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公开(公告)号：CN119812382A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411765196.3
申请日：2024-12-03
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01M8/04007 , H01M8/1246 , C25B9/67 , C25B1/04
Abstract: 本申请实施例提供一种储能设备，涉及能源技术领域，该储能设备包括电池和储热装置，电池为固体氧化物电池，电池包括阳极层、电解质层和阴极层，电解质层位于阳极层和阴极层之间，电池还包括阳极通道和阴极通道；储热装置包括装置壳和储热介质，储热介质位于装置壳内；储能设备具有第一状态和第二状态，在第一状态，阳极层和阴极层之间具有外部电流，储热介质用于吸收阳极通道排出的气体的热量；在第二状态，阳极层和阴极层之间外部电流的电流值为零，储热介质用于为进入阳极通道的气体加热。通过上述技术方案，能够减小固体氧化物电池在启动和停止状态下的温度差，缩短固体氧化物电池的启动时间。
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公开(公告)号：CN111816652B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202010465356.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/739
Abstract: 本申请提供一种集成有温度传感器的IGBT芯片，涉及功率器件技术领域，能够提高IGBT芯片的温度监测的准确性。该集成有温度传感器的IGBT芯片包括元胞区、发射极焊点、栅极焊点、栅极叉指结构、温度传感模块和导电屏蔽结构；发射极焊点与多个IGBT元胞的发射极电连接；栅极叉指结构连接于栅极焊点与多个IGBT元胞的栅极之间；温度传感模块包括温度传感器、阳极焊点、阴极焊点和金属引线，温度传感器和至少部分金属引线位于栅极叉指结构的内部并与栅极叉指结构绝缘；导电屏蔽结构至少设置于金属引线的位于栅极叉指结构内的部分与栅极叉指结构之间，并与发射极焊点电连接。本申请提供的集成有温度传感器的IGBT芯片用于电动汽车或者电梯。
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公开(公告)号：CN113224156B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202110436275.X
申请日：2021-04-22
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本申请实施例提供了一种氮化镓器件、开关功率管、驱动电路及其制作方法。该氮化镓器件的漏极包括P‑GaN层和漏极金属；P‑GaN层形成在AlGaN层之上，并且在器件栅宽方向上为条状结构；漏极金属包括多个第一结构区间和多个第二结构区间；多个第一结构区间和多个第二结构区间在栅宽方向上交替分布；漏极金属在第一结构区间与P‑GaN层接触；漏极金属第二结构区间既与P‑GaN层接触，又与AlGaN层形成欧姆接触。这样，漏极金属在第一结构区间实现局部注入空穴的能力，在第二结构区间通过欧姆接触(Ohmic contact)实现器件从漏极到源极的电流导通能力，由此能够在保证P‑GaN空穴注入效率的同时，避免器件本征导通电阻增大，从而提高器件开关速度，降低器件驱动损耗，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN111682061B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202010418395.2
申请日：2020-05-18
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种氮化物外延片，包括衬底；成核层，形成于所述衬底上，所述成核层为氮化铝层或氮化镓层；二维材料层，形成于所述成核层上，所述二维材料层由多块小尺寸二维材料薄膜拼接形成，或者所述二维材料层由二维材料在所述成核层上原位生长形成；外延层，形成于所述二维材料层上，所述外延层的材质包括第三主族金属氮化物。通过在衬底上设置成核层，并通过拼接或原位生长的方式在成核层上形成二维材料层，能够有效缓解衬底和外延层之间由于晶格失配和热失配产生的应力，降低外延翘曲的发生，提高氮化物外延片的均匀性和可靠性。本申请实施例还提供一种氮化物外延片的制备方法和包含该氮化物外延片的半导体器件。
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公开(公告)号：CN113707718A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110852751.6
申请日：2021-07-27
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本申请提供一种功率器件及其制备方法、电子装置。功率器件包括GaN缓冲层、第一势垒层、第二势垒层、阻挡层、第一p‑(Al)GaN部与栅极。GaN缓冲层、第一势垒层层叠设置，第一势垒层设有第一通孔，第二势垒层覆盖于第一势垒层背离GaN缓冲层的一侧，第二势垒层于第一通孔处形成沟槽，阻挡层设于第二势垒层背离GaN缓冲层的一侧，阻挡层设有第二通孔，第一p‑(Al)GaN部设于第二通孔并与第二势垒层接触，栅极设于第一p‑(Al)GaN部背离阻挡层的一侧。阻挡层能够在刻蚀p‑(Al)GaN时保护第二势垒层，减少刻蚀对第二势垒层的损伤，防止反向导通时空穴从第一p‑(Al)GaN部注入到第二势垒层中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113224156A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110436275.X
申请日：2021-04-22
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本申请实施例提供了一种氮化镓器件、开关功率管、驱动电路及其制作方法。该氮化镓器件的漏极包括P‑GaN层和漏极金属；P‑GaN层形成在AlGaN层之上，并且在器件栅宽方向上为条状结构；漏极金属包括多个第一结构区间和多个第二结构区间；多个第一结构区间和多个第二结构区间在栅宽方向上交替分布；漏极金属在第一结构区间与P‑GaN层接触；漏极金属第二结构区间既与P‑GaN层接触，又与AlGaN层形成欧姆接触。这样，漏极金属在第一结构区间实现局部注入空穴的能力，在第二结构区间通过欧姆接触(Ohmic contact)实现器件从漏极到源极的电流导通能力，由此能够在保证P‑GaN空穴注入效率的同时，避免器件本征导通电阻增大，从而提高器件开关速度，降低器件驱动损耗，提高器件可靠性。
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公开(公告)号：CN113178383A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110260645.9
申请日：2021-03-10
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L21/04 , H01L21/18 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/683 , H01L29/16
Abstract: 本申请提供一种碳化硅基板、碳化硅器件及其基板减薄方法，包括：提供一第一基板；第一基板为碳化硅基板，第一基板具有相对而置的硅面及碳面；在第一基板的硅面形成碳化硅器件，在碳化硅器件之上形成保护层；对第一基板的碳面进行离子注入；提供一第二基板；将离子注入后的第一基板与第二基板进行键合；对键合后的第一基板和第二基板进行高温退火，使注入到第一基板中的离子结合为气体；在第一基板的离子注入位置进行分离，得到减薄后的第一基板以及被分离的第一基板。本申请实施例中的基板减薄方法，无需对碳化硅器件的基板进行磨削，该基板减薄方法更易操作，并且，基板减薄后被分离的第一基板可以重复利用，经济效益更高。
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公开(公告)号：CN111816652A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010465356.8
申请日：2020-05-27
Applicant: 华为技术有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L29/739
Abstract: 本申请提供一种集成有温度传感器的IGBT芯片，涉及功率器件技术领域，能够提高IGBT芯片的温度监测的准确性。该集成有温度传感器的IGBT芯片包括元胞区、发射极焊点、栅极焊点、栅极叉指结构、温度传感模块和导电屏蔽结构；发射极焊点与多个IGBT元胞的发射极电连接；栅极叉指结构连接于栅极焊点与多个IGBT元胞的栅极之间；温度传感模块包括温度传感器、阳极焊点、阴极焊点和金属引线，温度传感器和至少部分金属引线位于栅极叉指结构的内部并与栅极叉指结构绝缘；导电屏蔽结构至少设置于金属引线的位于栅极叉指结构内的部分与栅极叉指结构之间，并与发射极焊点电连接。本申请提供的集成有温度传感器的IGBT芯片用于电动汽车或者电梯。
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公开(公告)号：CN111682061A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010418395.2
申请日：2020-05-18
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种氮化物外延片，包括衬底；成核层，形成于所述衬底上，所述成核层为氮化铝层或氮化镓层；二维材料层，形成于所述成核层上，所述二维材料层由多块小尺寸二维材料薄膜拼接形成，或者所述二维材料层由二维材料在所述成核层上原位生长形成；外延层，形成于所述二维材料层上，所述外延层的材质包括第三主族金属氮化物。通过在衬底上设置成核层，并通过拼接或原位生长的方式在成核层上形成二维材料层，能够有效缓解衬底和外延层之间由于晶格失配和热失配产生的应力，降低外延翘曲的发生，提高氮化物外延片的均匀性和可靠性。本申请实施例还提供一种氮化物外延片的制备方法和包含该氮化物外延片的半导体器件。
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公开(公告)号：CN108808754A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710304859.5
申请日：2017-05-03
Applicant: 华为技术有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种分布式电池包供电系统及充放电控制方法。根据本发明实施例提供的分布式电池包供电系统的充放电电路和相应的控制策略，使得多个电池包或电池组可以根据实际使用需求，在直接并联和间接并联之间按需切换。本发明实施例的分布式电池包括多个电池包，还包括：控制器、双向变压电路、旁路电路、充电电路、充电输入端，其中每一个所述电池包对应一个所述旁路电路和所述双向变压电路。
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