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公开(公告)号：CN109136869B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810783767.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了用于紫外波段的金属掺氧化镓透明导电薄膜及其制备方法。该制备方法先在基底上生长一层接触层薄膜，接触层薄膜生长后经由快速热退火炉400℃～600℃氮氧氛围下退火；利用磁控溅射氩气条件下溅射生长第一层Ga2O3薄膜；利用磁控溅射氩气条件下溅射生长掺杂薄膜；利用磁控溅射氩气条件下溅射生长第二层Ga2O3薄膜，生长完成的薄膜整体经由快速热退火炉500‐600℃氮氧氛围下退火，薄膜材料之间渗透扩散熔合，形成金属掺杂Ga2O3薄膜。本发明的透明导电薄膜在ITO透明导电薄膜基础上，具有更大的薄膜光学透过率和更低的薄膜方块电阻。
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公开(公告)号：CN109136869A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810783767.4
申请日：2018-07-17
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了用于紫外波段的金属掺氧化镓透明导电薄膜及其制备方法。该制备方法先在基底上生长一层接触层薄膜，接触层薄膜生长后经由快速热退火炉400℃～600℃氮氧氛围下退火；利用磁控溅射氩气条件下溅射生长第一层Ga2O3薄膜；利用磁控溅射氩气条件下溅射生长掺杂薄膜；利用磁控溅射氩气条件下溅射生长第二层Ga2O3薄膜，生长完成的薄膜整体经由快速热退火炉500‐600℃氮氧氛围下退火，薄膜材料之间渗透扩散熔合，形成金属掺杂Ga2O3薄膜。本发明的透明导电薄膜在ITO透明导电薄膜基础上，具有更大的薄膜光学透过率和更低的薄膜方块电阻。
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公开(公告)号：CN106941377B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201710097747.7
申请日：2017-02-22
Applicant: 华南理工大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/69
Abstract: 本发明公开了用于提高可见光通信中高频增益的光电接收器设计方法，通过设置反馈网络中反馈电阻和电容的值，使光电接收器的传输特性曲线在高频部分出现一个增益峰值，利用这个峰值提高接收器对于LED的高频响应增益，从而提高响应曲线平坦度、拓展带宽。本发明侧重光电接收器上的优化设计，不需要额外的后均衡电路，电路结构简单、成本较低，而且由于所需元器件较少可实现较高的集成度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106784221A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611209700.7
申请日：2016-12-23
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: B82Y40/00 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层、金属反射镜层、钝化层、p‑电极层、n‑电极层、p‑电极孔和n‑电极孔；所述金属反射镜层的底面连接p‑GaN层的表面处具有微米‑纳米复合金属结构。微米金属结构包含交替出现的凸起部分和凹槽部分；凸起部分延伸至量子阱附近，实现高效SP‑MQW耦合；凹槽部分覆盖在p‑GaN表面，使p‑GaN层具有足够的厚度注入空穴；纳米金属结构分布在微米金属结构与p‑GaN的分界面上。
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公开(公告)号：CN106784221B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201611209700.7
申请日：2016-12-23
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: B82Y40/00 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/20
Abstract: 本发明公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片及其制备方法。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层、金属反射镜层、钝化层、p‑电极层、n‑电极层、p‑电极孔和n‑电极孔；所述金属反射镜层的底面连接p‑GaN层的表面处具有微米‑纳米复合金属结构。微米金属结构包含交替出现的凸起部分和凹槽部分；凸起部分延伸至量子阱附近，实现高效SP‑MQW耦合；凹槽部分覆盖在p‑GaN表面，使p‑GaN层具有足够的厚度注入空穴；纳米金属结构分布在微米金属结构与p‑GaN的分界面上。
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公开(公告)号：CN106941377A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201710097747.7
申请日：2017-02-22
Applicant: 华南理工大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/69
CPC classification number: H04B10/116 , H04B10/691
Abstract: 本发明公开了用于提高可见光通信中高频增益的光电接收器设计方法，通过设置反馈网络中反馈电阻和电容的值，使光电接收器的传输特性曲线在高频部分出现一个增益峰值，利用这个峰值提高接收器对于LED的高频响应增益，从而提高响应曲线平坦度、拓展带宽。本发明侧重光电接收器上的优化设计，不需要额外的后均衡电路，电路结构简单、成本较低，而且由于所需元器件较少可实现较高的集成度。
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公开(公告)号：CN206422087U
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201621427730.0
申请日：2016-12-23
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于表面等离子体效应的宽带高效GaN基LED芯片。该宽带高效GaN基LED芯片为倒装结构，由下至上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂GaN层、n‑GaN层、量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层、金属反射镜层、钝化层、p‑电极层、n‑电极层、p‑电极孔和n‑电极孔；所述金属反射镜层的底面连接p‑GaN层的表面处具有微米‑纳米复合金属结构。微米金属结构包含交替出现的凸起部分和凹槽部分；凸起部分延伸至量子阱附近，实现高效SP‑MQW耦合；凹槽部分覆盖在p‑GaN表面，使p‑GaN层具有足够的厚度注入空穴；纳米金属结构分布在微米金属结构与p‑GaN的分界面上。
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公开(公告)号：CN206564603U
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201720162105.6
申请日：2017-02-22
Applicant: 华南理工大学
IPC: H04B10/69 , H04B10/116
Abstract: 本实用新型公开了一种用于提高可见光通信中高频增益的光电接收器，包括电源去耦电路、光电二极管、光电二极管的偏置滤波电路、运算放大器、运算放大器的偏置补偿电路、运算放大器的反馈网络和输出阻抗匹配电路；光电二极管负端接在运算放大器的反相输入端。本实用新型通过设置反馈网络中反馈电阻和电容的值，使光电接收器的传输特性曲线在高频部分出现一个增益峰值，利用这个峰值提高接收器对于LED的高频响应增益，从而提高响应曲线平坦度、拓展带宽。本实用新型侧重光电接收器上的优化设计，不需要额外的后均衡电路，电路结构简单、成本较低，而且由于所需元器件较少可实现较高的集成度。
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