公开(公告)号：CN113178383A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110260645.9

申请日：2021-03-10

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 韩小标 ,  黄伯宁 ,  万玉喜 ,  王弋宇

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/683 ,  H01L29/16

Abstract: 本申请提供一种碳化硅基板、碳化硅器件及其基板减薄方法，包括：提供一第一基板；第一基板为碳化硅基板，第一基板具有相对而置的硅面及碳面；在第一基板的硅面形成碳化硅器件，在碳化硅器件之上形成保护层；对第一基板的碳面进行离子注入；提供一第二基板；将离子注入后的第一基板与第二基板进行键合；对键合后的第一基板和第二基板进行高温退火，使注入到第一基板中的离子结合为气体；在第一基板的离子注入位置进行分离，得到减薄后的第一基板以及被分离的第一基板。本申请实施例中的基板减薄方法，无需对碳化硅器件的基板进行磨削，该基板减薄方法更易操作，并且，基板减薄后被分离的第一基板可以重复利用，经济效益更高。