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公开(公告)号：CN109286314B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811241460.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种全N型四相位时钟电荷泵，包括驱动电路与控制电路；所述驱动电路用于完成电荷的逐级转移和积累，包括第二晶体管、第四晶体管、第六晶体管、第八晶体管、第十晶体管、第二电容、第四电容、第六电容、第八电容和第十电容；所述控制电路用于提高电荷转移的效率，包括第一晶体管、第三晶体管、第五晶体管、第七晶体管、第九晶体管、第十一晶体管、第一电容、第三电容、第五电容、第七电容、第九电容、第十一电容。本发明通过对输出级电压采样，构造出四相位时钟电荷泵的阈值消除结构，实现消除阈值损失和提高输出电压的目的。
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公开(公告)号：CN110767745A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910881763.4
申请日：2019-09-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/786 , H01L21/34 , H01L27/12
Abstract: 本发明公开了复合金属氧化物半导体，该复合金属氧化物半导体为金属氧化物中掺有稀土氧化物，该复合金属氧化物可以在较低的氧化镱或氧化镨掺杂浓度下，有效抑制薄膜中的氧空位浓度，同时，其迁移率可以保持在较高的值；关键的，形成的薄膜能避免光照对I-V特性和稳定性的影响，大幅度提高金属氧化物半导体器件在光照下的稳定性。本发明还提供基于该复合金属氧化物半导体的薄膜晶体管与应用。
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公开(公告)号：CN107517045B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201710594986.3
申请日：2017-07-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H03K3/03
Abstract: 本发明公开了一种环形振荡器，包括N级伪CMOS自举反相器，伪CMOS自举反相器由第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管以及自举电容构成；包含四个端口：正相输入端口、反相输入端口、第一输出端口和第二输出端口；第一晶体管和第二晶体管构成第二反相器，第三晶体管和第四晶体管构成第一反相器，伪CMOS自举反相器由于第二反相器的输出电压可关断第一反相器的上拉管从而具有较低功耗，通过添加自举电容以增大输出摆幅。本发明的环形振荡器通过新的互联方式可改善第二反相器上拉管的常开状态，进一步降低第二反相器的功耗，降低环形振荡器的功耗延迟积，实现全摆幅输出。
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公开(公告)号：CN109286314A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811241460.8
申请日：2018-10-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种全N型四相位时钟电荷泵，包括驱动电路与控制电路；所述驱动电路用于完成电荷的逐级转移和积累，包括第二晶体管、第四晶体管、第六晶体管、第八晶体管、第十晶体管、第二电容、第四电容、第六电容、第八电容和第十电容；所述控制电路用于提高电荷转移的效率，包括第一晶体管、第三晶体管、第五晶体管、第七晶体管、第九晶体管、第十一晶体管、第一电容、第三电容、第五电容、第七电容、第九电容、第十一电容。本发明通过对输出级电压采样，构造出四相位时钟电荷泵的阈值消除结构，实现消除阈值损失和提高输出电压的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108172524A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711249282.9
申请日：2017-12-01
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/66 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，公开了一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法。在干净的玻璃基板表面依次制备Al掺杂Nd薄膜、Al2O3绝缘层和a‑IGZO薄膜，得到打印基板；将所得打印基板置于喷墨打印机中，以导电银墨水进行喷墨打印制备源漏电极，所用喷墨压电波形经历四个波段的电压变化，加压速率为0.5V/μs，四个波段持续时间分别为6.52μs、6.15μs、6.78μs、1.67μs，打印完成后得到TFT阵列源漏电极。本发明通过调节压电波形消除喷墨打印源漏电极薄膜的卫星点，具有处理工艺简单，操作时间短，处理效率高，成本低的优点。
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公开(公告)号：CN104599620B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201410755782.X
申请日：2014-12-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: G09G3/20
Abstract: 本发明公开了栅极集成驱动电路的反相器，包括晶体管T1v～T5v和耦合电容C1v，T1v的第二电极和T3v的第二电极连接正电平VDD，T1v的栅极和第一电极均接T2v的第二电极、T3v的栅极、T5v的第一电极和C1v一端；T2v的栅极和T4v的栅极接控制信号，T5v的栅极和第二电极连接反馈信号RSTv，T2v的第一电极和T4v的第一电极接第一负电平，T3v和T4v的第二电极接C1v的另一端，形成反相器输出节点QBv。本发明还公开了包含上述反相器的栅极集成驱动电路及其驱动方法。本发明实现了低功耗，低噪声和良好的抗干扰能力，输出级上拉晶体管与反相器动作迅速，能够实现在较高频率下工作。
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公开(公告)号：CN106060768A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610570016.5
申请日：2016-07-18
Applicant: 华南理工大学
CPC classification number: H04L63/0442 , H04L63/123 , H04L63/126 , H04M1/72569 , H04M2250/12 , H04W4/80 , H04W12/02
Abstract: 本发明公开了一种电子名片自动交互系统及方法，包括用于同步及备份用户上传电子名片的云端服务器，用于提供包括编辑、存储及查看电子名片的移动终端及用于识别用户的握手动作、发送及接收名片及名片索取序列号和离线保存用户自身及接收到名片索取序列号的智能可穿戴设备，所述云端服务器通过移动互联网与移动终端连接，所述智能可穿戴设备与移动终端通过蓝牙连接所述智能可穿戴设备包括电源模块、控制模块、存储器模块、蓝牙通信模块、近场通信模块、重力传感器及马达模块。本发明使用电子名片取代传统纸质名片，降低了用户社交关系管理的成本。
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公开(公告)号：CN105931601A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610504990.1
申请日：2016-06-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: G09G3/3266 , G09G3/3258
CPC classification number: G09G3/3266 , G09G3/3258
Abstract: 本发明公开了一种驱动电路单元及其驱动方法及行栅极驱动集成电路，行栅极驱动集成电路由电源与时钟部分及N级级联的栅极驱动部分构成，所述每一级栅极驱动部分由第一、第二及第三驱动电路单元构成；所述驱动电路单元包括输入模块、反相器模块、缓存模块、传递模块及驱动输出模块，本发明输出模块中，利用直流电源驱动大尺寸的薄膜晶体管，大大降低电路的动态耦合功耗。电路驱动仅采用一种低电平类型的时钟信号驱动，并且能够利用电容自举耦合后的高电压驱动输出晶体管的栅极，能够实现电压的全摆幅输出。
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公开(公告)号：CN103927972B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310652260.2
申请日：2013-12-05
Applicant: 华南理工大学 , 广州新视界光电科技有限公司
IPC: G09G3/3208
Abstract: 本发明公开了一种栅极驱动单元及栅极扫描驱动器及其驱动方法，栅极驱动单元内部利用时钟和高电平控制内部反相器模块产生低电平信号，采用反馈结构和双低电平电压控制电路，栅极驱动单元电路能避免从高电平流经晶体管到低电平的直流回路，有效抑制晶体管的泄漏电流，降低功耗，特别适用于阈值电压为负的晶体管器件；利用栅极驱动单元搭建起来的单边栅极扫描驱动器采用占空比为40%的时钟信号控制，将信号输出端的充电和放电功能集中在同一个晶体管中完成，结构精简，功率耗损低；利用栅极驱动单元搭建起来的双边栅极扫描驱动器采用占空比为25%的时钟信号控制，并且充分利用屏幕的对称性，能有效在高分辨率显示屏中实现窄边框效果。
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