公开(公告)号：CN110797395A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201910896373.4

申请日：2019-09-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 徐苗 ,  徐华 ,  吴为敬 ,  陈为峰 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/24 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明公开了一种掺杂型金属氧化物半导体，该掺杂型金属氧化物半导体为掺杂有稀土氧化物的氧化铟锡或氧化铟锡锌半导体，该掺杂型金属氧化物半导体可以在较低的氧化镱或氧化镨掺杂浓度下，有效抑制薄膜中的氧空位浓度，其迁移率可以保持在较高的值；关键的，形成的薄膜能避免光照对I-V特性和稳定性的影响，大幅度提高金属氧化物半导体器件在光照下的稳定性。本发明还提供该掺杂型金属氧化物半导体的薄膜晶体管与应用。

公开(公告)号：CN110767745A

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201910881763.4

申请日：2019-09-18

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 徐苗 ,  徐华 ,  吴为敬 ,  陈为峰 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明公开了复合金属氧化物半导体，该复合金属氧化物半导体为金属氧化物中掺有稀土氧化物，该复合金属氧化物可以在较低的氧化镱或氧化镨掺杂浓度下，有效抑制薄膜中的氧空位浓度，同时，其迁移率可以保持在较高的值；关键的，形成的薄膜能避免光照对I-V特性和稳定性的影响，大幅度提高金属氧化物半导体器件在光照下的稳定性。本发明还提供基于该复合金属氧化物半导体的薄膜晶体管与应用。

公开(公告)号：CN107146816A

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：CN201710229199.9

申请日：2017-04-10

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 徐苗 ,  徐华 ,  吴为敬 ,  陈为峰 ,  王磊 ,  彭俊彪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明属于半导体材料与器件技术领域，公开了一种氧化物半导体薄膜及由其制备的薄膜晶体管。所述氧化物半导体薄膜由金属氧化物半导体薄膜中掺入少量稀土氧化物得到。所述薄膜晶体管包括栅极、氧化物半导体薄膜制备的沟道层、位于栅极和沟道层之间的栅绝缘层、以及分别连接在沟道层两端的源极和漏极。本发明的氧化物半导体薄膜材料及由其制备的薄膜晶体管具有非常优异的光照稳定性，而且具有制备工艺简单、适用性强的特点。