晶体LED倒装芯片及其制备方法，制备方法包括提供透明衬底的外延片、在所述透明衬底的外延片上制备空气孔光子晶体结构、在所述空气孔光子晶体结构中填充SOG绝缘介质、用填充好绝缘介质的外延片进行普通倒装芯片制备工艺，形成二维光子晶体LED倒装芯片。本发明的照明通信共用的二维光子晶体LED倒装芯片的制备方法可以有效的提高LED芯片的调制带宽和出光效率，同时有效避免外延片带来的质量问题，而照明通信共用的二维光子晶体LED倒装芯片具有散热效果好、出光效率高的优点。
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公开(公告)号：CN106784221A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611209700.7
申请日：2016-12-23
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: B82Y40/00 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层、金属反射镜层、钝化层、p‑电极层、n‑电极层、p‑电极孔和n‑电极孔；所述金属反射镜层的底面连接p‑GaN层的表面处具有微米‑纳米复合金属结构。微米金属结构包含交替出现的凸起部分和凹槽部分；凸起部分延伸至量子阱附近，实现高效SP‑MQW耦合；凹槽部分覆盖在p‑GaN表面，使p‑GaN层具有足够的厚度注入空穴；纳米金属结构分布在微米金属结构与p‑GaN的分界面上。
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公开(公告)号：CN206422087U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201621427730.0
申请日：2016-12-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层、金属反射镜层、钝化层、p‑电极层、n‑电极层、p‑电极孔和n‑电极孔；所述金属反射镜层的底面连接p‑GaN层的表面处具有微米‑纳米复合金属结构。微米金属结构包含交替出现的凸起部分和凹槽部分；凸起部分延伸至量子阱附近，实现高效SP‑MQW耦合；凹槽部分覆盖在p‑GaN表面，使p‑GaN层具有足够的厚度注入空穴；纳米金属结构分布在微米金属结构与p‑GaN的分界面上。
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公开(公告)号：CN208368535U
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201821044483.5
申请日：2018-06-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型提供了一种照明通信共用的二维光子晶体LED倒装芯片，包括二维光子晶体结构、透明衬底、外延片、反射镜、保护层、钝化层和电极，所述二维光子晶体结构设置在与反射镜相接处的透明衬底的外延片内部，所述外延片包括N型氮化镓层、有源层和P型氮化镓层。本实用新型的照明通信共用的二维光子晶体LED倒装芯片可以有效的提高LED芯片的调制带宽和出光效率，同时有效避免外延片带来的质量问题，而照明通信共用的二维光子晶体LED倒装芯片具有散热效果好、出光效率高的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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