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公开(公告)号：CN110459657B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN201910704390.3
申请日：2019-07-31
Applicant: 华南理工大学 , 中山市华南理工大学现代产业技术研究院
IPC: H10H20/819 , H10H20/816 , H10H20/84 , H10H20/831 , H10H20/01
Abstract: 本发明公开了一种具有环状类Y型电极的微尺寸LED器件及制备方法，所述器件包括衬底和衬底上连接的凸台型结构，所述凸台型结构包括凸台下部和凸台上部，凸台上部位于凸台下部之上；凸台上部的上表面连接电流扩展层，电流扩展层上连接P电极，所述P电极为环状类Y型电极，所述环状类Y型电极包括一个圆环状接触环和两个以上类Y型叉，两个以上类Y型叉的底臂在圆环状接触环上均匀分布；凸台型结构上除P电极和N电极以外的区域沉积有一层钝化层。本发明提供的微尺寸LED器件在减少输出光遮挡的情况下有效的改善电流扩展及分布，实现光强分布均匀，发热均匀。
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公开(公告)号：CN110459657A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910704390.3
申请日：2019-07-31
Applicant: 华南理工大学 , 中山市华南理工大学现代产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种具有环状类Y型电极的微尺寸LED器件及制备方法，所述器件包括衬底和衬底上连接的凸台型结构，所述凸台型结构包括凸台下部和凸台上部，凸台上部位于凸台下部之上；凸台上部的上表面连接电流扩展层，电流扩展层上连接P电极，所述P电极为环状类Y型电极，所述环状类Y型电极包括一个圆环状接触环和两个以上类Y型叉，两个以上类Y型叉的底臂在圆环状接触环上均匀分布；凸台型结构上除P电极和N电极以外的区域沉积有一层钝化层。本发明提供的微尺寸LED器件在减少输出光遮挡的情况下有效的改善电流扩展及分布，实现光强分布均匀，发热均匀。
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公开(公告)号：CN111916536A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010746592.7
申请日：2020-07-29
Applicant: 华南理工大学 , 中山市华南理工大学现代产业技术研究院
Abstract: 本发明公开一种具有微米孔阵列的微米尺寸正装LED器件及其制备方法。所述LED器件基于GaN基外延层制备而成，包括GaN基外延层、电流扩展层、P电极、N电极和钝化层；GaN基外延层包括衬底、N型GaN层即N-GaN层、量子阱层（MQW）、P型GaN层即P-GaN层；所述N-GaN层包括刻蚀露出的N-GaN层和刻蚀形成的N-GaN层。本发明保证器件调制带宽的同时提高了发光效率，同时ICP刻蚀微米孔阵列后，继续采用电流扩展层腐蚀液继续腐蚀样品，预防电流扩展层在刻蚀过程中出现扩展导致的漏电。
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公开(公告)号：CN108831979A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810967639.5
申请日：2018-08-23
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了宽带高效的二维光子晶体LED倒装阵列芯片及其制备方法。该二维光子晶体LED阵列芯片单元为倒装结构，在透明衬底上由X行Y列的发光单元组成，其中X和Y的取值为大于4的整数；每个发光单元为结构相同的倒装结构，都包括GaN外延层、金属反射镜层、保护层、钝化层、n-电极和p-电极；从图形化处理后GaN外延片表面的p-GaN层到n-GaN层以及SOG形成二维光子晶体结构，实现对光子寿命和行为的调控，进而提高LED芯片的调制带宽和光萃取效率。采用深刻蚀隔离槽将单元，实现阵列单元之间的独立，降低阵列单元之间的光电串扰，具有高光效、高带宽和高集成度的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108831979B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201810967639.5
申请日：2018-08-23
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了宽带高效的二维光子晶体LED倒装阵列芯片及其制备方法。该二维光子晶体LED阵列芯片单元为倒装结构，在透明衬底上由X行Y列的发光单元组成，其中X和Y的取值为大于4的整数；每个发光单元为结构相同的倒装结构，都包括GaN外延层、金属反射镜层、保护层、钝化层、n‑电极和p‑电极；从图形化处理后GaN外延片表面的p‑GaN层到n‑GaN层以及SOG形成二维光子晶体结构，实现对光子寿命和行为的调控，进而提高LED芯片的调制带宽和光萃取效率。采用深刻蚀隔离槽将单元，实现阵列单元之间的独立，降低阵列单元之间的光电串扰，具有高光效、高带宽和高集成度的优点。
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公开(公告)号：CN111916536B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202010746592.7
申请日：2020-07-29
Applicant: 华南理工大学 , 中山市华南理工大学现代产业技术研究院
Abstract: 本发明公开一种具有微米孔阵列的微米尺寸正装LED器件及其制备方法。所述LED器件基于GaN基外延层制备而成，包括GaN基外延层、电流扩展层、P电极、N电极和钝化层；GaN基外延层包括衬底、N型GaN层即N‑GaN层、量子阱层（MQW）、P型GaN层即P‑GaN层；所述N‑GaN层包括刻蚀露出的N‑GaN层和刻蚀形成的N‑GaN层。本发明保证器件调制带宽的同时提高了发光效率，同时ICP刻蚀微米孔阵列后，继续采用电流扩展层腐蚀液继续腐蚀样品，预防电流扩展层在刻蚀过程中出现扩展导致的漏电。
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公开(公告)号：CN214280002U
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202021535009.X
申请日：2020-07-29
Applicant: 华南理工大学 , 中山市华南理工大学现代产业技术研究院
Abstract: 本实用新型公开一种具有微米孔阵列的微米尺寸正装LED器件。所述LED器件基于GaN基外延层制备而成，包括GaN基外延层、电流扩展层、P电极、N电极和钝化层；GaN基外延层包括衬底、N型GaN层即N‑GaN层、量子阱层（MQW）、P型GaN层即P‑GaN层；所述N‑GaN层包括刻蚀露出的N‑GaN层和刻蚀形成的N‑GaN层。本实用新型保证器件调制带宽的同时提高了发光效率，同时ICP刻蚀微米孔阵列后，继续采用电流扩展层腐蚀液继续腐蚀样品，预防电流扩展层在刻蚀过程中出现扩展导致的漏电。
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公开(公告)号：CN208489225U
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201821366071.3
申请日：2018-08-23
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种宽带高效的二维光子晶体LED倒装阵列芯片。该二维光子晶体LED阵列芯片单元为倒装结构，在透明衬底上由X行Y列的发光单元组成，其中X和Y的取值为大于4的整数；每个发光单元为结构相同的倒装结构，都包括GaN外延层、金属反射镜层、保护层、钝化层、n-电极和p-电极；从图形化处理后GaN外延片表面的p-GaN层到n-GaN层以及SOG形成二维光子晶体结构，实现对光子寿命和行为的调控，进而提高LED芯片的调制带宽和光萃取效率。采用深刻蚀隔离槽将单元，实现阵列单元之间的独立，降低阵列单元之间的光电串扰，具有高光效、高带宽和高集成度的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210607303U
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201921226070.3
申请日：2019-07-31
Applicant: 华南理工大学 , 中山市华南理工大学现代产业技术研究院
Abstract: 本实用新型公开了一种具有环状类Y型电极的微尺寸LED器件，所述器件包括衬底和衬底上连接的凸台型结构，所述凸台型结构包括凸台下部和凸台上部，凸台上部位于凸台下部之上；凸台上部的上表面连接电流扩展层，电流扩展层上连接P电极，所述P电极为环状类Y型电极，所述环状类Y型电极包括一个圆环状接触环和两个以上类Y型叉，两个以上类Y型叉的底臂在圆环状接触环上均匀分布；凸台型结构上除P电极和N电极以外的区域沉积有一层钝化层。本实用新型提供的微尺寸LED器件在减少输出光遮挡的情况下有效的改善电流扩展及分布，实现光强分布均匀，发热均匀。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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